• 제목/요약/키워드: Sb-Te

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팔라듐-안티몬-테루르 계(系)의 상평형(相平衡)과 지질학적(地質學的) 의의(意義) (Phase Equilibria of the System Pd-Sb-Te and Its Geological Implications)

  • 김원사
    • 자원환경지질
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    • 제26권3호
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    • pp.327-335
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    • 1993
  • 자연에는 팔라듐을 주성분으로 하는 백금족광물이 다수 산출되고 있다. 그 중 일부 광물은 독립된 광물로서 결정학적 광물학적 연구가 잘 되어 있는 반면 아직도 광물로서의 특성이 완전하게 규명되지 못한 경우도 상당수가 있다. 따라서 이 연구에서는 팔라듐-안타몬-테루르 성분계를 택해 이 3성분계에서의 상관계를 $1000^{\circ}C$, $800^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 연구하고 이들 연구결과를 천연광물을 보다 체계적으로 규명 보완하는데 적용시키는 것을 그 연구 목적을 두었다. 합성실험을 위해 순수한 원소물질을 정량적으로 혼합시킨 후 실리카 튜브에 넣고 진공상태에서 밀봉하였다. 전기 고온로에서 가열반응시킨 시료는 얼음물을 이용해 급냉시켰으며 반응물은 반사현미경, 전자현미분석, X선 회절법 등으로 분석하였다. $1000^{\circ}C$에서 안정한 고체로는 Pd, $Pd_{20}Sb_7$, $Pd_8Sb_3$, $Pd_{31}Sb_{12}$, $Pd_5Sb_2$가 있다. $800^{\circ}C$에서는 $Pd_5Sb_3$, PdSb, $Pd_8Te_3$, $Pd_7Te_3$, $Pd_{20}Tc_7-PdSb_7$ 완전고용체가 추가로 존재한다. $600^{\circ}C$에서는 $PdSb_2$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Sb_2Te_3$, Sb, 그 밖에 PdSb-PdTe와 PdTe-$PdTe_2$ 고용체가 다시 안정한 고체 화합물로 추가된다. 모든 고체 화합물이 Sb와 Te간의 원소치환에 의해 고용체를 이루고 있으며 그 고용한계의 범위는 생성온도에 따라 변한다. Pd-Sb화합물에서 안티몬(Sb)를 치환하는 테루르(Te) 최대 치환범위(at.%)는 $Pd_8Sb_3$에서 44.3, $Pd_{31}Sb_{12}$에서 52.0, $Pd_5Sb_2$에서 46.2이며 그 최대 치환현상은 $800^{\circ}C$에서 일어난다. $Pd_5Sb_3$$PdSb_2$에서의 최대 치환은 $600^{\circ}C$에서 일어나며 그 정도는 각각 15.3, 68.3이다. Pd-Te화합물에서 Te를 치환하는 Sb의 최대치(at.%)는 $Pd_8Te_3$$800^{\circ}C$에서 34.5, $Pd_7Te_3$, $Pd_{17}Te_4$, $Pd_9Te_4$, $PdTe_2$$600^{\circ}C$에서 각각 41.6, 5.2, 19.1로 나타난다. $Pd_9Te_4$, PdTe, $PdTe_2$, $Pd_8Sb_3$, PdSb, $Sb_2Te_3$는 각각 tellurantimony와 일치하며 광학적 결정구조적 성질이 매우 잘 일치한다. 지금까지 등축정계의 Pa3구조를 가지고 있는 것으로 알려진 $PdSb_2$화합물은 Gandolfi camera와 Guinier camera법에 의해 310으로 격자 지수화할 수 있는 $2.035{\AA}$ peak가 일정하게 기록이 되므로 $P2_13$공간군에 속하는 것으로 재평가 된다. Testibiopal1adite의 성분을 가지는 PdSbTe성분의 화합물을 합성하여 X선 회절분석을 실시하면 testibiopalladite의 X선 회절양상과 일치함을 알 수 있다. 이 사실은 testibiopalladite가 등축정계이며 동시에 $P2_13$공간군에 속하는 $PdSb_2-Pd(Sb_{0.32}Te_{0.68})$고용체의 일부분에 속하는 광물임을 알 수 있게 한다. 따라서 현재의 testibiopalladite의 이상화학식인 PdSbTe는 PdTe(Sb, Te)로 바뀌어져야 할 것으로 믿어진다. $Pd_3SbTe_4$로 표현되는 borovskite는 $1000^{\circ}{\sim}600^{\circ}C$의 온도범위에서는 존재하지 않음을 알 수 있다.

