• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 1999년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.36-36
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• 1999

• 대한화학회지
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• 제29권4호
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• pp.382-389
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• 1985

Inductively coupled plasma(ICP)법을 이용하여 희토류원소들을 정량분석할 때 플라스마 작동 조건이 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 플라스마 작동시 시료운반기체의 사용량을 증가시키면 희토류원소 스펙트럼선들의 검출한계는 낮아지나 이온화 방해 영향이 증가되었다. RF power의 변화는 이온화 방해에는 큰 영향을 미치지 않지만 바탕세기에 대한 스펙트럼선 세기의 비율은 RF power가 감소될수록 증가되었다. 플라스마내에서 이온화 방해 영향이 작은 위치는 스펙트럼선의 spacial profile이 최대가 되는 부분보다 약간 높은 위치이었다. 희토류원소의 분석시 많이 이용되는 스펙트럼선들의 검출한계를 측정하고 비교적 간섭영향이 작은 스펙트럼선을 선정하였다.

• 폴리머
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• 제29권6호
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• pp.581-587
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• 2005

상업용 폴리우레탄(PU) 필름의 표면 개질 목적으로 대기압에서 플라스마를 발생시키기 위한 dielectric barrier discharge(DBD) 구조의 평판형 플라스마 반응기 내에서 이온화된 아르곤 플라스마를 사용하였다. 플라스마 처리 공정변수인 처리 시간, 처리 RF-power, 아르곤 가스 유속을 변화시켜가며 접촉각을 측정하여 젖음성과 표면 자유 에너지 변화를 알아보았고, 필름 표면 위에 과산화물을 최대로 도입시키기 위해 플라스마 처리 공정변수를 최적화하였다. 대기압 플라스마 처리 시간 70초, RF-power 120 W, 아르곤 가스유속 6 liter per minute(LPM)에서 가장 높은 젖음성과 표면 자유 에너지 값을 보였고, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazy(DPPH) 법을 사용하여 PU 필름의 표면에 생성된 과산화물의 농도를 정량한 결과, 처리 시간 30초, RF-power 80 W, 아르곤 가스유속 6 LPM의 플라스마 처리 조건에서 최대 2.1 nmol/$\cm^{2}$의 과산화물이 생성되었다.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.112-118
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• 2001

본 논문에서는 축 방향으로 자화된 용량결합형 13.65 MHz/40 KHz RF 방전에서 Langmuir Probe, Emissive Probe를 통해 이온 전류 밀도, 전자 온도, 플라즈마 전위의 자장 의존성 및 자기 바이어스 전위를 조사하였다. 자장을 인가함으로서 실험변수 범위 내에서 최대 3배의 이온 전류밀도증가를 얻었고 점화가능한 기체 압력의 최저값을 줄일 수 있었다. 플라즈마가 자화된 경우 공간 전위는 평균적으로 감소하였고 RF 전압의 한주기 동안 시 변동폭이 크게 증가하였다. 플라즈마 전위의 자장 의존성은 Particle-in-Cell Simulation을 수행하여 실험 결과와 비교하였다. 대표적 실험 조건에서 전자 온도는 자장에 따라 약 4 eV에서 5 eV로 약간 증가하는 경향을 보였으나 방전 주파수를 40 KHz로 줄인 경우 1.8 eV에서 0.8 eV로 감소하였다. 실험 장치의 응용 예로서 플루오로 카본 가스에 의한 식각실험이 수행되었다. 자화 플라즈마의 산화막 식각속도 증가를 확인함으로서 축방향 자장이 실제 공정에 긍정정인 영향을 미침을 확인 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.190-190
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• 2012

전북대학교 고온 플라즈마 응용 연구 센터는 교육과학기술부 기초연구사업 중 고가연구장비 구축사업의 일환으로 소재공정용 다목적 100 kW 플라즈마 발생장치를 구축하고 있다. 100kW급 ICP (RF)형 플라즈마 발생장치는 RF 전력 인출이 이중으로 되어있어 한쪽에서는 수~수십 um 크기의 금속, 세라믹 등 고융점 원료분말을 순간적으로 용해, 기화 및 분해시키고 이들 기화 또는 분해된 증기를 급랭시키는 과정에서 초미분(<1 um)을 합성하는 플라즈마 합성법 연구가 가능하도록 RF 플라즈마 분말 합성 시스템이 연결되어 있고 다른 한쪽으로는 진공 챔버 내에서 고온 고속의 RF 플라즈마 불꽃을 형성 한 후 RF 플라즈마의 축 방향으로 반응성 가스 및 코팅 대상 물질을 주입하여 코팅 할 수 있는 열플라즈마 용사코팅 시스템이 연결되어 있는 다목적 연구 장치이다. 본 장치는 100 kW급 RF 전원 공급기와 유도결합형 플라즈마 토치, 플라즈마 분말 합성 부, 플라즈마 코팅 및 반응성 증착부, 가스 공급부, 냉각수 공급부, 전기 계장/제어부로 구성되어 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제36권1호
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• pp.9-13
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• 2003

