• Title/Summary/Keyword: RF 칩

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Technical Trend of Next-Generation RF Transceiver for Mobile Terminals (차세대 RF 트랜시버 기술 동향)

  • Kim, Jun-Hyeong;Jeong, Jae-Ho;Gwon, Heon-Guk;Lee, Gwang-Cheon
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.23 no.3
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    • pp.72-81
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    • 2008
  • 차세대 이동통신 서비스나 Beyond 4G 이동통신 서비스의 단말기는 유비쿼터스 정보화 사회의 도래에 발맞춰 기존의 single mode 시스템에서 탈피하여 3G LTE, Mobile WiMAX(WiBro), DMB, IEEE 802.11b/g/n 등의 다중 이동통신 서비스를 지원하는 단말기로 발전하는 추세이다. 또한 고속 데이터 전송을 위한 MIMO 및 스마트 안테나 등의 다중 접속 기능은 다중 밴드/다중 모드/다중 경로 처리 구조의 RF transceiver를 요구하고 있다. 이러한 융합 universal 단말기를 구현하기 위해서는 여러 이동통신 서비스를 지원하는 "Reconfigurability and Convergence" RF transceiver가 필요하지만 현재의 집적 기술로는 0-수 GHz에 할당되어 있는 모든 이동통신 서비스를 지원하는 단말기 구현에 제약사항이 많기 때문에 미국 및 유럽의 국외 연구기관과 기업에서는 2-3개의 선택적인 이동통신 서비스를 지원하는 RF transceiver를 개발하여 세계 시장에서 경쟁 준비를 하고 있다. 본 고에서는 차세대 이동통신 단말기의 RF transceiver 칩 셋 기술과 국내외 개발 동향에 대해 살펴보고자 한다.

Low Power Listening Implementation on IEEE 802.15.4-based Sensor Nodes (IEEE 802.15.4 기반 센서 네트워크에서 LPL 구현)

  • Moon, Sung-Hyun;Kim, Taek-Joo;Cha, Ho-Jung
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2006.10d
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    • pp.14-17
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    • 2006
  • 본 논문은 센서 네트워크에서 일반적으로 사용되고 있는 B-MAC의 저전력 기법인 LPL(low power listening)이 갖고 있는 하드웨어 의존성을 지적하고 이러한 의존성이 없는 LPL 구현 기법을 제안한다. preamble과 listening interval 간의 관계를 만족하기 위해 요구되는 기존 LPL의 조건들을 가상 프리앰블 패킷과 크로스 첵킹 방식을 이용하여 해결하였다. 본 논문이 제안하는 기법은 IEEE 802.15.4 기반의 CC2420 RF칩에서의 실험을 통하여 기존의 LPL과 유사한 성능을 보여주었으며, idle listening을 최소화하여 RF칩의 duty cycle이 최대 10.6%까지 감소하였다.

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Analysis of Technology for RF Radiated E/H Fields EMS Tests (복사 전기장 및 자기장 내성시험 기술 분석)

  • Yum, J.H.;Choi, H.D.;Chae, J.S.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.17 no.4 s.76
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    • pp.123-134
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    • 2002
  • ISO/IEC14443-1(1), ISO/IEC10536-1(2), 그리고 ISO/IEC15693-1(3)에서 정의하고 있는 비접촉식 카드의 교류전기장 및 교류자기장에 대한 내성력 시험에 대해 살펴보고자 한다. 상기 규격은 ISO/IEC JTC1 기술위원회의 SC17에서 다루고 있으며, 아직 상기 표준 규격은 초안 상태에 있어 상세한 시험 방법에 대한 규격이 마련되어 있지 않은 실정이다. 그럼에도 불구하고 칩 카드 수입국은 수출업자에게 교류전기장 및 교류자기장 내성시험을 요구하고 있다. 따라서 업계에서는 시험 시설, 시험 방법, 시험 절차, 시험 평가 부분에서 많은 혼란이 발생되고 있다. 이러한 시험에 대한 대응책이 국가적 차원에서 시급히 마련되어야 할 것이다. 본 고에서는 이를 위한 일련의 과정으로서, 칩 카드 관련 국제 규격(1)-(5) 동향을 살펴보고, 교류전기장 및 교류자기장 내성력 시험 절차를 마련하기 위한 관점에서 IEC61000 시리즈 중에서 RF 복사 내성시험인 IEC61000-4-3(6), IEC61000-4-8, IEC61000-4-9, IEC61000-4-10, IEC61000-4-23(7)에 대한 분석을 동시에 실시하였다.

