Secondary ion mass spectrometry (SIMS) is a promising tool to measure isotope ratios of individual uranium particles in environmental samples for nuclear safeguards. However, the analysis requires prior identification of a small number of uranium particles that coexist with a large number of other particles without uranium. In the present study, this identification was performed by scanning electron microscopy - energy dispersive X-ray analysis with automated particle search mode. The analytical results for an environmental sample taken at a nuclear facility indicated that the observation of backscattered electron images with × 1000 magnification was appropriate to efficiently identify uranium particles. Lower magnification (less than × 500) made it difficult to detect smaller particles of approximately 1 μm diameter. After identification, each particle was manipulated and transferred for subsequent isotope ratio analysis by SIMS. Consequently, the isotope ratios of individual uranium particles were successfully determined without any molecular ion interference. It was demonstrated that the proposed technique provides a powerful tool to measure individual particles not only for nuclear safeguards but also for environmental sciences.
Jo, Ju-Hyeon;Choe, Yeong-Uk;Lee, Hong-Sik;Im, Geun-Hui;U, Seong-Hun;Lee, Gwang-Sik
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.12
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pp.785-790
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1999
This research has been carried out to develop a low-energy large-aperture pulsed electron beam generator (LELA), 200keV 1A, for industrial applications. One of the most important feature of this electron beam generator is large electron beam cross section of $190cm^2$. Low energy electron beam generators have been used for water cleaning, flue gas cleaning, and pasteurization, etc. In these applications the cross sectionof the e-beam is related to reaction efficiency. Another important feature of this LELA EB generator is easy maintenance because of its simple structure and relatively low vacuum operation compared to the conventional EB generators. The conventional EB generators need to be scanned because the small cross section thermal electron emitters are used in the conventional EB generators which have small EB cross section. In this research, we use the secondary electrons generated by ion bombardment on the HV cathode surface as a electron source. Therefore we can make any shape of EB cross section without scanning.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.25
no.4
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pp.53-60
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2008
Electron detectors used in scanning electron microscope accept electrons emitted from the specimen and convert them to an electrical signal that, after amplification, is used to modulate the gray-level intensities on a cathode ray tube, producing an image of the specimen. Electron detector is one of the key components dominating the performance of scanning electron microscope so that the development of electron detectors having high performance is indispensable to acquire high quality images using scanning electron microscope. In this paper, we designed and manufactured an electron detector and conducted a couple of image capture experiments using it. In particular, scintillator which generates light photons when it is struck by high-energy electrons was manufactured and experimental studies on the optimization of manufacturing condition was carried out. From experiments to evaluate the performance of our detector, it was verified that the performance of our detector is equivalent to or better than that of the conventional one.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.7-8
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2010
The surface conductive layer (SCL) of chemical vapor deposition (CVD) diamonds has attracting much interest. However, neither photoemission electron microscopic (PEEM) nor micro-spectroscopic (PEEMS) information is available so far. Since SCL retains in an ultra-high vacuum (UHV) condition, PEEM or PEEMS study will give an insight of SCL, which is the subject of the present study. The sample was made on a Ib-type HTHP diamond (001) substrate by non-doping CVD growthin a DC-plasma deposition chamber. The SCL properties of the sample in air were; a few tens K/Sq. in sheet resistance, ${\sim}180\;cm^2/vs$ in Hall mobility, ${\sim}2{\times}10^{12}/cm^2$ in carrier concentration. The root-square-mean surface roughness (Rq) of the sample was ~0.2nm as checked by AFM. A $2{\times}1$ LEED pattern and a sheet resistance of several hundreds K/Sq. in UHV were checked in a UHV chamber with an in-situ resist-meter [1]. The sample was then installed in a commercial PEEM/S apparatus (Omicron FOCUS IS-PEEM) which was composed of electro-static-lens optics together with an electron energy-analyzer. The presence of SCL was regularly monitored by measuring resistance between two electrodes (colloidal graphite) pasted on the two ends of sample surface. Figure 1 shows two PEEM images of a same area of the sample; a) is excited with a Hg-lamp and b) with a Xe-lamp. The maximum photon energy of the Hg-lamp is ~4.9 eV which is smaller that the band gap energy ($E_G=5.5\;eV$) of diamond and the maximum photon energy of the Xe-lamp is ~6.2 eV which is larger than $E_G$. The image that appear with the Hg-lamp can be due to photo-excitation to unoccupied states of the hydrogen-terminated negative electron affinity (NEA) diamond surface [2]. Secondary electron energy distribution of the white background of Figs.1a) and b) indeed shows that the whole surface is NEA except a large black dot on the upper center. However, Figs.1a) and 1b) show several features that are qualitatively different from each other. Some of the differences are the followings: the two main dark lines A and B in Fig.1b) are not at all obvious and the white lines B and C in Fig.1b) appear to be dark lines in Fig.1a). A PEEMS analysis of secondary electron energy distribution showed that all of the features A-D have negative electron affinity with marginal differences among them. These differences can be attributed to differences in the details of energy band bending underneath the surface present in SCL [3].
