• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.259.2-259.2
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• 2014

Multi-crystal Silicon wafer를 대기압에서 리모트타입의 RF-DBD를 이용하여 에칭을 하였다. DBD소스의 전극으로 알루미늄을 사용하였고 유전체로는 알루미나를 사용하였다(전극 갭을 기록). 전원공급은 13.56 MHz RF 전원장치를 이용하였으며 아르곤과 SF6 유량을 변수로 하여 실험하였다. Ar 유량은 2~10 slm, SF6는 0.2~1 slm으로 변화를 주어 최적화 조건을 찾았다. 결론적으로 SF6의 유량이 증가할수록 Si 에칭율이 증가하였다. 그러나 SF6의 유량이 2 lm일 때 에칭율이 감소하였다. 그리고 scan time이 45초일 때 $2.3{\mu}m/min$로 최대 에칭율을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.139.2-139.2
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• 2013

6" Multi-crystal Silicon wafer has etched suing a remote - type RF Dielectric barrier discharge (RF DBD) at atmospheric pressure. DBD source is composed of Al electrode and coated Al2O3 dielectric as function of Ar/NF3 gas combination and input power used 13.56 MHz power supply. Ar gas flow rate is changed from 2 to 10 Slm, and NF3 flow rate is changed from 0.2~1 slm. At the result, NF3 flow rate Si etching rate also increase whit the increasing of NF3 flow rate But at 2 slm etching rate was decrease. In this experience, Max etching rate is 2.3 ${\mu}m/min$ when the scan time is 45 sec.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.226-226
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• 2011

소형 대기압 플라즈마 소스는 그 형태에 따라 DBD (Dielectric Barrier Discharge)나 Plasma Needle, 혹은 Plasma Jet 등으로 구별되며, 구동 파형의 특성에 따라 DC, RF (Radio Frequency), 혹은 Pulsed 방식 등으로 나뉜다. 또한 코로나 방전도 소형 대기압 플라즈마 장치에서 사용된다. DBD는 1857년 Siemens에 의해 최초로 보고 되었고 산업 분야에서 대규모로 사용되어 왔다. 본 연구에서는 대향 방전 DBD 대신 유전체 양쪽 면에 전극이 도포된 면방전 형태의 DBD 구조 내부로 He 가스가 흐를 때의 방전에 대한 광학적 진단을 수행하였다. 전극간의 거리와 가스 유속의 변화에 따라 방전 특성이 어떻게 달라지에 대해서 Optical Emission Spectroscopy (OES)를 통하여 생성되는 radical 종의 변화를 측정하고 ICCD (intensified charge coupled device) image를 통해 방전이 시간에 따라 어떻게 진행되는지를 진단하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제26권3호
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• pp.122-128
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• 2009

DBD(Dielectric Barrier Discharges) plasma is often used to clean the surface of semiconductor. The cleaning performance is affected mainly by plasma density and duration time. In this study, the plasma density is predicted by coupled simulation of flow, chemistry mixing and reaction, plasma, and electric field. 13.56 MHz of RF source is used to generate plasma. The effect of dielectric thickness, gap distance, and flow velocity on plasma density is investigated. It is shown that the plasma density increases as the dielectric thickness decreases and the gap distance increases.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권2호
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• pp.16-19
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• 2018

The development speed of semiconductor and display device manufacturing technology is growing faster than the development speed of process equipment. So, there is a growing need for process diagnostic technology that can measure process conditions in real time and directly. In this study, a plasma diagnosis was carried out using impedance variation due to the plasma discharge. Variation of the measurement impedance appears as a voltage change at the reference impedance, and the plasma density is calculated using this. The above experiment was conducted by integrating the plasma diagnosis system and the linear atmospheric pressure DBD plasma source. It was confirmed that plasma density varies depending on various parameters (gas flow rate, $Ar/O_2$ mixture ratio, Input power).

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권4호
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• pp.74-78
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• 2017

The discharge characteristics of the radio frequency (RF) surface dielectric barrier discharge have been simulated for the investigation of the ratio of the ion transit time to the RF period. From one-dimensional particle-in-cell (PIC) simulation for a planar dielectric barrier discharge (DBD), it was observed that the high-frequency driving voltage confines the ions in the plasma because of a shorter RF period than the ion transit time. For two-dimensional surface dielectric barrier discharges, a fluid simulation is performed to investigate the characteristics of RF discharges from 1 MHz to 40 MHz. The ratio of the peak density to the average density decreases with the increasing frequency, and the spatiotemporal discharge patterns change abruptly with the change in the ratio of ion transit time to the RF period.

