The objective of this study was to measure backscattering coefficients of paddy rice using a L-, C-, and X-band scatterometer system with full polarization and various angles during the rice growth period and to relate backscattering coefficients to rice growth parameters. Radar backscattering measurements of paddy rice field using multifrequency (L, C, and X) and full polarization were conducted at an experimental field located in National Academy of Agricultural Science (NAAS), Suwon, Korea. The scatterometer system consists of dual-polarimetric square horn antennas, HP8720D vector network analyzer ($20\;MHz{\sim}20\;GHz$), RF cables, and a personal computer that controls frequency, polarization and data storage. The backscattering coefficients were calculated by applying radar equation for the measured at incidence angles between $20^{\circ}$ and $60^{\circ}$ with $5^{\circ}$ interval for four polarization (HH, VV, HV, VH), respectively. We measured the temporal variations of backscattering coefficients of the rice crop at L-, C-, X-band during a rice growth period. In three bands, VV-polarized backscattering coefficients were higher than hh-polarized backscattering coefficients during rooting stage (mid-June) and HH-polarized backscattering coefficients were higher than VV-, HV/VH-polarized backscattering coefficients after panicle initiation stage (mid-July). Cross polarized backscattering coefficients in X-band increased towards the heading stage (mid-Aug) and thereafter saturated, again increased near the harvesting season. Backscattering coefficients of range at X-band were lower than that of L-, C-band. HH-, VV-polarized ${\sigma}^{\circ}$ steadily increased toward panicle initiation stage and thereafter decreased, and again increased near the harvesting season. We plotted the relationship between backscattering coefficients with L-, C-, X-band and rice growth parameters. Biomass was correlated with L-band hh-polarization at a large incident angle. LAI (Leaf Area Index) was highly correlated with C-band HH- and cross-polarizations. Grain weight was correlated with backscattering coefficients of X-band VV-polarization at a large incidence angle. X-band was sensitive to grain maturity during the post heading stage.
Undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$, donor-doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ and acceptor-doped SrB $i_2$(Ta$_{0.99}$Ti$_{0.01}$)$_2$O$_{8.99$ ceramics were prepared and their microstructure, ferroelectric P-E hysteresis and Curie temperature were investigated. Grain size did not influence P-E hysteresis curve in undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$ ceramics. Donor-Doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ ceramics showed more saturated P-E hysteresis curve with larger remanent polarization (P$_{r}$) than undoped SrB $i_2$T $a_2$O$_{9}$ ceramics while acceptor-doped SrB $i_2$(Ta$_{0.99}$Ti$_{0.01}$)$_2$O$_{8.99}$ ceramics led to a pinched P-E hysteresis loop. Larger polarization in donor-doped Sr$_{0.99}$B $i_2$(Ta$_{0.99}$W$_{0.01}$)$_2$O$_{9}$ ceramics resulted from easier domain wall motion by Sr-vacancies.
The purpose of this study was to observe characteristic properties through the polarization curves and EMPA images from 4 different types of amalgam obtained by using the potentiostats (EG & G PARC) & EPMA (Jeol JSM-35), to investigate the degree of corrosion of each phase of amalgam on the oxidation peak, and to identify corrosion products from the corroded amalgam by use of X-ray diffractometer(Rigaku). After each amlgam alloy and Hg were triturated as the direction of the manufacturer by means of the mechanical amalgamator(Shofu), the triturated mass was inserted into the cylindrical metal mold which was 12mm in diameter and 10mm in height and was condensed by means of routine manner. The specimen was removed from the mold and stored at room temperature for about 7 days. The standard surface preparation was routinely carried out. Anodic polarization measurement was employed to compare the corrosion behaviours of the amalgams in 0.9% saline solution(pH6.8~7.0) and artificial saliva (pH6.8~7.0) at $37^{\circ}C$. The open circuit potential was determined after 30 minutes' immersion of specimen in electrolyte and the potential scan was begun at the potential of 100mV cathodic from the corrosion potential. The scan rate was 1mV/sec and the surface area of amalgam exposed to the solution was 0.64$cm^2$ for each specimen. All the potentials reported are with respect to a saturated calomel electrode (SCE). EPMA images on the determined oxidation peaks of each amalgam in artificial saliva were observed. X-ray diffraction patterns of each sample were recorded before and after polarization in artificial saliva (Aristaloy, Caulk Spherical, Dispersalloy and Tytin: at +770mV, +585mV, +8.10m V and +680m V respectively) by use of a recording diffractometer. Nickel filtered Cu $K_{{\alpha}_1}$ radiation was used and sample was scanned at $4^{\circ}(2{\theta})/min.