• 제목/요약/키워드: Radiation tolerant circuit

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I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석 (Design of a radiation-tolerant I-gate n-MOSFET structure and analysis of its characteristic)

  • 이민웅;조성익;이남호;정상훈;김성미
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권10호
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    • pp.1927-1934
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    • 2016
  • 본 논문에서는 일반적인 실리콘 기반 n-MOSFET(n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 절연 산화막 계면에서 방사선으로부터 유발되는 누설전류 경로를 차단하기 위하여 I형 게이트 n-MOSEFT 구조를 제안하였다. I형 게이트 n-MOSFET 구조는 상용 0.18um CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정에서 레이아웃 변형 기법을 이용하여 설계되었으며, ELT(Enclosed Layout Transistor)와 DGA(Dummy Gate-Assisted) n-MOSFET와 같은 레이아웃 변형 기법을 사용한 기존 내방사선 전자소자의 구조적 단점을 개선하였다. 따라서, 기존 구조와 비교하여 반도체 칩 제작에서 회로 설계의 확장성을 확보할 수 있다. 또한, 내방사선 특성 검증을 위하여 TCAD 3D(Technology Computer Aided Design 3-dimension) tool을 사용하여 모델링과 모의실험을 수행하였고, 그 결과 I형 게이트 n-MOSFET 구조의 내방사선 특성을 확인하였다.

Development of underwater 3D shape measurement system with improved radiation tolerance

  • Kim, Taewon;Choi, Youngsoo;Ko, Yun-ho
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제53권4호
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    • pp.1189-1198
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    • 2021
  • When performing remote tasks using robots in nuclear power plants, a 3D shape measurement system is advantageous in improving the efficiency of remote operations by easily identifying the current state of the target object for example, size, shape, and distance information. Nuclear power plants have high-radiation and underwater environments therefore the electronic parts that comprise 3D shape measurement systems are prone to degradation and thus cannot be used for a long period of time. Also, given the refraction caused by a medium change in the underwater environment, optical design constraints and calibration methods for them are required. The present study proposed a method for developing an underwater 3D shape measurement system with improved radiation tolerance, which is composed of commercial electric parts and a stereo camera while being capable of easily and readily correcting underwater refraction. In an effort to improve its radiation tolerance, the number of parts that are exposed to a radiation environment was minimized to include only necessary components, such as a line beam laser, a motor to rotate the line beam laser, and a stereo camera. Given that a signal processing circuit and control circuit of the camera is susceptible to radiation, an image sensor and lens of the camera were separated from its main body to improve radiation tolerance. The prototype developed in the present study was made of commercial electric parts, and thus it was possible to improve the overall radiation tolerance at a relatively low cost. Also, it was easy to manufacture because there are few constraints for optical design.

위성체의 동력원으로서의 GaAs 태양전지 (GaAs solar cells for a satellite application)

  • 이승기;한민구
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 1988년도 한국자동제어학술회의논문집(국내학술편); 한국전력공사연수원, 서울; 21-22 Oct. 1988
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    • pp.620-626
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    • 1988
  • GaAs solar cells may be the most attractive and efficient power source of a satellite. GaAs is more radiation tolerant and less temperature sensitive than widely used silicon. $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$ As/GaAs solar cells have been designed and fabricated by Liquid Phase Epitaxial method. GaAs solar cells, of which structure is about 0.2 .mu.m p$^{+}$ - window layer, 0.6-1.O .mu.m Ge-doped p-layer. 3.mu.m n-GaAs layer and n$^{+}$ - buffer layer, have been characterized as a function of operating temperature from 25 .deg.C to 130 .deg.C. Open circuit voltage decreases linearly with increasing temperature by 1.4-1.51 mV/ .deg.C while degradation of silicon solar cells is about 2.2-2.5 mV/ .deg.C, short circuit current does not increase much with increasing temperature. Relative efficiency decreases with increasing of temperature by about 0.21-0.29 %/ .deg.C. Efficiency degradation of silicon solar cells with temperature is known to be about 0.5%/ .deg.C and our results show GaAs solar cells may be an excellent candidate for concentrated solar cells.ells.

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안전하지 않은 I/O핀 노이즈 환경에서 MCU 클럭 보호를 위한 자동 온칩 글리치 프리 백업 클럭 변환 기법 (Automatic On-Chip Glitch-Free Backup Clock Changing Method for MCU Clock Failure Protection in Unsafe I/O Pin Noisy Environment)

  • 안중현;윤지애;조정훈;박대진
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권12호
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    • pp.99-108
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    • 2015
  • 클럭 펄스에 동기 되어 동작하는 임베디드 마이크로컨트롤러는 미션 크리티컬한 응용환경에서 입력 클럭에 가해지는 급격한 전기적 왜란의 영향에 의해 오동작이 발생되기 쉽다. 다양한 외부 전기적 노이즈에 대한 내성 있는 시스템 동작이 요구되며 시스템 클럭 관점에서 견고한 회로 디자인 기술이 점차 중요한 이슈가 되고 있다. 본 논문에서는 이러한 시스템의 비이상적인 상황을 방지하기 위해 자동 클럭 에러 검출을 위한 온 칩클럭 컨트롤러 구조를 제안한다. 이를 위해 에지 검출기, 노이즈 제거기와 글리치 프리 클럭 스위칭 회로를 적용하였고, 에지 검출기는 입력 클럭의 비이상적인 저주파수 상태를 검출하는데 사용 되었으며, 딜레이 체인 회로를 이용한 클럭 펄스의 노이즈 제거기는 글리치 성분을 검출 할 수 있도록 하였다. 이렇게 검출된 입력 클럭의 비이상적인 상황은 글리치 프리 클럭 변환기에 의해 백업 클럭으로 스위칭하게 된다. 회로 시뮬레이션을 통해 제안된 백업 클럭 변환기의 동작을 검증하였고 테스트환경에서 방사노이즈를 인가하였을 때 시스템 클럭의 내성에 대한 주파수 특성을 평가하였다. 본 기법을 범용 MCMCU 구조에 추가적으로 적용하여 작은 하드웨어의 추가만으로도 시스템 클럭의 안전성을 확보하는 하나의 방법을 제시한다.