• Title/Summary/Keyword: SF6/O2 혼합가스

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A Study on Taper Etching of Polysilicon-Part I : The Experimental Study (다결정실리콘의 경사식각에 관한 연구 - 제 1 부 : 실험적 고찰)

  • Lee, Jung-Kyu;Suh, Dong-Ryang;Byun, Jae-Dong
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • v.26 no.7
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    • pp.50-57
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    • 1989
  • Tapered etching of polysilicon films has been achieved by implanting phosphorus ions into the polysilicon film and using plasma etch in either $CF_4-O_2\;or\;SF_6$. A two-step plasma etching method is also proposed to control the taper angle of the etched edge without changing the implantion conditions. The taper angle is determined by the ratio of the etch rate of the undamaged region to that of the damaged top region of the polysilicon layer. The ratio is found to be dependent on the implantion dose, the implantion energy and the anisotropy of etching. The minimum angle in our experiments is about $10^{\circ}$. When the two-step etching method is employed, the taper angles can be controlled from the minimum angle up to about $55^{\circ}$.

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Study on Finding Optimum Condition of Plasma Treatment on SiO2 Substrates to Reduce Contact Resistance at Graphene-Metal Interface (그래핀-금속 접촉 저항을 줄이기 위한 SiO2 기판 플라즈마 처리의 최적화 연구)

  • Gang, Sa-Rang;Ra, Chang-Ho;Lee, Dae-Yeong;Yu, Won-Jong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.96-96
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    • 2013
  • 그래핀과 금속 결합에서 발생하는 접촉 저항을 줄이기 위한 목적으로, 소자 제작에 사용되는 $SiO_2$ 기판의 표면을 플라즈마를 사용하여 에칭하는 최적의 조건에 대해 연구하였다. 기존에 발표된 연구 결과에 따라 $SF_6$$O_2$를 섞어 플라즈마 처리를 하였고, 플라즈마 방전에 사용 된 두 가스의 혼합 비율을 조절함으로써 소자 제작에 적합한 조건을 찾고자 하였다. 플라즈마 처리 전후의 $SiO_2$ 기판의 표면 측정은 AFM (Atomic Force Microscope)을 사용하였고, 단면은 SEM(Scanning Electron Microscope)을 통해 확인하였다.

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Surface Discharge Characteristics of Solid Dielectrics in N2/O2 Mixture Gas for Eco-Friendly Insulation Design (친환경 절연설계를 위한 N2/O2 혼합가스 중 고체유전체 종류에 따른 연면방전특성)

  • Lim, Dong-Young;Park, He-Rie;Choi, Eun-Hyeok;Choi, Sang-Tae;Lee, Kwang-Sik
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.26 no.3
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    • pp.9-15
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    • 2012
  • In this paper, we deal with a surface discharge that caused an aggravation of the dielectric strength in the $N_2/O_2$ mixture gas, When composit dielectrics were formed from the use of a solid dielectric. It was found from this study that the surface discharge voltage was deeply involved in the mixture ratio of $O_2$, the electrical property of the solid dielectric, kind of the solid dielectric, an electric field at the triple junction and a medium effect. These results expect basic data that will be used to transmission and distribution power system equipment using the $N_2/O_2$ mixture gas.

Study on HFC-134a Hydrate Formation Rate : according to stirring speed and driving force (HFC-134a 하이드레이트의 형성속도에 관한 연구 : stirring speed, driving force 조건에 따라)

  • Shin, Hyung-Joon;Moon, Dong-Hyun;Seok, Ming-Wang;Lee, Gang-Woo
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.554-554
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    • 2009
  • 지구온난화는 범지구적 환경문제로 매우 빠른 속도로 진행되면서 그 심각성을 더해가고 있다. 특히 해수면 상승이나 대형 태풍, 홍수, 가뭄 등의 이상기후가 빈번하게 발생되며 생태계에도 심각한 타격을 주고 있다. 이러한 지구온난화를 유발하는 물질들에 대해 도쿄의정서(Annex A)에 6대 온실가스($CO_2$ (이산화탄소), 메탄($CH_4$), $N_2O$(아산화질소), PFC(불화탄소), HFC(수소화불화탄소), $SF_6$(육불화황))로 정의 하여 규제대상으로 분류하고 있다. $CO_2$를 제외한 Non-$CO_2$ 온실가스들은 배출량이 $CO_2$에 비해 매우 낮지만 GWP(지구온난화지수)가 매우 커 지구온난화에 미치는 영향이 상당하다. 최근 이산화탄소 이외에 지구온난화 문제를 일으키는 온실가스에 대한 많은 관심으로 대상가스의 처리 또는 재활용을 위한 신기술 및 신공정 개발에 박차를 가하고 있다. 온실가스 중 HFCs는 GWP가 1300으로 미량의 배출로도 심각한 기후변화를 일으킬 수 있는 물질로, 우리나라의 경우 1990년 이후 HFCs 배출량 증가율은 연 평균 4.9% ~ 13.8%이다. 국내외 온실가스 처리기술은 대부분 CO2에 대한 연구개발 및 실증화가 지배적이고, non-CO2에 대한 처리기술 개발수준은 미흡할 뿐만 아니라 본 연구 대상인 HFCs 의 경우에는 처리기술 연구개발이 전무하다. 특히 HFCs는 냉매 또는 발포제로 사용되는데 일반적으로 사용 후 특별한 처리과정 없이 대기중으로 배출된다. 본 연구에서는 non-CO2 가스인 HFC-134a 를 대상으로 혼합가스에서 분리 회수를 위해 하이드레이트 기술을 접목시켜 경제적, 친환경적인 기술개발을 목적으로 한다. kinetic 반응장치와 고압반응기 및 magnetic drive system 을 이용하여 stirring speed와 driving force에 따른 HFC-134a 하이드레이트 형성속도의 상관관계를 제시하고자 한다.

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직류 아크 플라즈마트론을 이용한 플라즈마 식각 공정연구

  • Kim, Ji-Hun;Cheon, Se-Min;Lee, Heon-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.479-479
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    • 2010
  • 현재까지 대부분의 반도체 공정이나 LCD 공정에 사용되는 플라즈마는 진공 플라즈마이다. 이는 대기압에서의 플라즈마 발생의 어려움, 공정 품질 등이 원인이기도 하다. 그러나 진공 장비의 고가 및 진공 시스템 부피의 거대화 등의 많은 단점이 있다. 현재의 진공 플라즈마공정을 대기압 플라즈마 공정으로 대체 할 수 있다면 많은 경제적인 이득을 얻을 수 있을 것이다. 본 연구실에서 개발한 직류아크 플라즈마트론은 기존의 대기압 플라즈마 장치에 비해 수명이 길고, 광학적으로 깨끗하고, 활성도가 높은 플라즈마를 얻을 수 있는 장점이 있다. 직류아크 플라즈마트론의 식각공정에 적용을 위해 플라즈마트론을 저 진공 및 대기압에서 적용하여 실험하였다. 식각 가스로는 SF6를 사용하였고, Ar과 O2를 혼합하여 플라즈마트론의 음극 보호 및 식각률을 높이도록 하였다. 실험결과 저진공 플라즈마의 경우, 플라즈마 영역이 20 cm를 넘는 반면, 대기압에서는 플라즈마 유효 길이가 약 20 mm로 매우 짧았다. 하지만 저 진공(~ 3 mbar)에 적용하여 최대 $60\;{\mu}m/min$의 식각률을 보였고, 대기압 플라즈마의 경우 $300\;{\mu}m/min$ 넘는 식각률을 달성하였다.

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