• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권5호
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• pp.9-14
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• 2005

본 논문은 순수한 고주파 (radio-frequency: rf) 모드의 반사형과 투과형 고주파 단일전자 트랜지스터 (RF-SET) 동작의 새로운 시뮬레이션 기법을 소개한다. 이 기법은 RF-SET 회로를 주파수 영역에서 self-consistent 방법으로 키리히호프 법칙에 기반한 미분 방정식의 해를 구한다. 또한, 이 기법은 정상상태와 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델들 두 가지를 포함한다. 순수한 rf 모드 반사형 RF-SET의 반사파와 순수한 rf 모드 투과형 RF-SET의 투과파를 계산한다. 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산의 정확성은 [참고문헌 2]에서 소개된 방법으로 확인한다. GHz 이상의 고주파에서 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산 결과는 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함해서 RF-SET를 계산한 결과들과 상당한 차이가 있음을 확인했다. GHz 이상 고주파에서 RF-SET 동작 분석은 정확한 시변 단일전자 트랜지스터의 전류 모델이 요구된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권2호
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• pp.7-12
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• 2008

본 연구에서는 게이트 finger수가 증가될수록 드레인 전류의 증가율과 차단주파수가 감소되는 wide width effect를 관찰하였으며, 이 현상을 모델링하기 위하여 기존 BSIM3v3 RF 모델에 finger수에 무관한 외부 소스 저항을 새로 첨가한 개선된 SPICE MOSFET RF 모델을 개발하였다. 이러한 모델로 시뮬레이션된 Nf 종속 드레인 전류와 차단주파수는 기존 BSIM3v3 RF모델보다 $0.13{\mu}m$ multi-finger MOSFET의 측정데이터와 더 잘 일치하였으며, 이는 개선된 RF 모델의 정확도를 증명한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권8호
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• pp.555-559
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• 2003

본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여주었다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제6권3호
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• pp.123-127
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• 2001

CMOS 트랜지스터의 등가회로모델 파라미터 $C_{gs}$ 의 예측방법이 CMOS 트랜지스의 반전층내의 유동전하량 계산과 전하유도 특성에 의해 제안되었다. 이 $C_{gs}$ 파라미터는 MOS 트랜지스터의 RF대역의 차단주파수를 결정하고 또한 입력과 출력을 커플링 시키는 중요한 파라미터이다. 이 제안된 방법은 등가회로 모델에서 파라미터 값을 예측하고 파라미터 값을 추출하는 소프트웨어 개발에 기여할 것이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권3호
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• pp.5-9
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• 2003

In this paper, a layout-based CMOS RF model for RFIC's including the capacitance effect, the skin effect, and the proximity effect between metal lines on the Si surface is proposed for the first time for accurately predicting the RF behavior of CMOS devices. With these RF effects, the RF equivalent circuit model based on the layout of the multi-finger gate transistor is presented. The capacitances between metal lines on the Si surface are modeled with the layout. And the skin effect is modeled to the equivalent ladder circuit of metal line. The proximity effect is modeled by adding the mutual inductance between cross-coupled inductances in the ladder circuit representation. Compared to the BSIM 3v3 and other models, the proposed RF model shows better agreements with the measured data and shows well the frequency dependent behavior of devices in GHz ranges.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.622-628
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• 2001

We developed 1- and 2-dimensional fluid model for the analysis of a capacitively coupled Ar RF(Radio Frequency) glow discharge. This discharge is in pure Ar gas at the pressure 100[mTorr], frequency 13.56[MHz] and voltage amplitude 120[V}. This model is based on the equations of continuity and electron energy conservation coupled with Poison equation. 2-dimensional model is simulated on the condition of GEC(Gaseous Electronic Conference cell). The geometry of the discharge chamber and the electrodes used in the model is cylindrically simmetric; tow cylinders for the electrodes are surrounded by the grounded chamber. It is shown that 1-dimensional model is very useful on the understanding of RF glow discharge property and of the movement of charged particles. 2-dimensional model predicts off-axis maximum structure as in the experiments and has the results in qualitatively and quantitatively good agreement with the experiments. Effects of dc self-bias voltage, guard ring and reactor geometry is discussed.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제10권4호
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• pp.548-558
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• 2007

본 논문에서는 RF 단말의 신호를 분석하여 이동체 위치를 인식하기 위한 방법에 대하여 제안한다. 고정되어 있는 여러 개의 RF 단말과 이동 RF 단말 간의 신호를 분석함으로써 이동 RF 단말의 위치를 실시간으로 인식한다. 이를 위하여 고정되어 있는 n 개의 RF 단말과 특정 위치에 있는 이동 RF 단말 간의 신호 세기 데이터를 획득하여 특징 벡터를 구한 후 모형으로 저장한다. 인식하고자 하는 모든 위치에 대하여 이러한 특징 벡터를 구함으로써 학습이 완료된다. 임의의 위치에 이동 단말이 있을 경우 고정되어 있는 단말 간의 신호 정보를 구하고 이를 사전에 등록한 모형과 비교함으로써 위치를 인식할 수 있다. 실제 주차장에서 위치인식 실험을 한 결과 고정 노드의 수가 10개 이상일 경우 100%의 인식률을 얻을 수 있었다. 본 연구에서 제안하는 방법은 네트워크 인프라가 필요하지 않음은 물론 RF 단말의 가격이 저렴하기 때문에 비용 및 성능측면에서 효과적으로 시스템을 구축할 수 있다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권9호
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• pp.49-53
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• 2016

RF 채널 분포효과를 위한 전압 종속 외부 게이트 커패시턴스가 사용된 High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF accumulation-mode MOS 버랙터의 대신호 모델이 새롭게 개발되었다. 이 모델의 전압 종속 파라미터들은 정확한 S-파라미터 optimization을 사용하여 추출되었고, 이를 피팅하여 empirical 모델 방정식을 구축하였다. 이러한 새로운 대신호 RF 모델은 넓은 전압영역에서 측정된 Y11-파라미터 데이터와 20 GHz까지 잘 일치함으로써 정확도가 검증되었다.

• 전자공학회논문지
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• 제49권12호
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• pp.173-178
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• 2012

RF 직접 추출 방법을 통해 얻은 정확한 MOSFET 기판 파라미터를 이용하여 기판저항만을 가진 BSIM4 모델은 스케일링 부정확성 때문에 넓은 영역의 게이트 길이에 적용하기에는 물리적으로 맞지 않다는 것이 증명됐다. BSIM4의 비물리적인 문제점을 제거하기 위해서 추가적인 유전체 기판 캐패시터를 가진 수정된 BSIM4 모델이 사용되었고, 이 모델의 물리적 타당성은 우수한 게이트 길이 scalability를 관찰함으로써 증명되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권2호
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• pp.9-14
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• 2012

본 연구에서는 common source-bulk와 common source-gate 테스트 구조에서 측정된 S-파라미터를 사용하여 multi-finger RF MOSFET의 기판 파라미터들을 정확하게 추출하였다. 이 추출 방법을 바탕으로 세 개의 기판저항을 사용한 비대칭 RF 모델이 하나의 기판저항을 사용한 단순 모델보다 측정된 Y-파라미터 데이터와 더 잘 일치하는 것을 관찰하였으며, 이는 비대칭 기판 모델의 정확도를 증명한다. 또한 비대칭 RF 모델의 시뮬레이션 S-파라미터가 측정 데이터와 20GHz까지 잘 일치하는 것을 확인하였다.