• Korean Journal of Culture and Social Issue
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• v.11 no.1
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• pp.157-180
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• 2005

Successful Intelligence (SI) developed by R. Sternberg has impacted on various fields such as education and industry, providing with intuitive view-points concerning the definition, nature, and measurement of intelligence. It would be a timely work to review how SI has been progressed, what contributions it made, what it has influenced on intelligence research in Korea, and what the implications of SI for future research are. With that in mind, this review is composed of several sections. First, an overview of the SI's historical development and main characteristics and contributions is presented with three distinct periods: Era of the Componential Theory, of Triarchic Theory, and of Successful Intelligence. Second, Selected researches conducted in Korea based on SI are summarized. Lastly, future research for validation of SI is discussed.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.3
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• pp.233-239
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• 2002

Reflection properties of $SiO_2$/ITO (Indium Tin Oxide) thin films coated for electromagnetic shielding, anti-static and anti-reflection on the front surface in CRT were studied. The behavior of reflectance as a function of thickness of $SiO_2$/ITO was investigated and applied to theoretical anti0reflection model of double layers and three layers. As the thickness of ITO layer increased, the deviation from theoretical value increased because uniformity of film deteriorated by pore. Because of the effect of mixed layer of $SiO_2$ and ITO, experimental reflectance showed better acceptance to the three layer antireflection model of $SiO_2$/$SiO_2$+ITO/ITO than the two layer model. Based on the theoretical antireflection design, the double layer whose thickness of $SiO_2$ and ITO were 90, 65 nm, respectively appear 2.5% in reflectance at standard wavelength, 550 nm. This phenomenon was similar to theoretical reflectance in visual range.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.360-367
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• 1993

텅스텐 박막 증착의 메카니즘을 밝히기 위하여 먼저 SiH4와 WF6의 열분해 반응에 관한 열역학적 결과들과 표면 촉매 반응에 대한 이론적인 결과들을 고찰하였다. 실험적으론 저압 화학기상 증착법을 이용하여 WF6를 SiH4로 환원시켜 텅스텐 박막을 Si(100) 기판위에 증착하였으며 증착반응 중의 기판 표면의 변화를 in-situ로 측정하였다. 증착 메카니즘을 밝히기 위하여 반응기체를 WF6, SiH4, WF6＋SiH4, WF6$\longrightarrow$SiH4$\longrightarrow$WF6＋SiH4로 달리하여 반응시켰으며 그 때의 박막 특성과 표면 및 단면 형상을 측정하였다. 이론적인 고찰과 실험적인 결과들로부터 텅스텐 박막은 먼저 Si 기판에 의한 WF6의 환원반응으로 인한 증착과 이어서 SiH4에 의한 WF6의 환원으로 증착됨을 밝혔다.

• Journal of the Korean Institute of Rural Architecture
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• v.13 no.2
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• pp.63-70
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• 2011

Despite the high historical and topological values, closed schools are rarely reutilized. The reason can be likely explained by integrity of the building structure and unawareness of the operation and maintenance for closed schools. The purpose of this study is finding a possibility of reusing closed schools by deploying SI (Skeleton and Infill) theory. SI theory is separating the "skeleton" like structure from "infill" such as interior furnishings to extend building life without complete demolishing of the building. It will allow satisfying various local community demands by alternating infill without demolishing of historical and topological value of the building. The experimental test was undertaken with closed school for this study. The local community's demands or opinions were reflected to develop a strategy for deploying infill system especially movable storage furniture to closed school. The study finds possibilities that SI theory can assist local community to 1) construct potential demand for utilizing closed school and 2) suggest strategy for operating and maintaining closed school.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.1 no.1
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• pp.51-59
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• 1991

Early stage of GaAs nucleation on Si substrate was theoretically studied by computer simulation. Compared to the constant ledge interaction energy in conventional nucleation theory, functional behavior of ledge-ledge interaction resulted in small size clusters depending on the cluster size and shape. Among various kinds of clusters, the multilayer pyramidal shape GaAs cluster requires smallest excess free energy due to the formation of Ga(111) facet planes. There this result suggests that the defects involved in GaAs/Si are originated from the early stage nucleation.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.612-618
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• 1998

Monolithic SiC and SiC/C FGM layers were deposited on the graphite substrates by the CVD method and their thermal properties of the two specimens were investigated by thermal shock test for comparison. Temperature profiles and thermal stress distributions on thermal shock test were calculated by a commercially used computer program to see the thermal stress differences inside of two specimens. The specimens coated with FGM were expected to show a efficient relaxation of thermal stresses at the interface and they were not cracked under the actual $\Delta$T=1600 K experimental condition. This result proved that the experimental results were well accorded with the expectation from the theoretical calculations.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.15-21
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• 2001