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Ge-Sb-Te 삼성 분계에서의 열처리 온도에 따른 구성 원소의 상호확산 특성

  • 방기수;이승윤
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.218.1-218.1
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    • 2013
  • GeSbTe 삼원계 칼코겐화물 합금은 광디스크 및 상변화 메모리에서 활성물질로 사용되는 대표적인 재료이다. GeSbTe 합금은 결정질 상과 비정질 상의 두 종류의 상을 갖는데 그 상에 따라 반사율 및 전기저항이 서로 다르기 때문에 활성물질로서 작용한다. GeSbTe 합금 구성원소의 일부를 포함하는 두 종류의 물질로 접합을 형성하고 열처리 공정을 수행함으로써 GeSbTe 합금을 국부적으로 생성하는 방법이 최근에 보고되었다. 이러한 방법을 상변화 메모리 소자 제조에 이용하면 GeSbTe 합금을 제한된 영역에 나노 스케일로 만드는 것이 가능해져서 GeSbTe 합금의 상변화를 유도하는데 필요한 프로그래밍 전류를 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 상변화 메모리 소자 내에서의 GeSbTe 합금의 두께 또는 크기는 상변화 메모리 소자의 동작 특성을 좌우하는 중요한 파라미터이며 이것은 열처리 공정 조건에 따라 결정되므로 열처리 공정 조건에 따라 GeSbTe 합금이 생성되는 양상이 어떻게 변화하는지를 밝힐 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 열처리 온도 조건에서 Ge-Sb-Te 삼성 분계에서의 구성 원소들의 상호확산 거동을 조사하였다. 순수한 Ge 박막과 조성이 다른 SbTe 박막의 접합을 형성하고 773K까지의 온도 범위에서 열처리를 실시하였다. Auger 수직 분석을 이용하여 Ge, Sb, 및 Te 원소의 깊이 방향의 확산 정도를 조사하였으며 그 결과로서 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산 정도가 심해지고 Te 원소가 상호확산에 있어서 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다.

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마그네트론 스퍼터링법으로 제조한 P형 $(Bi_{1-X}Sb_X)_2Te_3$ 박막의 결정성과 열전특성 (Crystallization behavior and thermoelectric properties of p-type $(Bi_{1-X}Sb_X)_2Te_3$ thin films prepared by magnerron sputtering)

  • 연대중;오태성
    • 한국진공학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.353-359
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    • 2000
  • 마그네트론 스퍼터링법으로 p형 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$과 ($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$ 열전박막을 제조하여 스퍼터 증착 조건 및 $Sb_2Te_3$ 함량에 따른 열전특성을 분석하였다. Corning glass 기판을 10rpm으로 회전시키며 DC 스퍼터링법으로 $300^{\circ}C$에서 증착한($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막은 $(Bi, Sb)_2Te_3$ 단일상으로 결정화가 완료되고 c축 우선배향성을 나타내었으며, 다른 조건으로 증착한 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막보다 높은 185 $\mu$V/K의 Seebeck 계수를 나타내었다. p형(Bi$_{1-x}$ Sb$_{x}$)$_2$Te$_3$ (0.77$\leq$x$\leq$ 1.0) 박막에서는 Sb$_2$Te$_3$ 함량이 증가함에 따라 Seebeck 계수와 전기비저항이 감소하였으며($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$조성에서 $0.79\times10^{-3}W/K^2$-m의 최대 출력인자를 나타내었다.

