• 제목/요약/키워드: Reverse current

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형상 역공학을 통한 공정중 금형 가공물의 자동인식 (Automatic Recognition of In-Process mold Dies Based on Reverse Engineering Technology)

  • 김정권;윤길상;최진화;김동우;조명우;박균명
    • 한국공작기계학회:학술대회논문집
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    • 한국공작기계학회 2003년도 추계학술대회
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    • pp.420-425
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    • 2003
  • Generally, reverse engineering means getting CAD data from unidentified shape using vision or 3D laser scanner system. In this paper, we studied unidentified model by machine vision based reverse engineering system to get information about in-processing model. Recently, vision technology is widely used in current factories, because it could inspect the in-process object easily, quickly, accurately. The following tasks were mainly investigated and implemented. We obtained more precise data by corning camera's distortion, compensating slit-beam error and revising acquired image. Much more, we made similar curves or surface with B-spline approximation for precision. Until now, there have been many case study of shape recognition. But it was uncompatible to apply to the field, because it had taken too many processing time and has frequent recognition failure. This paper propose recognition algorithm that prevent such errors and give applications to the field.

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양성자 주입기술을 이용한 PT형 전력다이오드의 스위칭 특성 향상 (Switching Characteristics Enhancement of PT Type Power Diode using Proton Irradiation Technique)

  • 김병길;최성환;이종헌;배영호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.216-221
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    • 2006
  • Lifetime control technique by proton implantation has become an useful tool for production of modern power devices. In this work, punch-through type diodes were irradiated with protons for the high speed power diode fabrication. Proton irradiation which was capable of controlling carrier's lifetime locally was carried out at the various energy and dose conditions. Characterization of the device was performed by current-voltage, capacitance-voltage and reverse recovery time measurement. We obtained enhanced reverse recovery time characteristics which was about $45\;\%$ of original device reverse recovery time and about $73\;\%$ of electron irradiated device reverse recovery time. The measurement results showed that proton irradiation technique was able to effectively reduce minority carrier lifetime without degrading the other characteristics.

Reverse-Simulation 기법에 의한 다수 평가 함수를 가진 시스템의 최적화

  • 박경종
    • 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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    • 한국시뮬레이션학회 1997년도 춘계 학술대회 발표집
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    • pp.3-7
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    • 1997
  • Simulation is commonly used to find the best values of decision variables for problems which defy analytical solutions. "Simulation Optimization" technique is used to optimize the expressed in analytical of mathematical models. In this research, we will study Reverse-Simulation optimization method which is quite different from current simulation optimization methods in literature. We will focus on the on-line determination of steady-state method which is very important issue in Reverse-Simulation optimization, and the construction of Reverse-Simulation algorithm with expert systems. Especially, in the case of multiple objectives because of the dependency of simulation model, all objectives do not satisfied simulataneously. In this paper, therefore, we process simulation optimization using objectives with priority to optimize multiple objectives under single run.ingle run.

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Reverse-Conducting IGBT Using MEMS Technology on the Wafer Back Side

  • Won, Jongil;Koo, Jin Gun;Rhee, Taepok;Oh, Hyung-Seog;Lee, Jin Ho
    • ETRI Journal
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    • 제35권4호
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    • pp.603-609
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    • 2013
  • In this paper, we present a 600-V reverse conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT) for soft and hard switching applications, such as general purpose inverters. The newly developed RC-IGBT uses the deep reactive-ion etching trench technology without the thin wafer process technology. Therefore, a freewheeling diode (FWD) is monolithically integrated in an IGBT chip. The proposed RC-IGBT operates as an IGBT in forward conducting mode and as an FWD in reverse conducting mode. Also, to avoid the destructive failure of the gate oxide under the surge current and abnormal conditions, a protective Zener diode is successfully integrated in the gate electrode without compromising the operation performance of the IGBT.

