• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.1053-1056
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• 1998

Package strutures for RF circuit design are characterized and their equivalent circuitsare developed. The circuit parameters are extracted by using the commercial 3-dimensional field solver. The circuit models are verified by using the full-wave analysis in the RF region. It is demonstarted with the developed circuit models that the packages have substantial effects on the RF circuit performances.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권4호
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• pp.28-39
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• 2007

본 논문에서는 저잡음 증폭기 (LNA)를 위한 새로운 구조의 프로그램 가능한 고주파 검사용 설계회로 (RF DFT)를 제안한다. 개발된 RF DFT 회로는 DC 측정만을 이용하여 LNA의 RF 변수를 측정할 수 있으며, 최근의 RFIC 소자에 매우 유용하다. DFT 회로는 프로그램 가능한 커패시터 뱅크 (programmable capacitor banks)와 RF 피크 검출기를 가진 test amplifier를 포함하며, 측정된 출력 DC 전압을 이용하여 입력 임피던스와 전압이득과 같은 LNA 사양을 계산할 수 있다. 이러한 온 칩 DFT 회로는 GSM, Bluetooth 및 IEEE802g 표준에 이용할 수 있는 3가지 주파수 대역, 즉 1.8GHz, 2.4GHz, 5.25GHz용 LNA에서 사용할 수 있도록 자체적으로 프로그램 할 수 있다. 이 회로는 간단하면서도 저렴하다

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.1004-1007
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• 2005

본 논문에서는 저잡음 증폭기 (Low Noise Amplifier, LNA)를 위한 프로그램 가능한 RF (고주파) BIST (Built-In Self-Test) 회로를 제안한다. 개발된 BIST 회로는 온 칩 형태로 DC 측정만을 이용하여 LNA의 RF 변수들을 측정할 수 있다. BIST 회로는 프로그램 가능한 커패시터 뱅크 (programmable capacitor banks)를 가진 test amplifier와 RF 피크 검출기로 구성되어 있다. 이러한 온 칩 회로는 각각 GSM, Bluetooth 및 IEEE802.11g의 응용을 위해 세 가지 주파수 대, 즉 1.8GHz, 2.4GHz 및 5GHz에서 사용할 수 있도록 프로그램 되어있고, LNA가 가지는 RF 사양들, 즉 입력 임피던스 및 전압이득 등을 DC 전압으로 변화시켜주는 역할을 한다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제11권1호
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• pp.56-61
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• 2013

Modern integrated circuits (ICs) are becoming an integrated parts of analog, digital, and radio frequency (RF) circuits. Testing these RF circuits on a chip is an important task, not only for fabrication quality control but also for tuning RF circuit elements to fit multi-standard wireless systems. In this paper, RF test circuits suitable for embedded testing are introduced: RF power detectors, power control circuits, directional couplers, and six-port reflectometers. Various types of embedded RF power detectors are reviewed. The conventional approach and our approach for the RF power control circuits are compared. Also, embedded tunable active directional couplers are presented. Then, six-port reflectometers for embedded RF testing are introduced including a 77-GHz six-port reflectometer circuit in a 130 nm process. This circuit demonstrates successful calibrated reflection coefficient simulation results for 37 well distributed samples in a Smith chart. The details including the theory, calibration, circuit design techniques, and simulations of the 77-GHz six-port reflectometer are presented in this paper.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.410-413
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• 2001

In this paper, we present results of this that design of the multi-layer VCO(Voltage Controlled Oscillator), which is composed of the resonation circuit and the oscillation circuit, using EM simulator and nonlinear RF circuit simulator. EM simulator is used for acquiring EM(Electromagnetic) characteristics of conductor pattern as well as designing multi-layer VCO, Acquired EM characteristics of the circuit pattern was used like real components at nonlinear RF circuit simulator. Finally VCO is simulated at nonlinear RF circuit simulator. The material for the circuit pattern was Ag and the dielectric was DuPont #9599, which is applied for L TCC process. The structure is constructed with 4 conducting layer. Simulated results showed that the output level was about 1[dBm], the phase noise was 102 [dBc/Hz] at 30[kHz] offset frequency, the harmonics -8dBc, and the control voltage sensitivity of 30[MHz/V] with a DC current consumption of l0[mA]

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.410-413
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• 2001

In this paper, we present results of this that design of the multi-layer VCO(Voltage Controlled Oscillator), which is composed of the resonation circuit and the oscillation circuit, using EM simulator and nonlinear RF circuit simulator. EM simulator is used for acquiring EM(Electromagnetic) characteristics of conductor pattern as well as designing multi-layer VCO, Acquired EM characteristics of the circuit pattern was used like real components at nonlinear RF circuit simulator. Finally VCO is simulated at nonlinear RF circuit simulator. The material for the circuit pattern was Ag and the dielectric was Dupont ＃9599, which is applied for LTCC process. The structure is constructed with 4 conducting layer. Simulated results showed that the output level was about 1[dBm], the phase noise was 102 [dBc/Hz] at 30[kHz] offset frequency, the harmonics -8dBc, and the control voltage sensitivity of 30[MHz/V] with a DC current consumption of 10[mA].