전자파 차폐 및 반사방지용으로 사용되는 SiO$_2$/ITO 이층박막의 전기적 특성에 미치는 전이금속이온의 영향에 대해 고찰하고 전자파 차폐이론식으로부터 박막의 전도특성에 모사하여 효과적인 전자파 차폐효과를 얻기 위한 전도막을 설계하고자 하였다. ITO 상층부에 전이금속염을 첨가한 실리카 복합졸을 코팅하여 SiO$_2$/ITO 이층막을 제조한 결과 최저 표면저항치를 나타내는 첨가량은 전이금속의 종류에 따라 차이를 보이지만 Sn 및 Zn이 첨가된 졸로부터 형성된 박막은 $10^{5}$Ω/$\square$ 이하의 낮은 저항치를 보였으며 가장 안정된 표면저하을 나타내었다. 또한 전자파 차폐효과와 전도박막의 표면저항을 차폐이론식으로부터 모사한 결과 Zn과 Sn의 전이금속염이 첨가된 SiO$_2$/ITO 투명전도막은 TCO99에서 정한 전자파 차폐기준에 부합하였다.다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.691-691
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• 2013

최근 휴대용 전자기기의 전원으로서 가장 널리 사용되고 있는 리튬 이차 전지는 우수한 에너지 밀도, 낮은 자가방전 속도로 인한 비 메모리 효과, 높은 작동전압으로 다양한 전자기기뿐만 아니라 미래형 자동차산업 및 항공산업 분야에서도 점차 사용 빈도가 증가하고 있다. 현재 리튬 이차 전지의 음극물질로 널리 사용되고 있는 흑연의 경우 초기 용량 감소가 크고 이론적인 최대용량(372 mAhg-1, LiC6)이 낮다는 문제가 있어 다양한 대체물질의 연구가 진행되고 있다. 그 중에서도 Si는 Li과 반응하여 Li4.4Si합금을 형성하며 높은 이론용량을 갖고 상용화된 전지의 전압(~3.7 V)보다 0.3 V정도 밖에 낮지 않기때문에 재료의 개발과 함께 바로 사용화 할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 Si의 경우 금속 자체로 사용되는 경우 Li 이온이 삽입되어 Li4.4Si형성 시에 310%의 부피 팽창을 일으키게 되어 분쇄반응(pulverization)을 일으키고 충 방전에 따라 급격한 용량 감소를 야기한다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 보다 간단한 방법으로 Si층 사이에 수 나노의 Al층을 삽입하여 Si 입자의 부피 팽창으로부터 오는 응력을 상쇄시켜 높은 방전 용량 특성과 우수한 수명 특성을 동시에 구현하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.144-144
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• 2000

이전에 수행된 연구에서 표면에 수직하게 dangling bond를 가지는 adatom으로 장식된 6H-SiC(0001) {{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}} 표면은 단일 전자 모형으로는 설명되어지지 않는 반도체적 성질을 가지는 것으로 보고되어졌다. 최근의 많은 이론적, 실험적 결과는 이 표면이 Mott-Hubbard 모형으로 설명되어질 수 있음이 보고되어졌다. 이 표면에서 Si이 좀 더 풍부한 3$\times$3 표면의 여러 모형들에 대해 이론적, 실험적 연구는 Energy적으로 E-J 모형이 가장 안정하다고 보고하였다. E-J모형은 표면에 수직인 dagling bond를 가지며 6H-SiC(0001) {{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}} 표면에 비해 1/3배의 밀도를 지닌다. 또한 최근의 연구에서 3$\times$3 표면 또한 단일 전자모형은 이 표면의 반도체적 성질에 위배되며 Mott-Hubbard 모형으로 설명되어질수 있음이 보고되어졌다. 이러한 표면 위에 알칼리금속인 Na을 흡착시키면서 일함수의 변화와 Valence Band의 변화를 측정하였다. XPS를 이용하여 Na이 흡착되면서 발생되는 Si과 C의 내각준위의 변화를 측정하였다. 6-SiC(0001) {{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}} 과 3$\times$3 표면 구조 모델을 Na을 흡착한 6H-SiC(0001) {{{{ SQRT { 3} }}}}$\times${{{{ SQRT { 3} }}}} 과 3$\times$3 표면으로부터 측정한 UPS, XPS data들로부터 지금까지 제기되어 있는 각 재배열 구조 모형들을 비교 검토하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.23 no.2
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• pp.502-507
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• 2019

We investigated theoretically the quantum optical transition properties of qusi 2-Dinensinal Landau splitting system, in Si. We apply the Quantum Transport theory (QTR) to the system in the confinement of electrons by square well confinement potential. We use the projected Liouville equation method with Equilibrium Average Projection Scheme (EAPS). In order to analyze the quantum transition, we compare the temperature and the magnetic field dependencies of the QTLW and the QTLS on two transition processes, namely, the phonon emission transition process and the phonon absorption transition process. Through the analysis of this work, we found the increasing properties of QTLW and QTLS of Si with the temperature and the magnetic fields. We also found the dominant scattering processes are the phonon emission transition process.