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Bi-Te 및 Bi-Sb-Te 나노와이어로 구성된 열전소자의 형성공정 (Fabrication Process of the Thermoelectric Module Composed of the Bi-Te and the Bi-Sb-Te Nanowires)

  • 김민영;임수겸;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.41-49
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    • 2008
  • n형 Bi-Te 박막과 p형 Bi-Sb-Te 박막을 전기도금법으로 형성하여 열전특성을 측정하였으며, Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어의 전기도금 성장거동을 분석하였다. 알루미나 템프레이트의 200nm 직경의 나노기공 내에 전기도금으로 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 형성시 각기 81%와 77%의 filling 비를 나타내었다. 알루미나 템프레이트에 Bi-Te 나노와이어와 Bi-Sb-Te 나노와이어를 순차적으로 전기도금하여 열전소자를 구성하였으며, Bi-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극과 Bi-Sb-Te 나노와이어 부위의 Ni 전극 사이에서 $15{\Omega}$의 저항이 측정되었다.

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광화마그마내에서의 백금, 안티모니, 테루리움 거동에 관한 연구(I) (Behavior of Pt, Sb, Te during Crystallizaion of Ore Magma (I))

  • 김원사
    • 한국광물학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.93-101
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    • 1996
  • Behavior of platinum group elements during crystallization within ore magma is of interest. In this study platinum is selected and its mineralogical and geochemical behavior in the presence of antimony and tellurium is investigated at 600$^{\circ}C$. High purity Pt, Sb, and Te are used as starting material and silica quartz tubings are as container. Rection products have been examined by use of ore microscope, X-ray diffractometer, electron microprobe analyser and micro-indentation hardness tester. stable phases at 600$^{\circ}C$ are platinum (Pt), Pt5Sb, Pt3Sb, PtSb, stumpflite (PtSb), geversite (PtSb), PtTe, Pt3Te4, Pt2Te3, moncheite (PtTe2), tellurantimony (Sb2Te3), and antimony (Sb). Geversite is the mineral showing the most significant extent of solid solution by up to 27 at% between Sb and Te elements. Isothermal section of 600$^{\circ}C$ is established in this study. It is noted that platinum cannot coexists with stumpflite or geversite under equilibrium condition, and stumpflite composition in equilibrium with geversite may be used as geothermometer.

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n형 Bi-Te 나노와이어와 p형 Sb-Te 나노와이어로 구성된 미세열전소자의 형성공정 및 열전발전특성 (Fabrication Process and Power Generation Characteristics of the Micro Thermoelectric Devices Composed of n-type Bi-Te and p-type Sb-Te Nanowires)

  • 김민영;박경원;오태성
    • 대한금속재료학회지
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    • 제47권4호
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    • pp.248-255
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    • 2009
  • A micro thermoelectric device was processed by electroplating the n-type Bi-Te nanowires and ptype Sb-Te nanowires into an alumina template with 200 nm pores. Power generation characteristics of the micro devices composed of the Bi-Te nanowires, the Sb-Te nanowires, and both the Bi-Te and the Sb-Te nanowires were analyzed with applying a temperature difference of $40^{\circ}C$ across the devices along the thickness direction. The n-type Bi-Te and the p-type Sb-Te nanowire devices exhibited thermoelectric power outputs of $3.8{\times}10^{-10}W$ and $4.8{\times}10^{-10}W$, respectively. The output power of the device composed of both the Bi-Te and the Sb-Te nanowires decreased to $1.4{\times}10^{-10}W$ due to a large electrical resistance of the Cu electrode connecting the Bi-Te nanowire array with the Sb-Te nanowire array.

상변화 메모리 응용을 위한 MOCVD 방법을 통한 Ge-Sb-Te 계 박막의 증착 및 구조적인 특성분석 (Fabrication and Structural Properties of Ge-Sb-Te Thin Film by MOCVD for PRAM Application)