Design of a CMOS Tx RF/IF Single Chip for PCS Applications (PCS 응용을 위한 CMOS Tx RF/IF 단일 칩 설계)

  • 문요섭;전석희;유종근
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.795-798
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    • 2003
  • In this paper, a CMOS Tx RF/IF single chip for PCS applications is designed. The chip consumes 84mA from a 3V supply and the layout area without pads is 1.6mm$\times$3.5mm. Simulation results show that the RF block composed of a SSB RF block and a driver amplifier exhibits a gain of 14.8dB and an OIP3 of 7dBm. The image and carrier suppressions are 35dBc and 31dBc, respectively. The designed circuits are under fabrication using a 0.35${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process.

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A New RF Test Circuit on a DFT Technique (DFT 방법을 위한 새로운 고주파 검사 회로)

  • Ryu Jee-Youl;Noh Seok-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2006.05a
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    • pp.902-905
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    • 2006
  • This paper presents a new RF testing scheme based on a design-for-testability (DFT) method for measuring functional specifications of RF integrated circuits (IC). The proposed method provides input impedance. gain, noise figure. input voltage standing wave ratio (VSWR) and output signal-to-noise ratio (SNR) of a low noise amplifier (LNA). The RF test scheme is based on theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by output DC voltages from the DR chip.

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A DS-QPSK Chip Design and Fabrication for Home RF Wireless Sensors (홈 RF 무선 센서를 위한 DS-QPSK 모듈의 설계 및 칩 제작)

  • Lee Young-Dong;Lee Won-Ki;Jun Soo-Hyun;Chung Wan-Young
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2004.06b
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    • pp.411-414
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    • 2004
  • This paper introduces a modulation method for digital wireless communication based on general DS-QPSK. The design and fabrication is for home networking application to a typical RF transmitter with DS-QPSK modulator. This modulator implemented using VHDL hardware programming language, the fabrication of IC chip $5{\times}5 mm^2$ was carried by 27th IDEC MPW(Multi Project Wafer) process in 0.35${\mu}m$ rule at Samsung Inc. This paper presented the important of this technology for the future application in wireless sensor. This module can be efficient usage for home network to transmit the RF wireless sensor system.

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Time-Varying Parameter Estimation of Passive Telemetry RF Sensor System Using RLS Algorithm (RLS 알고리즘을 이용한 원격 RF 센서 시스템의 시변 파라메타 추정)

  • Kim, Kyung-Yup;Yu, Dong-Gook;Lee, Joon-Tark
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.04c
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    • pp.29-33
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    • 2007
  • In this paper, time-varying parameter of passive telemetry RF sensor system is estimated using RLS(Rescursive $\leq$* Square) algorithm. In order to overcome the problems such as power limits and complication that general RF sensor system including IC chip has, the principle of inductive coupling is applied to model sensor system The model parameter is rearranged for applying RLS algorithm based on mathematical model to the derived model using inductive coupling principle. Time variant parameter of rearranged model is estimated using forgetting factor, and in case measured data is contaminated by noise and modelling error, the performance of RLS algorithm characterized by the convergence of squared error sum is verified by simulation.

