• Title/Summary/Keyword: Scattering efficiency

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Silicon thin films and solar cells by HWCVD (열선 화학 기상 증착법에 의한 실리콘 박막 및 태양전지 특성)

  • Kim Sang-Kyun;Lee Jeong Chul;Jeon Sang Won;Lim Chung Hyun;Ahn Sae Jin;Yun Jae Ho;Kim Seok Ki;Song Jinsoo;Park S-J;Yoon Kyung Hoon
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2005.06a
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    • pp.205-208
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    • 2005
  • 최근 열선 화학 기상 증착법(HWCVD)은 낮은 온도에서 TFT용 Poly Si 중착을 할 수 있다는 점과 실리콘 박막을 빠른 속도로 증착할 수 있다는 점에서 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 HWCVD를 이용하여 태양전지를 제조하고 그 특성을 평가하였다. 조건에 따른 실리콘 박막의 특성 변화를 알기 위해 corning glass 및 실리콘 wafer에 다양한 조건에서 단위 박막(intrinsic layer)을 증착하였고 이 결과를 바탕으로 p/i/n 구조의 태양전지를 제조하였다. Ta 열선 온도는 1700-2000도였고 가스 원료인 $SiH_4$와 수소의 비율을 조절하면서 그 영향을 관찰하였다. 태양전지의 경우 p충과 n충은 PECVD로 증착하였으며 단위박막 및 태양전지 i충 증착시 기판과 열선간의 거리는 7cm, 기판 온도는 $200^{\circ}C$$250^{\circ}C$로 고정하였고 작업압력은 30mTorr였다. 단위 박막 특성 평가를 위해 암/광 전도도, SEM, Raman Scattering, FT-IR등을 사용하였으며 태양전지 특성 평가를 위해 I-V 및 Spectral response를 측정하였다. 열선 온도가 증가함에 따라 증착속도 및 결정화 분율은 증가하였다. 특히 비정질에서 결정질로 전이되는 구간은 매우 좁았으며 여러 분석 방법에서 일치되는 결과를 보였다. $SiH_4$ 유량이 늘어날수록 비정질이 결정질로 바뀌는 열선 온도가 증가하였으며 기판 온도가 낮을 경우 또한 결정으로 바뀌는 열선 온도가 증가하였다. 태양전지의 경우 열선 온도가 증가함에 따라 $V_{oc}$ 및 W가 낮아졌으며 $J_{sc}$, 는 증가하는 경향을 보였으며 결정질 비율이 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 경향은 quantum efficiency 결과에서도 확인할 수 있었다.용을 반복하면서 석재 내부와 외부의 암석 및 결정에 균열과 미세열극 등이 생성되어 석재 자체의 구조적 안정성에 영향을 주고 있다. 따라서 감은사지 석탑은 지리적 환경 차이로 인해 일반적인 환경의 석조물들과는 다른 형태의 풍화양상을 보이고 있어서 풍화양상 및 풍화형태에 대한 정확한 연구와 이해를 바탕으로 보존대책이 마련되어야 한다.되었다. 이런 모든 시편들을 각 탈염방법에 따라 탈염처리한 후 XRD와 SEM-EDS으로 분석한 결과 인철광과 침철광은 어떠한 변화도 보이지 않았고, 다만 적금광으로 동정된 시편만이 잔존하지 않았다. 철기 제작별 $Cl^-$ 이온 추출량과 탈염효과에 대한 비교 실험은 이온 크로마토그래피 분석 결과와 마찬가지로 단조 철제유물이 주조 철제보다 $Cl^-$ 이온을 많이 가지고 있었으며, 탈염 처리 후에는 $Cl^-$ 이온은 전혀 발견되지 않았다. 이상의 결과 $K_2CO_3$와 Sodium 용액은 탈염처리에서 가장 적합한 탈염처리 용액으로 알수가 있었으며 특히 어떠한 탈염 용액으로 유물을 처리한다 해도 철제유물에 생성된 부식물은 제거되지 않는다는 것을 알게 되었다. 따라서 보존처리자는 유물 표면의 부식 상태만을 보고 처리하기 보다는 철기제작물로 고려하여 처리하는 것이 필요하다. 또한 금속에 부식을 야기시키는 $Cl^-$ 이온과 부식물을 완전하게 제거하여 탈염처리를 하는 것이 유물 부식을 최대한 지연시킬 수 있는 것이라 생각된다.TEX>$88\%$)였다.(P=0.063). 결론: 본 연구에서는 MTHFR C/T & T/T 유전자 다형성이 위암의 발생과 그 위치에 대해 관련이 있는 것으로 여겨지고, 흡연력, 음주력과는 관련이 없는 것으로 여겨진다.험이 커지는 경향을 보였으나, 나이 및 병기, 종양의 크기, MD-BED $Gy_{10}$ 등의 예후 인자를 보정한 다변

