• 전자공학회논문지A
• /
• 제32A권9호
• /
• pp.121-127
• /
• 1995

We have analyzed the double insulating layer consisting of anodic oxide and ZnS through TEM experiments. The use of double insulating layer for HgCdTe surface passivation is one of the promising passivation method which has been recently studied deeply and the double insulating layer is formed by the evaporation of ZnS on the top of anodic oxide layer grown in H$_{2}$O$_{2}$ electrolyte. The structure of anodic oxide layer on HgCdTe is amorphous but the structure of oxide layer after the evaporation of ZnS has been changed to micro-crystalline. The interface layer of 150.angs. thickness has been found between ZnS and anodic oxide layer and is estimated to be ZnO layer. The results of analysis on the chemical components of ZnS, the interface layer and anodic oxide layer have showed that Zn has diffused into the anodic oxide layer deeply while Hg has been significantly decreased from HgCdTe bulk to the top of oxide layer. The formation of ZnO interface layer and the change of structure of anodic oxide layer after the evaporation of ZnS are estimated to be defects or to induce the defects which might possibly affect the increase of the positive fixed charges shown in C-V measurements of HgCdTe MIS.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제34권5C호
• /
• pp.485-497
• /
• 2009

본 논문에서는 이동체에 대한 위성방송 및 인터넷 서비스를 지속적으로 제공하기 위해 기존의 DVB-S2 표준화에 DVB-H와 DVB-T를 결합한 새로운 DVB-S2M 표준화에 대한 연구를 하며, 여기서 생기는 deep fading을 극복하기 위한 방안에 대해 연구하였으며, 새로운 이동형 DVB-S2의 규격은 deep fading으로 인해 physical layer 부호화 방식과 upper layer 부호화 방식을 적용한 cross layer 부호화 방식을 적용시키고, DVB-S2 short frame의 부호화 방식을 physical layer 부호화 방식으로 고정시키고 upper layer 부호화 방식을 변화시키면서 성능 분석하였다. 아울러 이동체의 속도에 따라, 데이터 전송속도, 그리고 packet size에 따라 성능 분석하였다.

• Progress in Superconductivity
• /
• 제1권1호
• /
• pp.51-55
• /
• 1999

A Ni/Ag/Stainless steel 310S(SS310S) multi-layer sheet has been fabricated by a combination of vacuum brazing, cold rolling and texture annealing processes. After heat-treating the thin Ni/Ag/SS310S multi-layer sheet at $900^{\circ}C$ for 2h, development of (100)<001>cube texture on Ni surface was revealed by (111) pole figure. Quantitative chemical analysis was made by EPMA for the cross-section of the Ni/Ag/SS310S multi-layer sheet. EPMA results showed that Ag diffusion into the Ni layer, which may suppress the cube texture development, was negligible. A small amount of Cr atoms were detected in the Ni layer. It showed that Ag can be used as a chemical barrier of alloying element atoms in Ni layer for the Ni/Ag/SS310S multi-layer sheet and a strong cube texture was developed for the Ni layer in the Ni/Ag/SS310S multi-layer sheet.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제43권5호
• /
• pp.795-801
• /
• 1994

The BiPbSrCaCuO superconductor was fabricated by diffusion of The dual layer composed of SrS12TCaS11TCuS12TOS1xT in upper layer and BiS12TPbSI0.3TCuS12TOS1yT in lower layer, and varified growh-mechanism of BiPbSrCaCuO superconducting phase. And, we produced optimum conditions of spread volume and each stage of sintering time were upper layer:Lower layer=1:0.2, 1:0.4, 1:0.6 and 24hr., 120hr., 210hr. From the result, the optimum conditions are spread volume(Upper layer:Lower layer=1:0.6), sintering time(210hrs.) at 820$^{\circ}C$.The BiPbSrCaCuO superconductor, fabricated optimum condition, showed zero resistance at critical temperature of 70k.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제19권10호
• /
• pp.1075-1085
• /
• 2008

차세대 위성 통신은 이동체에 대한 위성 방송 및 인터넷 서비스를 지속적으로 제공하기 위해 기존의 DVB-S2 표준화에 DVB-H와 DVB-T를 결합한 새로운 DVB-S2M 표준화에 대한 연구가 진행되고 있다. 특히 터널 등에 의해 발생하는 deep fading을 극복하기 위한 방안에 대해 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이러한 deep fading 극복을 위해 physical layer 부호화 방식과 upper layer 부호화 방식을 결합한 cross layer 부호화 방식을 사용하고 있다. 본 논문에서는 DVB-S2 short frame 부호화 방식을 physical layer 부호화 방식으로 고정 시키고, upper layer 부호화 방식과 이동체의 속도, 데이터 전송 속도, packet site 등을 변화시켜가면서 시뮬레이션하여 최적의 upper layer 부호화 방식을 제안하였다.