  • 김난영;김호기;윤순길
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권5호
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    • pp.411-414
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    • 2008
  • The germanium films were deposited by metal organic chemical vapor deposition using $Ge(allyl)_4$ precursors on TiAlN substrates. Deposition of germanium films was only possible with a presence of $Sb(iPr)_3$, which means that $Sb(iPr)_3$ takes a catalytic role by a thermal decomposition of $Sb(iPr)_3$ for Ge film deposition. Also, as Sb bubbler temperature increases, deposition rate of the Ge films increases at a substrate temperature of $370^{\circ}C$. The GeTe thin films were fabricated by MOCVD with $Te(tBu)_2$ on Ge thin film. The GeTe films were grown by the tellurium deposition at $230-250^{\circ}C$ on Ge films deposited on TiAlN electrode in the presence of Sb at $370^{\circ}C$. The GeTe film growth on Ge films depends on the both the tellurium deposition temperature and deposition time. Also, using $Sb(iPr)_3$ precursor, GeSbTe films with hexagonal structures were fabricated on GeTe thin films. GeSbTe films were deposited in trench structure with 200 nm*120 nm small size.

ReRAM응용을 위한 Ge2Sb2Te5와 Ge8Sb2Te11 기반 MIM구조 박막의 전기적 특성 연구 (A Study on the Electrical Properties of MIM Structures Based on Ge2Sb2Te5 and Ge8Sb2Te11 Thin Films for ReRAM)

  • 장휘종;공헌;여종빈;이현용
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제30권3호
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    • pp.144-147
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    • 2017
  • In this study, $Ge_2Sb_2Te_5$ and $Ge_8Sb_2Te_{11}$ were used as an insulator layer to fabricate ReRAM devices. The resistance change is correlated to the appearance or disappearance of a conductivity filament at the surface of the GeSbTe layer. Changes in the electrical properties of ITO/GeSbTe/Ag devices were measured using a I-V-L measurement system. As a result, compared to the $ITO/Ge_8Sb_2Te_{11}/Ag$ device, this $ITO/Ge_2Sb_2Te_5/Ag$ ReRAM device exhibits highly uniform bipolar resistive switching characteristics, such as the operating voltages, and the resistance values.

A Simple and Quick Chemical Synthesis of Nanostructured Bi2Te3, Sb2Te3, and BixSb2-xTe3

  • Kim, Hee-Jin;Lee, Ki-Jung;Kim, Sung-Jin;Han, Mi-Kyung
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제31권5호
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    • pp.1123-1127
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    • 2010
  • We report a simple and quick route for the preparation of high-quality, nearly monodisperse $Bi_2Te_3$, $Sb_2Te_3$, and $Bi_xSb_{2-x}-Te_3$ nanocrystallites. The reactions of bismuth acetate or antimony acetate with Te in oleic acid result in pure phase of $Bi_2Te_3$ or $Sb_2Te_3$ nanoparticles, respectively. Also, ternary $Bi_xSb_{2-x}Te_3$ nanoparticles were successfully synthesized using the same method. The size and morphology of the nanoparticles were controlled by varying the stabilizing agents. The as-prepared nanoparticles are characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscope, and high-resolution transmission electron microscope using an energy dispersive spectroscopy.

ZnTe-InSb Heterojunction의 전기적 특성 (Electrical Properties of ZnTe-lnSb Heterojunctions)

  • 김화택
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제12권4호
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    • pp.35-40
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    • 1975
  • ZnTe-lnSb Heterojunction을 계면합금법으로 제작했다. Insb의 In이 ZnTe결정에 확산되어 계면에 고저항 ZnTe충을 성장시켜 P-i-n구조를 갖고 있으며 전류수송기구는 p형 ZnTe 가전자대로부터 고저항 ZnTe충에 주입된 Hole의 SCLC기구에 의존된다. 순방향과 역방향 전압을 인가할때 실온에서 오런지색 전 장발장이 관측되었다. The Zn7e-lnSb heterojunctions was prepared by interface alloying technique. The structure of this beterojunction had p-i-n which semi-insulating ZnTe laver at interface of this heterojunction was formed by diffusing In of InSb into ZnTe crystal. The current transport mechanism of this heterojunction was Spacecharge-Limited-Current(SCLC) mechanism by hole at semi-insulating ZnTe layer. The hole wart injected from valence band of p- type SnTe crystal. Orange color electroluminescence was observed at this heterojunction when forward and reversed bias voltage applied.

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