An Inherent Zero-Voltage and Zero-Current-Switching Full-Bridge Converter with No Additional Auxiliary Circuits

  • Wang, Jianhua;Ji, Baojian;Wang, Hongbo;Chen, Naifu;You, Jun
    • Journal of Power Electronics
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    • 제15권3호
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    • pp.610-620
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    • 2015
  • An inherent zero-voltage and zero-current-switching phase-shifted full-bridge converter with reverse-blocking insulated-gate bipolar transistor (IGBT) or non-punch-through IGBT is proposed in this paper. This converter not only ensures that the switches in the lagging leg works at zero-current switching, but also minimizes circulating conduction loss without any additional auxiliary circuits. A 1.2 kW hardware prototype is designed, fabricated, and tested to verify the proposed topology. The control loop design procedures with small-signal models are also presented. A simple, low-cost, and robust democratic current-sharing circuit is also introduced and verified in this study. The proposed converter is a suitable alternative for compact, cost-effective applications with high-voltage input.

대용량 IGBT 스위칭 시 과전압 제한을 위한 향상된 게이트 구동기법 (An Improved Gate Control Scheme for Overvoltage Clamping Under High Power IGBTs Switching)

  • 김완중;최창호;이요한;현동석
    • 전력전자학회논문지
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    • 제3권3호
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    • pp.222-230
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    • 1998
  • 본 논문에서는 스너버 회로를 사용하지 않고 턴-온시 역회복 전류의 영향과 턴-오프 시 구동되는 IGBT에 발생하는 과전압을 제한할 수 있는 새로운 IGBT 게이트 구동회로를 제안한다. 제안하는 턴-온 게이트 구동기법은 턴-온 지연 시간을 증가시키지 않고 게이트-에이터 전압이 문턱전압 이상이 되면 IGBT의 입력 커패시턴스를 증가시킴으로써 게이트-에이터 전압의 증가율을 감소시키는 특징을 갖는다. 제안하는 턴-오프 게이트 구동기법은 전류의 크기에 따라 과전압을 제한하여 단락사고와 같은 대전류가 흐르는 경우 더욱 효과적으로 과전압을 제한하는 특징을 가진다. 또한, 여러 가지 조건에서 실험을 수행하여 제안한 IGBT 게이트 구동회로의 타당성을 검증한다.

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Dual 모드로 동작하는 새로운 ZCS PWM Boost 컨버터 (A Novel ZCS PWM Boost Converter with operating Dual Mode)

  • 김태우;김학성
    • 전력전자학회논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.346-352
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    • 2002
  • 본 논문에서는 정류용 다이오드의 역 회복시 발생하는 손실을 줄이기 위한 새로운 듀얼 모드로 동작하는 ZCS-PWM 승압형 컨버터를 제안한다 제안된 회로에서 각각의 스위치는 소프트 스위칭 조건에서 매 사이클마다 교번으로 스위칭 동작을 하고 스위치 $S_2$에 직렬로 공진형 인덕터 Lr을 달아서 스위칭 손실과 EMI 노이즈와 관련된 정류용 다이오드$(D, D_1)$의 역 회복 전류를 감소시켰다. 제안된 컨버터는 기존의 ZVT-PWM 컨버터$^{[2]}$에 수동 및 능동 소자를 더 이상 추가하지 않기 때문에 각 소자들이 받는 전류/전압 스트레스는 기존의 하드 스위칭 컨버터 같다. 본 논문에서는 제안된 회로의 동작을 분석하고 이를 바탕으로 제작 및 실험을 통해서 타당성을 입증하였다.