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Current Status and Prospects of High-Power Fiber Laser Technology (Invited Paper) (고출력 광섬유 레이저 기술의 현황 및 전망)

  • Kwon, Youngchul;Park, Kyoungyoon;Lee, Dongyeul;Chang, Hanbyul;Lee, Seungjong;Vazquez-Zuniga, Luis Alonso;Lee, Yong Soo;Kim, Dong Hwan;Kim, Hyun Tae;Jeong, Yoonchan
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.27 no.1
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    • pp.1-17
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    • 2016
  • Over the past two decades, fiber-based lasers have made remarkable progress, now having reached power levels exceeding kilowatts and drawing a huge amount of attention from academy and industry as a replacement technology for bulk lasers. In this paper we review the significant factors that have led to the progress of fiber lasers, such as gain-fiber regimes based on ytterbium-doped silica, optical pumping schemes through the combination of laser diodes and double-clad fiber geometries, and tandem schemes for minimizing quantum defects. Furthermore, we discuss various power-limitation issues that are expected to incur with respect to the ultimate power scaling of fiber lasers, such as efficiency degradation, thermal hazard, and system-instability growth in fiber lasers, and various relevant methods to alleviate the aforementioned issues. This discussion includes fiber nonlinear effects, fiber damage, and modal-instability issues, which become more significant as the power level is scaled up. In addition, we also review beam-combining techniques, which are currently receiving a lot of attention as an alternative solution to the power-scaling limitation of high-power fiber lasers. In particular, we focus more on the discussion of the schematics of a spectral beam-combining system and their individual requirements. Finally, we discuss prospects for the future development of fiber laser technologies, for them to leap forward from where they are now, and to continue to advance in terms of their power scalability.

The Consideration of Bolus Effects of Games Attached on Lesion area (환부 부착용 거즈의 Bolus Effect에 관할 고찰)

  • Park JuYoung;Ju SangKyu;Park YoungChul;Han YoungYi;Shin EunHyuk;Park YongHwan
    • The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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    • v.16 no.1
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    • pp.51-56
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    • 2004
  • The aim of this study is to evaluate the effect of skin dose and PDD by using wounds protecting gauzes or Vaselinespread gauzes. And it was studied that the possibility to substitute custom bolus into gauzes. 4MV photon (CL600C, varian, US), Polystyrene Phantom (30(W) X30(L) X 30(H)) with Markus chamber(PTW, US) were used for dose measurement. This study was distinguished natural gauzes and spread over Vaseline gauzes. We gave variety to the gauze thickness at 5, 10 and 15 sheets respectively. For comparison between using bolus and not that, we had used 1.0 cm thickness bolus so that analyzed surface dose and PDD at the same conditions above mentioned. When maximum point was defined as reference point, surface dose was measured as $35\%$ in open beam. When the gauzes were attached to surface as 5, 10 and 15 sheets, surface dose were increased as 69, 80 and $91\%$ respectively according to thickness of gauzes. When spread over Vaseline gauzes were attached to surface as 5, 10 and 15 sheets, surface dose were increased respectively as 98, 100 and $98\%$ according to thickness of gauzes. Also when 0.5 cm bolus and 5 sheets gauzes were composed, surface dose was measured as $98\%$. The gauzes that were attached to skin surface in radiation therapy had been scattering material and contributed increasing surface dose without variation of percentage depth dose. However, if we want to delivery much dose to skin surface then we have to apply many sheets of gauzes to skin surface. Although we get easy that result by bolus or spread over Vaseline gauzes, we have to revise percentage depth dose at calculation. Therefore, if we find pertinent conditions based on measured data that are considered skin dose and patient setup efficiency, to replace custom bolus with gauzes will be helpful to efficient treatment.

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