$ from $25^{\circ}$ to $80^{\circ}$. The following results were obtained. 1. Oxidation peak potential in artificial saliva shifted to more anodic direction than that in saline solution. 2. The corrosion potential of high copper amalgam was more anodic than the potential of low copper amalgam. 3. The current density was lower in artificial saliva than in saline solution. 4. One of the corrosion products, AgCl was identified by X-ray diffraction analysis. 5. ${\gamma}_2$ phase was the most susceptible to corrosion and e phase was stable in low copper amalgam and ${\eta}$' phase and Ag-Cu eutectic were susceptible to corrosion in high copper amalgam.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2008.06a
/
pp.236-236
/
2008
(Bi,La)$Ti_3O_{12}$(BLT) thin film is one of the most attractive materials for ferroelectric random access memory (FRAM) applications due to its some excellent properties such as high fatigue endurance, low processing temperature, and large remanent polarization [1-2]. The authors firstly investigated and reported the damascene process of chemical mechanical polishing (CMP) for BLT thin film capacitor on behalf of plasma etching process for fabrication of FRAM [3]. CMP process could prepare the BLT capacitors with the superior process efficiency to the plasma etching process without the well-known problems such as plasma damages and sloped sidewall, which was enough to apply to the fabrication of FRAM [2]. BLT-CMP characteristics showed the typical oxide-CMP characteristics which were related in both pressure and velocity according to Preston's equation and Hernandez's power law [2-4]. Good surface roughness was also obtained for the densification of multilevel memory structure by CMP process [3]. The well prepared BLT capacitors fabricated by CMP process should have the sufficient ferroelectric properties for FRAM; therefore, in this study the electrical properties of the BLT capacitor fabricated by CMP process were analyzed with the process parameters. Especially, the effects of CMP pressure, which had mainly affected the removal rate of BLT thin films [2], on the electrical properties were investigated. In order to check the influences of the pressure in eMP process on the ferroelectric properties of BLT thin films, the electrical test of the BLT capacitors was performed. The polarization-voltage (P-V) characteristics show a decreased the remanent polarization (Pr) value when CMP process was performed with the high pressure. The shape of the hysteresis loop is close to typical loop of BLT thin films in case of the specimen after CMP process with the pressures of 4.9 kPa; however, the shape of the hysteresis loop is not saturated due to high leakage current caused by structural and/or chemical damages in case of the specimen after CMP process with the pressures of 29.4 kPa. The leakage current density obtained with positive bias is one order lower than that with negative bias in case of 29.4 kPa, which was one or two order higher than in case of 4.9 kPa. The high pressure condition was not suitable for the damascene process of BLT thin films due to the defects in electrical properties although the better efficiency of process. by higher removal rate of BLT thin films was obtained with the high pressure of 29.4 kPa in the previous study [2].
Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
/
v.24
no.3
/
pp.87-95
/
2020
As an experimental study on the corrosion behavior of steel materials to which ATMS method using EIS was applied in concrete, immersion of Ca(OH)2 saturated aqueous solution and NaCl aqueous solution simulating the environment inside concrete The corrosion behavior was tested. The equivalent circuit was derived through the analysis of the Nyquist plot, and the interfacial resistance and the polarization resistance of the Ca(OH)2 aqueous solution were compared, and Al ATMS was the best interfacial resistance and Zn ATMS was the best polarization resistance. After burying ATMS steel material of cement mortar, the initial immersion impedance measurement value was the highest in the Zn ATMS test body in the impedance measurement by the immersion time by immersing it in the NaCl aqueous solution. Al ATMS test piece has the highest impedance and is highly reliable. This is because Al, which has a high ionization tendency, is continuously oxidized in a strong alkaline environment to form a film and protect the steel from permeation of chlorine ions.