WPC/A4WP 무선전력전송을 위한 정류기 설계 (A design of rectifier for WPC/A4WP wireless power transfer)

  • 박준호;문용
    • 전기전자학회논문지
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    • 제22권2호
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    • pp.393-401
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    • 2018
  • 이 논문에서는 WPC / A4WP 무선 전력 전송을 위한 정류기가 설계하였다. 설계된 정류기는 WPC (무선 전력 컨소시엄) 및 A4WP (무선 전력 연합)를 모두 지원하며 전파 브리지 정류기로 설계되었다. WPC는 100kHz ~ 205kHz의 주파수에서 전력을 전송하고 A4WP는 6.75MHz의 주파수에서 전력을 전송한다. 브리지 정류기는 다이오드 대신 MOSFET을 사용하기 때문에 출력 전압이 입력 전압보다 높으면 역전류가 흐르고 효율에 영향을 미친다. 따라서 MOSFET을 통해 흐르는 전류를 감지하고 역전류를 차단하는 역전류 검출기를 추가했다. 주파수 판별기는 주파수 대역이 다르기 때문에 사용된다. 설계된 정류기는 CMOS $0.35{\mu}m$ 고전압 공정을 사용하여 설계되었다. 입력 전압은 최대 18V이며 100kH ~ 205kHz, 6.78MHz 주파수에서 작동한다. 최대 효율은 94.8 %이고 최대 전력 공급은 5.78W 이다.

하이브리드 슈퍼커패시터 DC-DC 컨버터를 이용한 LED 비상 유도등 동작 디밍 제어 (Dimming Control of the LED Luminaire Emergency Exit Sign Operation using a Hybrid Super Capacitor of DC-DC Convertor)

  • 황락훈;김진선;나용주
    • 한국항행학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.220-229
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    • 2017
  • 본 연구는 다양한 DC 전원을 활용할 수 있는 승압형 DC-DC 컨버터로 설계사양을 통한 인덕터 L과 커패시터 C의 값을 산출하여 PSPICE를 통한 최적의 값을 추정하였다. 승압형 DC-DC 컨버터는 스위치 소자로 IRF840을 사용하였으며 역회복 시간(reverse recovery time)이 뛰어난 쇼트키 다이오드(schottky rectifiers)인 D10SC6M을 사용하여 정전류 제어 (constant current controller)가 가능하도록 구성하였으며 열저항을 고려한 파워 LED 모듈 (power LED module)을 제작하여 구동하였다. 컨버터의 스위칭 주파수는 50 kHz로 최초 듀티비는 10 %에서 출력전압의 검출 값에 따라 점차적으로 증가시키도록 하였다. 그 결과로 승압형 파워 LED 구동기를 시뮬레이션 한 특성은 설계사양과 비교하여 5 %이하의 오차로 근사적으로 나타났고, 입력전압 15 V를 인가하여 안정된 24 V의 안정된 출력전압을 얻었으며 디밍제어 (dimming control)를 통한 밝기 조절 및 소비전류의 조정이 가능하였다.

전류인가 방법이 3D-SiP용 Through Via Hole의 Filling에 미치는 영향 (The Effects of Current Types on Through Via Hole Filling for 3D-SiP Application)

  • 장근호;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.45-50
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    • 2006
  • 3D package의 SiP에서 구리의 via filling은 매우 중요한 사항으로 package밀도가 높아짐에 따라 via의 크기가 줄어들며 전기도금법을 이용한 via filling이 연구되어왔다. Via filling시 via 내부에 결함이 발생하기 쉬운데 전해액 내에 억제제, 가속제등 첨가제를 첨가하고 펄스-역펄스(PRC)의 전류파형을 인가하여 결함이 없는 via의 filling이 가능하다. 본 연구에서는 건식 식각 방법 중 하나인 DRIE법을 이용하여 깊이 $100{\sim}190\;{\mu}m$, 직경이 각각 $50{\mu}m,\;20{\mu}m$인 2가지 형태의 via을 형성하였다. DRIE로 via가 형성된 Si wafer위에 IMP System으로 Cu의 Si으로 확산을 막기 위한 Ta층과 전해도금의 씨앗층인 Cu층을 형성하였다. Via시편은 직류, 펄스-역펄스의 전류 파형과 억제제, 가속제, 억제제의 첨가제를 모두 사용하여 filling을 시도하였고, 공정 후 via의 단면을 경면 가공하여 SEM으로 관찰하였다.

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