• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.241-241
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• 2009

For the Radio Frequency Integrated Passive Device (RFIPD) application, we have successfully developed and characterized high break-down voltage metal-insulator-metal (MIM) capacitors with 2,000 ${\AA}$ plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride which deposited with $SiH_4/NH_3$ gas mixing rate, working pressure, and RF power of PECVD at $250^{\circ}C$ chamber temperature. At the PECVD process condition of gas mixing rate (0.957), working pressure (0.9 Torr), and RF power (60 W), the AFM RMS value of about 2,000 ${\AA}$ silicon nitride on the bottom metal was the lowest of 0.862 nm and break-down electric field was the highest of about 8.0 MV/cm with the capacitance density of 326.5 $pF/mm^2$.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.1287-1293
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• 2008

4중 대역의 안테나 스위치 모듈을 개발하였다. 단말기의 front-end 단에서 LTCC 형태의 저역 통과 필터, 다이오드 및 수동 부품들로 구현되는 스위치 부분을 대신하여 수동 집적 회로와 트랜지스터 스위치로 집적화한 것이다. 필터의 수동 소자 및 정합 회로를 통합 구성하여 크기 면에서도 소형화가 가능하고, 가격 경쟁력에서도 우위를 점할 수 있다. 제안하는 안테나 스위치 모듈의 크기는 $5{\times}5\;mm$이고, 두께는 0.8 mm로 제작되었다. 각 대역의 삽입 손실은 평균적으로 1.0 dB이며, 반사 손실은 GSM/EGSM 대역에서 15.1 dB, DCS/PCS 대역에서 19 dB이다.