We have investigated the electro-optical characteristics of AC-PDP with different MgO protective layers, which have been deposited by electron beam evaporation from various sintered pellets with different temperatures. We have measured the secondary electron emission coefficient ($\gamma$) by using the Gamma Focused Ion Beam ($\gamma$-FIB) system, the static margin, and the address delay time. Also, we have investigated photoluminescence (PL) characteristics for understanding the energy levels of MgO pellets and protective layers.
In this paper, crosslinked polyethylene (PE) separators for lithium secondary batteries were prepared by an electron beam irradiation under various beam currents and dose rates. The crosslinking degree increased up to maximum 71% with an increasing absorption dose and with a decreasing beam current. The PE separators irradiated at lower beam currents showed better thermal shrinkage (51%) and mechanical properties than the original PE separator and PE separators irradiated at higher beam current. The ionic conductivity ($1.01{\times}10^{-3}\;S/cm$) and electrolyte uptake (275%) of the crosslinked PE separators were comparable to the original PE separator.
In order to explore the characteristics of electrons in DC negative corona discharge, an improved plasma chemical model is presented for the simulation of bar-plate DC corona discharge in dry air. The model is based on plasma hydrodynamics and chemical models in which 12 species are considered. In addition, the photoionization and secondary electron emission effect are also incorporated within the model as well. Based on this model, electron mean energy distribution (EMED), electron density distribution (EDD), generation and dissipation rates of electron at 6 typical time points during a pulse are discussed emphatically. The obtained results show that, the maximum of electron mean energy (EME) appears in field ionization layer which moves towards the anode as time progresses, and its value decreases gradually. Within a pulse process, the electron density (ED) in cathode sheath almost keeps 0, and the maximum of ED appears in the outer layer of the cathode sheath. Among all reactions, R1 and R2 are regarded as the main process of electron proliferation, and R22 plays a dominant role in the dissipation process of electron. The obtained results will provide valuable insights to the physical mechanism of negative corona discharge in air.
The ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ and work function for MgO thin film with $O_2$ plasma treatment has been investigated by ${\gamma}$ -FIB (focused ion beam) system. The MgO thin film deposited from sintered material with $O_2$ plasma treatment is found to have higher ${\gamma}$ and lower work function than those without $O_2$ plasma treatment. The energy of various ions used has been ranged from 100eV to 200eV throughout this experiment. It is found that the highest secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ has been achieved for 10 minutes of $O_2$ plasma treatment under RF power of 50W.
The degradation characteristics of MgO protective layer and phosphors have been investigated in terms of the ion-induced secondary electron emission coefficient ${\gamma}$ and static margin of discharge voltages, respectively, in this experiment. The ion-induced secondary electron emission coefficients ${\gamma}$ for the degraded MgO protective layer and phosphors have been studied by ${\gamma}$ -focused ion beam system. The energy of Ne+ ions used is from 80 eV to 200 eV in this experiment. The degraded MgO and phosphor layers are found to have higher ${\gamma}$ than that of normal ones without degradations or aged one. Also, the static margin of discharge voltages for test panels with degraded MgO protective layer and phosphors been found to be seriously decreased in comparison with those of normal ones without degradations.
We investigated the secondary electron emission characteristics of MgO layer used as the protecting material in a.c. plasma display panel(a.c.-PDPs) using a pulsed ion beam technique, where the surface charging can be effectively suppressed during the measurement. The measurement of the secondary electron emission coefficients ($\gamma$) on the surface of $SiO_2$ was carried out and then, it was found that the yields were dependent on incident ion energies. In addition, it was clearly demonstrated that the sputtering on MgO surface leads to lower yields, which suggests that the surface plays a key role on the operating conditions, such as life time, fast response, and etc.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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