In this study, an experiment was performed by adding Sb during NH3-selective catalytic reduction (NH3-SCR) while varying calcination temperatures from 400 to 700 ℃ to improve the low temperature denitrification efficiency of VWTi catalyst. As a result, VWSbTi(500) and VWSbTi(600) catalysts corresponding to Sb calcination temperatures of 500~600 ℃ showed the best denitrification performance at low temperatures below 300 ℃. BET, XRD, Raman, XPS, H2-TPR, and NH3-TPD analyses were performed In order to confirm physicochemical properties according to the calcination temperature. In the case of VWSbTi(500) and VWSbTi(600), an acid site increased with the generation of W=O species, and superb activity at low temperatures was exhibited due to the excellent redox characteristics and increase in electron density of tungsten. Furthermore, in the case of VWSbTi(700), as the crystalline V2O5 structure was formed, the denitrification efficiency decreased. Thus the optimum calcination temperature during Sb addition process was confirmed.
A low-cost and simple recycling process of waste thermoelectric modules has been investigated using chemical reduction methods. The recycling is separated by two processes, such as dissolving and reduction. When the waste thermoelectric chips are immersed into a high concentration of $HNO_3$ aqueous solution at $100^{\circ}C$, oxide powders, e.g., $TeO_2$ and $Sb_2O_3$, are precipitated in the $Bi^{3+}$ and $HTeO{_2}^+$ ions contained solution. By employing a reduction process with the ions contained solutions, $Bi_2Te_3$ nanoparticles are successfully synthesized. Due to high reduction potential of $HTeO{_2}^+$ to Te, Te elements are initially formed and subsequently $Bi_2Te_3$ nanoparticles are formed. The average particle size of $Bi_2Te_3$ was calculated to be 25 nm with homogeneous size distribution. On the other hand, when the precipitated powders reduced by hydrazine, $Sb_2O_3$ and Te nanoparticles are synthesized because of higher reduction potentials of $TeO_2$ to Te. After the washing step, the $Sb_2O_3$ are clearly removed, results in Te nanoparticles.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.8
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pp.617-621
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2010
($K_{0.5}Na_{0.5}$)($Nb_{0.96}Sb_{0.04}$)$O_3$+1.2 mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ ceramics doped with iron oxide ($Fe_2O_3$) were prepared by a conventional mixed oxide method. And then, their piezoelectric and dielectric properties were investigated as a function of $Fe_2O_3$ addition. X-ray diffraction studies reveal that $Fe^{3+}$ diffuses into the NKN lattices to form a solid solution with a pure perovskite structure at room temperature. At the sintering temperature of $1,060^{\circ}C$, when 0.2 mol% $Fe_2O_3$ was doped, the piezoelectric constant ($d_{33}$), electromechanical coupling factor (Kp), and mechanical quality factor ($Q_m$) showed the excellent values of 131.67 pC/N, 0.436, and 696.36, respectively. Results show that $Fe_2O_3$ deped ($K_{0.5}Na_{0.5}$)($Nb_{0.96}Sb_{0.04}$)$O_3$+1.2 mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ lead-free piezoelectric ceramics are a promising lead free material for piezoelectric transformer applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.955-958
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2001
The structure characteristics of varistor of Zn oxide to depend on the breakdown voltage has been investigated to annealing condition by additive material of Sb$_2$O$_3$ system. The breakdown voltage that has not doping Sb$_2$O$_3$ was 235[V]. ZnO varistors was shown ohmic properties when it's applied voltage was below critical voltage. It was shown non-ohmic properties over critical voltage, because current was increased with decreasing resistance. High voltage ZnO varistors had high breakdown voltage, but it had bad electrical stability with various surge. Sb$_2$O$_3$was increased non-linear coefficient in ZnO varistors grain boundary.
Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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2008.11a
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pp.464-467
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2008
성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Pt, Ru, Sn, Sb 및 Gd의 5 종류 금속을 이용하여 1성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 2성분계 전극의 성능과 산화제 생성 경향을 고찰하여 다음의 결과를 얻었다. 1. RhB 농도 감소는 Ru/Ti > Sb/Ti > Pt/Ti > Sn/Ti > Gd/Ti 전극의 순서로 나타났으나 단위 전력당 2분간 제거된 RhB 농도 감소는 Ru/Ti > Sb/Ti > Pt/Ti > Gd/Ti > Sn/Ti 전극의 순서로 나타났다. 생성된 산화제 농도는 ClO$_2$ > free Cl > H$_2$O$_2$ > O$_3$의 순서였으며 Gd/Ti 전극의 경우 산화제가 거의 생성되지 않는 것으로 나타났다. 모든 전극에서 OH 라디칼이 거의 생성되지 않는 것으로 나타났다. Ru/Ti와 Sb/Ti 전극의 높은 RhB 분해와 산화제 생성 농도는 정확하지는 않지만 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 2. Ru계 2성분 전극(Ru-Gd/Ti, Ru-Pt/Ti, Ru-Sn/Ti 및 Ru-Sb/Ti)은 모두 1성분계 전극보다 RhB 분해성능이 높아지는 것으로 나타났으며, Ru계 2성분 전극 중 가장 성능이 우수하였던 전극은 Ru:Sn=9:1 전극으로 나타났다. Sn-Sb/Ti 전극은 Sn:Sb=1:9의 전극 성능이 우수한 것으로 나타났으나 Sb/Ti 전극과의 차이는 크지 않은 것으로 나타났다. Pt계 전극(Pt-Gd/Ti, Pt-Sn/Ti, Pt-Sb/Ti)은 대체로 두 성분 혼합에 따른 RhB 분해효과 상승은 없는 것으로 나타났다. 2성분계 전극 중 RhB 제거 성능이 가장 우수하였던 Ru:Sn=9:1 전극에서 4종류의 산화제 생성 농도가 높은 것으로 나타났다. Ru:Pt=9:1 전극은 RhB 분해 성능이 5 전극 중 가장 낮았으며, 산화제도 생성량이 가장 적은 것으로 나타났다. Ru-Sn/Ti 계 전극의 RhB 분해 성능과 산화제 생성 농도가 실험한 모든 1, 2성분계 전극에서 높은 것으로 나타나 향후 3, 4성분계 전극 제조시 이를 바탕으로 제조하고 다른 물질들은 보조재료로서 사용할 필요성이 있는 것으로 사료되었다.