In this study, surface characteristics and corrosion behaviors have been investigated in addition to Zr elements on the low elastic modulus Ti-30Ta alloy. Low elastic modulus Ti-30Ta-xZr(x : 3, 7 and 15 wt %) alloys were prepared by arc melting and then heat treated at $1000^{\circ}C$ for 24 hrs in an argon atmosphere. Microstructures of the alloys were examined by field emission scanning electron microscope(FE-SEM) and X-ray diffractometer(XRD). Electrochemical experiments were performed using a conventional three-electrode configuration with a sample working electrode, a high density carbon counter electrode and a saturated calomel reference electrode. According to the result of polarization behavior in the Ti-30Ta-xZr alloys, the current density of homogenized Ti-30Ta-15Zr in the passive region was lower than the other alloys.
Kim, Jung-Gu;Park, Zin-Taek;Yoo, Ji-Hong;Hwang, Woon-Suk
Corrosion Science and Technology
/
v.3
no.3
/
pp.118-126
/
2004
The correlation between sensor output and corrosion rate of reinforcing steel was evaluated by laboratory electrochemical tests in saturated $Ca(OH)_2$ with 3.5 wt.% NaCl and confirmed in concrete environment. In this paper, two types of electrochemical probes were developed: galvanic cells containing of steel/copper and steel/stainless steel couples. Potentiodynamic test, weight loss measurement, monitoring of open-circuit potential, linear polarization resistance (LPR) measurement and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) were used to evaluate the corrosion behavior of steel bar embedded in concrete. Also, galvanic current measurements were conducted to obtain the charge of sensor embedded in concrete. In this study, steel/copper and steel/stainless steel sensors showed a good correlation in simulated concrete solution between sensor output and corrosion rate of steel bar. However, there was no linear relationship between steel/stainless steel sensor output and corrosion rate of steel bar in concrete environment due to the low galvanic current output. Thus, steel/copper sensor is a reliable corrosion monitoring sensor system which can detect corrosion rate of reinforcing steel in concrete structures.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.2
no.3
/
pp.205-212
/
2002
The growth characteristics of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) $Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3 (PZT) thin films were investigated for the application of high-density ferroelectric random access memories (FRAM) devices beyond 64Mbit density. The supply control of Pb precursor plays the most critical role in order to achieve a reliable process for PZT thin film deposition. We have monitored the changes in the microstructure and electrical properties of films on increasing the Pb precursor supply into the reaction chamber. Under optimized conditions, $Ir/IrO_2/PZT(100nm)/Ir capacitor shows well-saturated hysteresis loops with a remanent polarization (Pr) of $~28{\mu}C/textrm{cm}^2$ and coercive voltage of 0.8V at 2.5V. Other issues such as step coverage, compositional uniformity and low temperature deposition was discussed in viewpoint of actual device application.
In this paper the dielectric properties of (0.8-x)Pb(Mb$_{1}$3//Nb/2/3)O$_3$/BaTiO$_3$-CaZrO$_3$(x=0.1, 0.15, 0.2, 0.25) ceramics were investigated. Specimens were prepared by the conventional mixed oxide method and sintering temperature and time were 1000~115$0^{\circ}C$ 2hr, respectively. The structural and dielectric properties with variation of sintering temperature and composition were investigated. All the specimens sintered at 115$0^{\circ}C$ for 2hr showed the highest value of 1043. With increasing the contents of CZ and frequency dielectric constant was decreased and which was decreased with increasing temperature from 3$0^{\circ}C$ to 15$0^{\circ}C$.
Pt/SBT/Pt capacitors were fabricated using the MOD-derived $SrBi_{2x}Ta_2O_9$ (SBT) films and their ferroelectic and leakage current characteristics were investigated with post annealing at 400~$800^{\circ}C$. Although the MOD-derived SBT film exhibited the hysteresis loop typical for the leaky film, the well-saturated ferroelectric hysteresis loop could be obtained by post annealing the Pt/SBT/Pt capacitors at $550^{\circ}C$~$800^{\circ}C$. The remanent polarization $2P_r$ of the SBT film exhibited a maximum value of 9.72$\mu\textrm{cm}^2$ with post annealing at $600^{\circ}C$, and then decreased with increasing the post annealing temperature above $600^{\circ}C$. The MOD-derived SBT films exhibited the high leakage current density of ~$10^{-3} \textrm{A/cm}^2$ at 75kV/cm. With post annealing the Pt/SBT/Pt capacitor at 600~$800^{\circ}C$, however, the leakage current density decreased remarkably to less than $10^{-6}\textrm{A/cm}^2$ at 75kV/cm.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.