• 한국진공학회지
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• 제15권2호
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• pp.117-138
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• 2006

지표면에서 플라즈마는 전기방전에 의하여 만들어낸다. 그래서 대부분의 플라즈마 발생은 1백만분의 1기압보다 더 낮은 기압에서 발생하고 있었다. 그러나 많은 플라즈마 응용은 고기압에서 발생한 플라즈마를 요구하고 있다. 진공펌프와 같은 고가의 장비를 피하기 위하여 과학자들은 1기압이나 그이상의 압력에서 플라즈마를 발생하는 연구를 하기 시작했다. 많은 량의 제료 공정, 환경보호와 개선, 그리고 고효율 에너지 창출과 이용 등의 분야에 플라즈마를 사용할 때에는 오직 더 많은 량의 플라즈마를 더욱 값싸게 만들 때에만 가능한 것이다. 우리는 따라서 고기압에서 플라즈마를 만들어내는 새로운 방법을 개발하고 이러한 플라즈마가 21세기 산업에 적용될 수 있는 새로운 기반을 구축하는 연구를 수행하고 있다. 이러한 기술은 미래의 재료 공정이나, 환경 그리고 에너지 분야에 지대한 영향을 미칠 것으로 생각한다.

• 폴리머
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• 제29권6호
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• pp.581-587
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• 2005

상업용 폴리우레탄(PU) 필름의 표면 개질 목적으로 대기압에서 플라스마를 발생시키기 위한 dielectric barrier discharge(DBD) 구조의 평판형 플라스마 반응기 내에서 이온화된 아르곤 플라스마를 사용하였다. 플라스마 처리 공정변수인 처리 시간, 처리 RF-power, 아르곤 가스 유속을 변화시켜가며 접촉각을 측정하여 젖음성과 표면 자유 에너지 변화를 알아보았고, 필름 표면 위에 과산화물을 최대로 도입시키기 위해 플라스마 처리 공정변수를 최적화하였다. 대기압 플라스마 처리 시간 70초, RF-power 120 W, 아르곤 가스유속 6 liter per minute(LPM)에서 가장 높은 젖음성과 표면 자유 에너지 값을 보였고, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazy(DPPH) 법을 사용하여 PU 필름의 표면에 생성된 과산화물의 농도를 정량한 결과, 처리 시간 30초, RF-power 80 W, 아르곤 가스유속 6 LPM의 플라스마 처리 조건에서 최대 2.1 nmol/$\cm^{2}$의 과산화물이 생성되었다.

• 한국재료학회지
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• 제16권9호
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• pp.543-549
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• 2006

Polyimides (PI) are treated with $He/O_2$ and $He/O_2/NF_3$ atmospheric pressure rf dielectric barrier discharge in order to investigate the roles of $NF_3$ that is one of the PI etching gases. Surface changes are analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), and contact angle measurement. The surface roughness of PI and the ratio of C=O, which is hydrophilic functional group, is more increased by $He/O_2/NF_3$ discharge than by $He/O_2$ discharge. The C=O species on the PI surface is increased up to 30 percent with rf power. The surface roughness of PI is increased from 0.4 to 11 nm with rf power. The water drop contact angles on PI, however, are reduced from $65^{\circ}\;to\;9^{\circ}$ by plasma treatment independently of $NF_3$.

• 한국진공학회지
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• 제19권1호
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• pp.22-27
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• 2010

$TiO_2$의 표면의 친수성을 증가시키기 위하여 dielectric barrier discharge (DBD)에 의해 발생된 대기압 플라즈마 (atmospheric pressure plasma: APP)를 이용 RF power 50~200 W 범위에서 Ar과 $O_2$ 가스를 사용 대기압 플라즈마로 광촉매 표면을 개질하였다. Ar 가스 단독으로 처리한 시료의 접촉각은 20도에서 10도로 감소하였으며, $O_2$ 가스를 반응성 가스로 하여 처리한 경우에는 접촉각이 20도에서 1도 미만으로 감소하였다. 동일한 RF power에서 $O_2$ 플라즈마 처리 시 더 낮은 접촉각을 확인하였는데, 이는 $TiO_2$ 표면과 산소원자의 결합으로 인하여 표면의 polar force의 증가에 의한 것으로 판단되어 대기압 플라즈마로 처리된 시료의 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)의 스펙트럼 분석결과 OH 작용기의 증가로 표면의 친수성이 증가됨을 확인하였다. 대기압 플라즈마로 처리된 시료와 처리하지 않은 시료의 접촉각은 모두 시간이 지남에 따라 증가하지만 플라즈마 처리 된 시료의 접촉각 증가는 플라즈마 처리하지 않은 시료의 접촉각 보다 작은 것을 확인하였다. 또한, 페놀 분해 실험을 통하여 플라즈마 표면처리를 통하여 $TiO_2$ 광촉매의 분해 효율이 크게 향상되는 것을 확인하였다.