The phtoelectrochemical porperties of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped and pure $SrTiO_3$ ceramic electodes were investigated. Shapes of I-V and I-λ characteristics of the pure $SrTiO_3$ ceramic electrode are similar to those of SrTiO3 single crystal electorde ; the anodic current strats at -0.9V (vs. Ag/AgCI) in 1 N-NaOH aqueous solution and the photoresponse appears at a wavelength of about 390nm and the quantum efficiency is about 3.5% at wavelength of 390nm under 0.5V vs. Ag/AgCl. Photocurrents of $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ and $V_2O_5$ doped electrodes and $V_2O_5$ doped ceramic electrode appears at wavelength of 390nm and 500nm respectively.
In order to determine the standard composition of ZnO varistor with higher nonlinearity, various contents of $MnO_2$, $Co_2O_3$ were added to ZnO-1.0m/o $Bi_2O_3$ system. Also, samples that contained small amount of Sb, Si-oxides in standard composition determined before were fabricated. As a result, the standard composition of higher nonlinearity-oriented ZnO varistor was shown as ZnO-1.0 m/o $Bi_2O_3$-1.0m/o $MnO_2$-1.0m/o $Co_2O_3$ and $Sb_2O_3$ largely enhanced nonlinear exponent and nonlinear resistance, hut SiO largely enhanced nonlinear exponent only.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.11
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pp.867-872
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2012
In this study, in order to develop excellent lead free piezoelectric ceramics for piezoelectric actuators application, $Li_{0.04}(Na_{0.50}K_{0.50})_{0.96}[(Nb_{0.86}Ta_{0.10}Sb_{0.04})_{0.994}Co_{0.015}]O_3+0.0025SrO+0.15\;wt%K_2CO_3+x\;wt%Nb_2O_5$ (x = 0 - 0.5 wt%) (abbreviated as LNKNTSCS-xN) ceramics were fabricated by a conventional sintering technique. the phase structure, microstructure and electrical properties were investigated with a emphasis on the influence of the $Nb_2O_5$ content. High electrical properties of $d_{33}$=234 pC/N, kp=0.392, ${\varepsilon}_r$=1,395, ${\rho}=4.70g/cm^3$ were obtained from the specimen with x=0.4 wt%, which suggests that the composition ceramics is a promising lead-free piezoelectric material.
In this study, we chose the basic composition which indicated the best electrical properties by change of x content(0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25 mol respectively) in xPb(Mn1/3Sb2/3)O3-(1-x)Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramics. And we substituted Cd2+ for Pb2+ site, then observed the sintering behavior, microstructure and electrical propertties according to the various sintering temperature. The basic composition was the 0.05PMS-0.95PZt, and it showed single perovskite phase and excellent properties. In case of Cd2+ substitution, we were able to sinter at 90$0^{\circ}C$ which was lower than conventional sintering temperature(1200~130$0^{\circ}C$). Especially, when the 2mol% substituted PMS-PZT specimens were sintered at 90$0^{\circ}C$ for 2h, we obtained the p=7.6g/㎤, kp=56%, Qm=520 and made sure of a position of Cd2+ substitution by observing lattice parameter, phase transition temperature. From this results, we could infer that because Cd2+ substituted fro A-site, low temperature sintering of Cd2+ substituted PMS-PZT without any loss of electrical properties shows its applicability for the piezoelectric ceramic transformer.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.28
no.11
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pp.690-693
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2015
In this paper, in order to develop excellent Pb-free composition ceramics for ultrasonic sensor. The $SnO_2$-doped ($Na_{0.525}K_{0.443}Li_{0.037})(Nb_{0.883}Sb_{0.08}Ta_{0.037})O_3$)(abbreviated as NKL-NST) ceramics have been synthesized using the ordinary solid state reaction method. The effect of $SnO_2$-doping on their dielectric and piezoelectric properties was investigated. The ceramics doped with 0 wt% $SnO_2$ have the optimum values of piezoelectric constant($d_{33}$), piezoelectric figure of merit($d_{33}.g_{33}$), planar piezoelectric coupling coefficient($k_p$) and density : $d_{33}=195[pC/N]$, $d_{33}.g_{33}=5.62pm^2/N.kp=0.40$, $density=4.436[g/cm^3]$. suitable for duplex ultrasonic sensor application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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