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Development of the passive tag RF-ID system at 2.45 GHz (2.45 GHz 수동형 태그 RF-ID 시스템 개발)

  • 나영수;김진섭;강용철;변상기;나극환
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.41 no.8
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    • pp.79-85
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    • 2004
  • In this paper, the RF-ID system for ubiquitous tagging applications has been designed, fabricated and analysed. The RF-ID System consists of passive RF-ID Tag and Reader. The passive RF-ID tag consists of rectifier using zero-bias schottky diode which converts RF power into DC power, ID chip, ASK modulator using bipolar transistor and slot loop antenna. We suggest an ASK undulation method using a bipolar transistor to compensate the disadvantage of the conventional PIN diode, which needs large current Also, the slot loop antenna with wider bandwidth than that of the conventional patch antenna is suggested The RF-ID reader consist of patch array antenna, Tx/Rx part and ASK demodulator. We have designed the RF-ID System using EM and circuit simulation tools. According to the measured results, The power level of modulation signal at 1 m from passive RF-ID Tag is -46.76 dBm and frequency of it is 57.2 KHz. The transmitting power of RF-ID reader was 500 mW

Flexible RFID의 기술 동향

  • 백경갑;주병권
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.17 no.8
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    • pp.20-24
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    • 2004
  • 무선 인식기술이라고 불리는 RFID(Radio Frequency Identification) 기술은 RF 신호를 이용하여 객체들을 식별하는 비접촉 기술 중의 하나이다. RFID를 사용하여 대상을 인증하는 방법은 여러 가지가 있으나 일반적으로 안테나에 마이크로칩을 부착하여 제품 확인을 위한 일련번호나 다른 정보를 삽입하여 사용한다. RFID는 바코드나 적외선 시스템과 달리 리더와 태그(Tag)간에 가시선이 요구되지 않아 사람이 직접 작업하기 어려운 환경 등에 적합하며,바코드나 마그네틱 카드처럼 직접 스캐닝 할 필요가 없다. 특히, 인터넷의 지속적인 성장, RFID 태그 칩의 저가격 구현, 상품코드의 국제 표준화 등의 환경변화로 인해 RFID 기술은 다양한 산업분야에서 실용화를 가능하게 만들고 있다. 이러한 예로, TI, 히타치, 인피니온, 필립스와 같은 기업들은 내년 중으로 10센트 이하 가격대의 상용 RFID 칩을 출시한다는 계획을 세우고 있으며 2006년 정도면 바코드 수준의 원가 경쟁력이 확보될 것이라는 전망도 조심스럽게 제기되고 있다. 또한 2004년에는 유통분야에서 RFID의 시범 사업이 주류를 이룬 후 2005년부터는 본격적인 성장기에 돌입할 수 있을 것으로 기대된다.(중략)

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Design of a CMOS RFID transponder IC using a new damping circuit (새로운 감폭 회로를 사용한 CMOS RFID 트랜스폰더 IC 설계)

  • Park, Jong Tae;Yu, Jong Geun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.38 no.3
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    • pp.57-57
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    • 2001
  • 본 논문에서는 RFID를 위한 읽기 전용 CMOS 트랜스폰더를 one-chip으로 설계하였다. 리더에서 공급되는 자기장으로부터 트랜스폰더 칩의 전원을 공급하기 위한 전파정류기를 NMOS 트랜지스터를 사용하여 설계하였으며, 데이터 저장 소자로는 64비트의 ROM을 사용하였다. 메모리에 저장되어 있는 ID 코드는 Manchester 코딩되어 front-end 임피던스 변조 방식으로 리더에 전송된다. 임피던스 변조를 위한 감폭회로로는 리더와 트랜스폰더 사이의 거리가 변해도 일정한 감폭율을 갖는 새로운 감폭회로를 사용하였다. 설계된 회로는 0.65㎛ 2-poly, 2-metal CMOS 공정을 사용하여 IC로 제작되었다. 칩 면적은 0.9㎜×0.4㎜이다. 측정 결과 설계된 트랜스폰더 IC는 인식거리 내에서 약 20∼25%의 일정한 감폭율을 보이며, 125㎑의 RF에 대해 3.9kbps의 데이터 전송속도를 보인다. 트랜스폰더 칩의 전력소모는 읽기 모드시 약 100㎼이다. 인식거리는 약 7㎝이다.