Plasma polymerized organic thin films were deposited on Si(100), glass and metal substrates at $25∼100 ^{\circ}C$ using thiophene and toluene precursors by PECVD method. In order to compare physical and electrochemical properties of the as-grown thin films, the effects of the RF plasma power in the range of 30∼100 W and deposition temperature on both corrosion protection efficiency and physical properties were studied. We found that the corrosion protection efficiency ($P_{k}$), which is one of the important factors for corrosion protection in the interlayer dielectrics of microelectronic devices application, was increased with increasing RF power. The highest $P_{k}$ value of plasma polymerized toluene film (85.27% at 70 W) was higher than that of the plasma polymerized thiophene film (65.17% at 100 W), indicating inhibition of oxygen reduction. The densely packed and tightly interconnected toluene film could act as an efficient barrier layer to the diffusion of molecular oxygen. The result of contact angle measurement showed that the plasma polymerized toluene films have more hydrophobic surface than those of the plasma polymerized thiophene films.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제44권2호
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• pp.8-13
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• 2007

본 논문에서는 고효율의 유기발광소자 제작을 위해 플라즈마 조건 변화에 따른 ITO 특성을 분석하였다. $N_2$와 $O_2$ 가스로 RF 플라즈마 출력은 100 W, 200 W, 400 W로 가스압력은 12 mTorr, 120 mTorr로 변화실험을 하였다. $N_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO의 일함수는 $4.88{\sim}5.07$ eV의 값을 나타내었고 $O_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO는 $4.85{\sim}4.97$ eV의 일함수를 나타내었다. $N_2$ 가스에서 가스의 압력이 120 mTorr이면서 플라스마 출력이 200 W의 조건에서 RF 플라즈마 처리한 ITO의 특성이 우수하였다. ITO 표면의 rms roughness는 AFM 이미지에서 계산하여 나타낸 수치로써 $N_2$와 $O_2$ 가스가 주입된 플라즈마로 처리된 ITO는 플라즈마 출력이 200 W일 때 각각 $25.2\;{\AA}$과 $30.5\;{\AA}$로 나타났으며 플라즈마 처리되지 않은 ITO는 $44.5\;{\AA}$이었다. ITO 박막의 투과율 측정에서는 $N_2$와 $O_2$ 가스의 압력을 변화시켜도 ITO의 투과율은 거의 변동이 없었다.

• 접착 및 계면
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• 제6권3호
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• pp.1-9
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• 2005

본 연구에서는 대기압 플라스마 공정으로 표면 처리 시 PMMA 시편의 표면 자유 에너지에 영향을 주는 인자인 radio frequency (RF) 플라즈마 전압(W), 처리시간(s), 방전 글로우와 시료와의 간격(mm) 그리고 아르곤 가스의 유량(LPM)에 대해 실험 계획법(Design of Experiment, DOE)을 적용한 최적화 실험을 실시하였다. 실험 결과, PMMA의 표면 자유 에너지 증가에 가장 큰 영향을 미치는 인자는 플라즈마 방전 글로우와 시료와의 간격(mm), 처리시간(t), 플라즈마 전압(W) 순으로 확인되었다. 또한 표면에 상호 영향을 미치는 플라즈마 전압과 처리시간에 대한 복합매개변수 형태의 power dose (J)에 따른 의존성을 확인했을 때 1500 J에서 최대의 표면 에너지 증가를 보임을 확인하였다. XPS, AFM 분석을 통해 플라즈마 처리 후 PMMA 표면에 새로운 관능기의 도입과 표면 거칠기 변화를 관찰하였다. 플라즈마 처리에 의한 PMMA plate의 표면 자유 에너지의 변화는 플라즈마 처리에 의한 관능기의 도입과 표면적의 변화에 영향을 받는 것으로 생각된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1382-1384
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• 1995

In order to study the structure of RF glow discharge driven at 13.56MHz in argon, the discharge voltage, current and phase shift between them will be measured over a wide range of discharge parameters(gas pressure between 1mTorr and 50mTorr with discharge power between 20mW and 200W). In this paper, the dc glow discharge characteristics and plasma parameters of both FTS and CPMS systems are studied experimentally. It is found that for CPMS system discharge is stablized under wider ranges of magnetic field and pressure than for FTS system. The plasma density and electron temperature of the plasma for these two systems are in the range of $10^{10}{\sim}7{\times}10^{11}[cm^{-3}]$ and $3.5{\sim}6.5$[eV], respectively.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.265-268
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• 1991

In the study, PPTMDSO(plasma-polymerized tetramethyldisiloxane) films were deposited on on glass substrate in a paralled plate reactor. As the function of RF power increased from 20 W to 110 W, and the substrate temperature increased from $25^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$, the deposit ion rate, increased. When oxygen was intentionally added in monomer vapor, the concentration of Si-O-Si bonds increased while C-H, Si-H, -CH3, Si(CH3)x, -CH3, and Si-C bonds decreased in IR spectra. Thermal stability of PPTMSDO film were investigated and weight loss at $800^{\circ}C$ was 7.3 %.