• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제46권12호
• /
• pp.24-29
• /
• 2009

$0.18{\mu}m$ deep n-well 벌크 NMOSFET에서 측정된 차단주파수 $f_T$의 고온종속성을 모델화하기 위해, 측정된 S-파라미터를 사용한 정확한 RF 방법으로 $30^{\circ}C$에서 $250^{\circ}C$까지 전자속도 고온 데이터가 추출되었다. 이러한 추출데이터를 사용하여 개선된 온도종속 전자속도 방정식이 높은 온도의 범위에서 생기는 기존 방정식의 모델링 오차를 없애기 위해 개발되었으며 BSIM3v3 SPICE RF 모델에 구현되었다. 개선된 온도 종속 방정식은 기존 모델보다 $30^{\circ}C$에서 $250^{\circ}C$까지 측정된 $f_T$와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 방정식의 정확성을 입증한다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제52권4호
• /
• pp.49-55
• /
• 2015

기존의 BSIM4 모델과 다이오드를 사용한 BSIM4 Macro 모델의 바이어스 종속 게이트-드레인 오버렙 캐패시턴스 $C_{gdo}$ 시뮬레이션의 부정확성에 대하여 자세히 분석하였다. 이러한 Macro 모델은 기존의 BSIM4 모델보다 더 정확하지만 선형영역에서 사용될 수 없음을 발견하였다. 기존 모델들의 부정확성을 제거하기 위해서 물리적인 바이어스 종속 $C_{gdo}$ 모델 방정식을 사용한 새로운 BSIM4 Macro 모델을 제안하였고 전체 바이어스 영역에서 유효함을 입증하였다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
• /
• 제9권3호
• /
• pp.1-6
• /
• 2004

객체 모델링 기법의 그래픽 표현을 이용하여 자료의 추상화, 캡슐화, 모듈화, 계층화 할 수 있는 새로운 그래픽 정보시스템 개발 기술이 절실히 필요하다. 그래픽 자료의 추상화 방법을 개선하기 위하여 복합객체 기술로 자료의 추상화와 계층화 개념을 기반으로 모델링하였으며, 메쉬, 레이어, 세그먼트, 인스턴스 등과 같은 여러 가지 도형요소의 클래스들을 지원하는 분류화와 다중상속 관계모델을 제안한다. 객체 모델링 기법과 스파이스 참조 모델을 이용하여 간단한 그래픽 정보시스템 개발사례를 통하여 소프트웨어 개발주기와 소프트웨어 유지보수 비용을 줄일 수 있는 요구사항을 지원하는 객체 표현 방법의 데이터 모델링 기법을 비교하고 평가한다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제37권2호
• /
• pp.38-45
• /
• 2000

광연결 시스템의 SPICE 모델링과 이를 이용한 시스템 성능 분석에 관한 연구를 수행하였다. 먼저, 광소자의 등가회로 모델을 구현하고, 송·수신단의 회로를 설계하여 안정적인 SPICE 시뮬레이션 결과를 얻었다. SPICE 시뮬레이션 결과로 eye 다이어그램을 얻을 수 있고, 이를 토대로 BER을 계산할 수 있었다. 바이어스 조건에 따라서 turn-on 지연으로 인한 jitter 현상을 볼 수 있고, 전송율, BER, 송신단의 전력 소모, 바이어스 조건의 상호 관계를 통해 시스템의 최적화를 이룰 수 있다. 광연결 시스템의 SPICE를 이용한 최적화 방법은 Gigabit Ethernet, ATM등의 응용 분야에서 LD 구동회로와 수신단의 회로 설계에 유용하게 쓰일 것으로 기대된다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제49권12호
• /
• pp.194-200
• /
• 2012

본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.61-66
• /
• 2020

Threshold voltage shift occurring during operation is implemented in a SPICE simulation tool. Among the shift models the stretched-exponential function model, which is frequently observed from both single-crystal silicon and thin-film transistors regardless of the nature of causes, is selected, adapted to transient simulation, and added to BSIM4 developed by BSIM Research Group at the University of California, Berkeley. The adaptation method used in this research is to select degradation and recovery models based on the comparison between the gate and threshold voltages. The threshold voltage shift is extracted from SPICE transient simulation and shows the stretched-exponential time dependence for both degradation and recovery situations. The implementation method developed in this research is not limited to the stretched-exponential function model and BSIM model. The proposed method enables to perform transient simulation with threshold voltage shift in situ and will help to verify the reliability of a circuit.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제24권5호
• /
• pp.794-803
• /
• 1987

In this paper, the SPICE 2.G6 JFET subroutine and other related subroutines are modified for circuit simulation of GaAs MESFET IC's. The hyperbolic tangent model is used for the drain current-voltage characteristics of GaAs MESFET's and derived channel-conductance and drain-conductance model from the above current model are implemented into small-signal model of GaAs MESFET's. And, device capacitance model which consider after-pinch-off state are modified, and device charge model for SPICE 2G.6 are proposed. The result of modification is shown to be suitable for GaAs circuit simulator, showing good agreement with experimetal results. Forthermore the DC convergence of this paper is better than that of SPICE 2.G JFET subroutine. GaAs MESFET model in this paper is applied for both depletion mode GaAs MESFET and enhancement-mode GaAs MESFET without difficulty.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제12권1호
• /
• pp.59-63
• /
• 2005

금속-강유전체-반도체 전계효과 트랜지스터 (MFS/MFISFET)의 동작 특성을 technology computer-aided design (TCAD)과 simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE)를 결합하여 전산모사하는 방법을 제시하였다. 복잡한 강유전체의 동작 특성을 수치해석을 이용하여 해석한 다음, 이를 이용하여 금속-강유전체-반도체 구조에서 반도체 표면에 인가되는 표면 전위를 계산하였다. 계산된 TCAD 변수인 표면 전위를 전계효과 트랜지스터의 SPICE 모델에서 구한 표면 전위와 같다고 보고게이트 전압에 따른 전류전압 특성을 구할 수 있었다. 이와 같은 방법은 향후 MFS/MFISFET를 이용한 메모리소자의 집적회로 설계에 매우 유용하게 적용될 수 있을 것이다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보처리학회 2002년도 추계학술발표논문집 (하)
• /
• pp.2111-2114
• /
• 2002

SPICE 모델은 조직의 프로젝트 수행 프로세스들에 대하여 능력 수준을 결정하여 각 프로세스의 개선을 위한 활동을 제안하여 최종적으로는 제품에 이르기까지 품질을 향상시키는데 그 목적이 있다. 본 논문은 한국의 19개의 피심사 조직의 189개의 프로세스에 대한 실제 심사 데이터를 통하여 심사 수준과 프로세스별 상관관계를 분석하여 특정 프로세스간의 능력수준의 변화가 타 프로세스에 미치는 영향에 대하여 연구한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보처리학회 2001년도 추계학술발표논문집 (상)
• /
• pp.485-488
• /
• 2001

본 논문에서는 웹상에서 학습자의 학습능력을 진단하기 위하여 SPICE 모델에서 제시하는 능력수준을 사용하여 각 단계별로 질문을 제시하고 해당 질문의 응답 여부에 따라 자신의 학습 능력을 평가받고 향후 자신의 능력을 좀더 향상시킬 수 있는 지침을 제공하는 학습능력 진단 시스템을 개발하였다. 본 시스템은 다양한 학습자의 학습능력을 진단할 수 있도록 학습자의 직업에 따라 별도의 질문 리스트를 준비하였으며 질문 리스트와 메세지 및 가산점을 조정한다면 다양한 분야에서도 활용될 수 있을 것이다.