A Study for Stable End Point Detection in 90 nm WSix/poly-Si Stack-down Gate Etching Process (90 nm급 텅스텐 폴리사이드 게이트 식각공정에서 식각종말점의 안정화에 관한 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.18 no.3
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- pp.206-211
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- 2005