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 2006년도 하계종합학술발표회 논문 초록집
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• pp.687-687
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• 2006

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권1호
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• pp.8-18
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• 2000

본 논문은 RF 호로 모듈을 구현하기 위한 방법으로서 BGA(Ball Grid Array) 패키지 구조를 제시하고 그 전기적 변수를 추출하였다. RF 소자의 동작 주파수가 높아지면서 RF 회로를 구성하는 패키지의 전지적 기생 성분들은 무시할 수 없을 정도로 동작회로에 영향을 끼친다. 또한 소형화 이동성을 요구하는 무선 통신 시스템은 그 전기적 특성을 만족시킬 수 있도록 새로운 RF 회로 모듈 구조를 요구한다. RF 회로 모듈 BGA 패키지 구조는 회로 동작의 고속화, 소형화, 짧은 회로 배선 길이, 아날로그와 디지탈 혼성 회로에서 흔히 발생하는 전기적 기생 성분에 의한 잡음 개선등 기존의 구조에 비해 많은 장점을 제공한다. 부품 실장 공정 과정에서도 BGA 패키지 구조는 드릴링을 이용한 구멍 관통 홀 제작이 아닌 순수한 표면 실장 공정만으로 제작될 수 있는 장점을 제시한다. 본 실험은 224MHz에서 동작하는 ITS(Intelligent Transportation System) RF 모튤을 BGA 패키지 구조로 설계 제작하였으며, HP5475A TDR(Time Domain Reflectometry) 장비를 이용하여 3${\times}$3 입${\cdot}$출력단자 구조을 갖는 RF 모튤 BGA 패키지의 전기적 파라메타의 기생성분을 측정하였다. 그 결과 BGA 공납의 자체 캐패시턴스는 68.6fF, 자체 인덕턴스는 1.53nH로써 QFP 패키지 구조의 자체 캐패시턴스 200fF와 자체 인덕턴스 3.24nH와 비교할 때 각각 34%, 47%의 값에 지나지 않음을 볼 수 있었다. HP4396B Network Analyzer의 S11 파라메타 측정에서도 1.55GHz 근방에서 0.26dB의 손실을 보여주어 계산치와 일치함을 보여 주었다. BGA 패키지를 위한 배선 길이도 0.78mm로 짧아져서 RF 회로 모튤을 소형화시킬 수 있었으며, 이는 RF 회로 모듈 구성에서 BGA 패키지 구조를 사용하면 전기적 특성을 개선시킬 수 있음을 보여준 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.3256-3258
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• 1999

Recently contactless ID system has emerged as new ID industry. It's called RF-ID. RF-ID is divided into active RF-ID and passive RF-ID. The passive RF-ID operates without battery and so has no limitation in its operating range and life time. But it needs the RF-OC conversion circuit. It also can be applied to batteryless sensor for many application. This paper presents the study of the RF-OC conversion circuit for batteryless system in high frequency and confirms it by simulation and experiment.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권4호
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• pp.238-246
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• 2011

A 3-5 GHz UWB radar chip in 0.13 ${\mu}m$ CMOS process is presented in this paper. The UWB radar transceiver for surveillance and biometric applications adopts the equivalent time sampling architecture and 4-channel time interleaved samplers to relax the impractical sampling frequency and enhance the overall scanning time. The RF front end (RFFE) includes the wideband LNA and 4-way RF power splitter, and the analog signal processing part consists of the high speed track & hold (T&H) / sample & hold (S&H) and integrator. The interleaved timing clocks are generated using a delay locked loop. The UWB transmitter employs the digitally synthesized topology. The measured NF of RFFE is 9.5 dB in 3-5 GHz. And DLL timing resolution is 50 ps. The measured spectrum of UWB transmitter shows the center frequency within 3-5 GHz satisfying the FCC spectrum mask. The power consumption of receiver and transmitter are 106.5 mW and 57 mW at 1.5 V supply, respectively.