• 한국광학회지
• /
• 제2권3호
• /
• pp.115-120
• /
• 1991

ZnS 완충층이 SrS : Ce, Cl 박막 EL cell의 발광휘도 및 효율에 미치는 영향을 조사하였다. ZnS 완충층을 사용한 cell과 사용하지 않은 cell의 구동전압은 각각 210V, 220V 이상이고 주파수 범위는 500 Hz-20kHz로 하였다. 측정범위 내에서 휘도는 주파수와 이동전하밀도의 곱에 비례하고, 한편 이동전하밀도는 주파수에 무관하고 구동전압에 비례한다. 결과적으로 발광효율은 주파수와 구동전압에 무관하다. 완충층을 사용하므로 활성층의 발광특성을 향상시킬 수 있으며, 발광효율은 완충층 유무에 따라 각각 0.12 lm/W, 0.06 lm/W 이다.

• 디지털융복합연구
• /
• 제11권5호
• /
• pp.313-318
• /
• 2013

무선 멀티미디어 센서 네트워크에서 QoS는 스트리밍 미디어 서비스 향상을 위한 중요한 이슈이다. 본 논문에서는 무선 멀티미디어 센서 네트워크의 스트리밍 미디어 QoS 향상을 위한 2-layer 사상 기반의 새로운 QoS 평가 기법을 제안한다. 제안된 기법은 응용 레이어와 네트워크 레이어 간의 스트리밍 제어를 위해 퍼지 적합도를 적용하며, 전송 신뢰도와 처리율을 향상시키기 위하여 2-layer 사상을 수행한다. 시뮬레이션 결과 제안된 기법이 다른 비교 기법들에 비해서 패킷 제어율, 전송 신뢰도, 그리고 지연 오버헤드율의 성능이 효율적임을 보인다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제7권2호
• /
• pp.117-122
• /
• 1994

The role of ZnS buffer layer not only suppresses chemical reactions between emission material and insulating material but also alters the luminescence and the crystallinity of the emission layer, if ZnS buffer layer was sandwiched between emission layer and insulating layer of electroluminescent device. In this research, we fabricated ZnS thin film with rf magnetron sputter system by varying rf power 100, 200W, substrate temperature 100, 150, 200, 250.deg. C and post-annealing temperature 200, 300, 400, 500.deg. C and analysed X-ray diffraction pattern, transmission spectra and cross section by SEM photograph for seeking the optimal crystallization condition of ZnS buffer layer. As a result, increasing the rf power, the crystallinity of ZnS thin film was improved. It was found that the ZnS thin film had better properties than anything else when fabricated with the following conditions ; rf power 200W, substrate temperature 150.deg. C, and post-annealing temperature 400.deg. C. ZnS thin film had the transmittance more than 80% in visible range. So it is suitable to use as a buffer layer of electroluminescent devices.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제25권8호
• /
• pp.575-579
• /
• 2012

Heteroepitaxial InP films have been grown on GaAs substrates to study the effects of the nucleation layer's surface roughness on the epitaxial layer's quality. For this, InP nucleation layers were grown at $400^{\circ}C$ with various ethyldimethylindium (EDMIn) flow rates and durations of growth, annealed at $6200^{\circ}C$ for 10 minutes and then InP epitaxial layers were grown at $550^{\circ}C$. It has been found that the nucleation layer's surface roughness is a critical factor on the epitaxial layer's quality. When a nucleation layer is grown with an EDMIn flow rate of 2.3 ${\mu}mole/min$ for 12 minutes, the surface roughness of the nucleation layer is minimum and the successively grown epitaxial layer's qualities are comparable to those of the homoepitaxial InP layers reported. The minimum full width at half maximum of InP (200) x-ray diffraction peak and that of near-band-edge peak from a 4.4 K photoluminescence are 60 arcmin and 6.33 meV, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
• /
• pp.437-438
• /
• 2008

박막태양전지에서 p-layer, i-layer, n-layer의 thickness와 doping concentration은 가장 기본이 되는 요소이다. 각 layer에서 위 두 가지 요소를 ASA simulator를 이용해서 높은 효율을 갖는 박막태양전지를 설계하기 위해 조절하였다. Simulation결과 p-layer의 thickness는 $9.5*10^{-9}m$, doping concentration은 0.2eV, i-layer의 thickness는 $4.535*10^{-7}m$, n-layer의 thickness는 $2*10^{-8}m$, doping concentration 은 0.1eV에서 최종 11.48%의 효율을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 높은 효율의 박막태양전지 설계 시에 도움이 될 수 있을 것이다.