• 동양고전연구
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• 제35호
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• pp.243-274
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• 2009

본 연구에서는 "중용"의 내용을 중심으로 천인심성합일(天人心性合一)의 수양론(修養論)을 다루었다. 먼저 천인합일(天人合一)에 관하여 보면, "중용"에서는 천도(天道)의 의미를 중용(中庸), 성(誠), 성(性), 성(聖), 달도(達道), 도심(道心) 등으로 보고 있고, 인도(人道)의 의미를 중화(中和), 성지(誠之), 유(俗), 도(道), 교(敎), 달덕(達德), 인심(人心) 등으로 보고 있다. 천도는 우주의 생성, 운동법칙이며 이러한 천도는 사람에게 性을 부여한다. 이러한 천도를 이루기 위해서 인간이 마땅히 행해야만 하는 것이 인도이며, 사람이 인도를 수행하는 과정에서 인도와 천도는 합일된다. 다음으로, 심성합일(心性合一)에 관하여 보면, 이는 중화(中和)의 개념을 통하여 설명되는데, 사람이 마음을 바로 하여 정(情)을 올바로 발휘하는 것이 곧 성(性)과 합일이 됨을 말하는 것이다. 이와 같은 천인심성합일이 이루어지면 나타나는 그 공효는 수신이 기본이 된 구경(九經)으로 온천하가 다스려지는 것으로 설명할 수 있다. 천도와 인도의 관계 및 심과 성의 관계는 오달도 삼달덕 등 성(性)과 도(道), 교(敎)와의 관계로 설명되고, 구체적으로는 수신(修身)-사친(事親)-지인(知人)-지천(知天)의 관계로 설명되며 또한 도심(道心)과 인심(人心), 중화(中和)를 통한 심성의 합일로 설명된다. 그런데 천도와 인도의 합일, 심과 성의 합일을 이루기 위해서는 사람의 수양을 통하여 가능하다. 그 방법은 존심(存心)과 치지(致知)로 대표될 수 있고, 또한 신독(愼獨)과 계신공구(戒愼恐懼)를 통한 시중(時中), 충서(忠恕)와 택선고집(擇善固執)과, 심성합일(心性合一)의 방법으로 치중화(致中和)가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2014

정보화 시대로 접어들면서 동일한 공간에 더 많은 정보를 저장할 수 있고, 보다 빠른 동작이 가능한 비휘발성 메모리 소자에 대한 요구가 증가하고 있다. 하지만, 최근 비휘발성 메모리 소자 관련 연구보고에 따르면, 메모리 소자의 소형화 및 직접화 측면에서, 전하 저장을 기반으로 하는 기존의 Floating-Gate(FG) Flash 메모리는 20 nm 이하 공정에서 한계가 예측 되고 있다. 따라서, 이러한 FG Flash 메모리의 한계를 해결하기 위해, 기존에 FET 기반의 FG Flash 구조와 같은 3 terminal이 아닌, Diode와 같은 2 terminal로 동작이 가능한 ReRAM, PRAM, STT-MRAM, PoRAM 등 저항변화를 기반으로 하는 다양한 종류의 차세대 메모리 소자가 연구되고 있다. 그 중, 저항 변화 메모리(ReRAM)는 CMOS 공정 호환성, 3D 직접도, 낮은 소비전력과 빠른 동작 속도 등의 우수한 동작 특성을 가져 차세대 비휘발성 메모리로 주목을 받고 있다. 또한, 상하부 전극의 2 terminal 만으로 소자 구동이 가능하기 때문에 Passive Crossbar-Array(CBA)로 적용하여 플래시 메모리를 대체할 수 있는 유력한 차세대 메모리 소자이다. 하지만, 이를 현실화하기 위해서는 Passive CBA 구조에서 발생할 수 있는 Read Disturb 현상, 즉 Word-Line과 Bit-Line을 통해 선택된 소자를 제외하고 주변의 다른 소자를 통해 흐르는 Sneak Leakage Current(SLC)를 차단하여 소자의 메모리 State를 정확히 sensing하기 위한 연구가 선행 되어야 한다. 따라서, 현재 이러한 이슈를 해결하기 위해서, 많은 연구 그룹에서 Diodes, Threshold Switches와 같은 ReRAM에 Selector 소자를 추가하는 방법, 또는 Self-Rectifying 특성 및 CRS 특성을 보이는 ReRAM 구조를 제안 하여 SLC를 차단하고자 하는 연구가 시도 되고 있지만, 아직까지 기초연구 단계로서 아이디어에 대한 가능성 정도만 보고되고 있는 현실 이다. 이에 본 논문은 Passive CBA구조에서 발생하는 SLC를 해결하기 위한 새로운 아이디어로써, 본 연구 그룹에서 선행 연구로 확보된 안정적인 저항변화 물질인 SiN를 정류 특성을 가지는 n-Si/Ti 기반의 Schottky Diode와 결합함으로써 기존의 CBA 메모리의 Read 동작에서 발생하는 SLC를 차단 할 수 있는 1SD-1R 구조의 메모리 구조를 제작 하였으며, 본 연구 결과 기존에 문제가 되었던 SLC를 차단 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.410-410
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• 2013

Next-generation nonvolatile memory (NVM) has attracted increasing attention about emerging NVMs such as ferroelectric random access memory, phase-change random access memory, magnetic random access memory and resistance random access memory (RRAM). Previous studies have demonstrated that RRAM is promising because of its excellent properties, including simple structure, high speed and high density integration. Many research groups have reported a lot of metal oxides as resistive materials like TiO2, NiO, SrTiO3 and ZnO [1]. Among them, the ZnO-based film is one of the most promising materials for RRAM because of its good switching characteristics, reliability and high transparency [2]. However, in many studies about ZnO-based RRAMs, there was a problem to get lower current level for reducing the operating power dissipation and improving the device reliability such an endurance and an retention time of memory devices. Thus in this paper, we investigated that highly reproducible bipolar resistive switching characteristics of W doped ZnO RRAM device and it showed low resistive switching current level and large ON/OFF ratio. This may be caused by the interdiffusion of the W atoms in the ZnO film, whch serves as dopants, and leakage current would rise resulting in the lowering of current level [3]. In this work, a ZnO film and W doped ZnO film were fabricated on a Si substrate using RF magnetron sputtering from ZnO and W targets at room temperature with Ar gas ambient, and compared their current levels. Compared with the conventional ZnO-based RRAM, the W doped ZnO ReRAM device shows the reduction of reset current from ~$10^{-6}$ A to ~$10^{-9}$ A and large ON/OFF ratio of ~$10^3$ along with self-rectifying characteristic as shown in Fig. 1. In addition, we observed good endurance of $10^3$ times and retention time of $10^4$ s in the W doped ZnO ReRAM device. With this advantageous characteristics, W doped ZnO thin film device is a promising candidates for CMOS compatible and high-density RRAM devices.