• 동력기계공학회지
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• 제10권1호
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• pp.71-76
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• 2006

This paper aims to study several type heaters which are mica heater, film heater, quartz heater and rod heater and to get an temteraturel and electrical characteristics. These four type heaters have a merit in many fields than present electric heater with nichrome wire. Carbon and mica plate heater have higher heat efficiency and less electromagnetic waves. Also it has been reported that far infrared ray emission from this heater is good for our health. Additionally heating element is thin and lighter plate. For these reasons, they will be widely used to various application such as room-heating or manufacturing goods. Experimental result confirmed that when 220V current authorized, the temperature, electric current, electric power and the resistance rise to stationary state in early stage. Moreover, the temperatures and electric characteristics show a good stability.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.1783-1788
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• 2004

In the present paper, a micro flow sensor, which can be used at bio-delivery systems and micro heat pumps, is developed. For this, the micro flow sensor is integrated on a quartz wafer ($SiO_2$) and is manufactured by simple and convenient microfabrication processes. The micro flow sensor aims for measuring mass flow rates in the low range of about $0{\sim}20$ SCCM. The micro flow sensor is composed of temperature sensors, a heater, and a flow microchannel. The temperature sensors and the heater are manufactured by the sputtering processes in this study. In the microfabrication processes, stainless steel masks with different patterns are used to deposit alumel and chromel for temperature sensors and nichrome for the heater on the quartz wafer. The microchannel is made of Polydimethylsiloxane(PDMS) easily. A deposited quartz wafer is bonded to the PDMS microchannel by using the air plasma. Finally, we confirmed the good operation of the present micro flow sensor by measuring flow rate.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권5호
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• pp.179-184
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• 2018

고효율 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼는 쵸크랄스키 성장법으로 석영도가니 속의 실리콘 액체에서 단결정 잉곳을 성장시켜 제조된다. 석영도가니 성분 중의 하나는 산소는 실리콘 잉곳으로 유입되고, 태양전지의 전력변환 효율 저하 문제를 발생시킨다. 이러한 산소 유입을 줄이는 다양한 방법 중 하나는 히터의 모양과 구조를 변경하는 방법이 있다. 그러나 히터 구조 변경 시 단결정 실리콘 잉곳 바디 성장에 필요한 온도 분포경향에 큰 변화를 일으킨다. 따라서 본 연구에서는 쵸크랄스키 실리콘 성장에서 다양한 히터의 구조와, 히터와 석영도가니의 상대적 위치가 단결정 실리콘 잉곳 Body 성장 시의 ATC 온도와 Power 분포경향에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 삼중점과 히터 중심과의 위치가 가장 먼 SSH-Low가 가장 높은 ATC 온도 분포경향을 보여주었다. 또한 길이가 짧은 Short Side Heater(SSH-Up, SSH-Low)보다는 실리콘 액체를 담고 있는 석영도가니 측면의 많은 영역을 커버할 수 있는 일반 Side Heater(SH)가 가장 Power 소모 측면에서 유리하였다. 특히 본 연구 결과를 통해 고효율 태양전지용 단결정 실리콘 잉곳 성장 시 필요한 효율적인 ATC 온도를 예측할 수 있음을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권3호
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• pp.287-291
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• 2009

전도된 정체점 흐름을 갖는 반응기 안의 가열된 석영(quartz) 표면에서 암모니아($NH_3$)가 분해되는 반응을 실험과 수치 모사을 이용하여 조사하였다. 질소($N_2$)와 혼합된 8 mole%의 암모니아를 사용하였고 반응 표면으로 사용된 석영 표면을 가열하기 위한 전열기의 온도는 $300{\sim}900^{\circ}C$ 범위로 설정하였다. 라만 분광법(in situ Raman spectroscopy)을 이용하여 획득한 반응기 내부의 온도와 암모니아 농도 정보를 반응기 모델을 이용하여 분석한 결과, 전열기의 온도 설정에 의존하는 석영 표면의 온도는 $235{\sim}619^{\circ}C$ 범위였으며 암모니아 분해 반응의 활성화 에너지는 10.9~15.8 kcal/mol 범위를 가졌다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권1호
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• pp.37-43
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• 2022

In this study, we investigated the optical, electrical and exothermic characteristics of ITO/Ag/ITO multilayer structures prepared with various Ag thicknesses on quartz and PI substrates. The transparent conducting properties of the ITO/Ag/ITO multilayer films depended on the thickness of the mid-layer metal film. The ITO/Ag (14 nm)/ITO showed the highest Haccke's figure of merit (FOM) of approximately 19.3×10^-3 Ω^-1. In addition, the exothermic property depended on the substrate. For an applied voltage of 3.7 V, the ITO/Ag (14 nm)/ITO multilayers on quartz and PI substrates were heated up to 110℃ and 200℃, respectively. The bending tests demonstrated a comparable flexibility of the ITO/Ag/IT multilayer to other transparent electrodes, indicating the potential of ITO/Ag/ITO multilayer as a flexible transparent conducting heater.

• 대한기계학회논문집B
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• 제24권9호
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• pp.1239-1246
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• 2000

The objective of this work is to measure space and time resolved wall heat fluxes during nucleate pool boiling of R113/R11 mixtures using a microscale heater array in conjunction with a high speed CCD. The microscale heater array is constructed using VLSI techniques, and consists of 96 serpentine platinum resistance heaters on a transparent quartz substrate. Electronic feedback circuits are used to keep the temperature of each heater at a specified temperature and the variation in heating power required to keep the temperature constant is measured. Heat flux data around an isolated bubble are obtained with triggered CCD images. CCD images are obtained at a rate of 1000frames/second. The heat transfer variation vs. time on the heaters directly around the nucleation site is plotted and correlated with images of the bubble obtainedby using the high speed CCD. For both of the mixture(R11/R113) and pure system(pure R11, pure R113), the wall heat fluxes are presented and compared to find out the qualitative difference between pure and binary mixture nucleate boiling.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제42권1호
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• pp.69-76
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• 2017

Background: Time-resolved optically stimulated luminescence (TR-OSL) is a very useful method for calculating the lifetimes of crystalline quartz and feldspar. Materials and Methods: A compact TR-OSL system was developed, comprising a heater assembly manufactured using Kanthal wire, 2 powerful blue light-emitting diodes (LED, LXHL-PB02) for optical stimulation equipped with VIS liquid light guides, and a photomultiplier tube combined with an optical filter for luminescence detection. A pulse generated from the data acquisition board (NI PCI 6250) was used to initiate on/off signals in LED and TR-OSL measurements. Results and Discussion: The TR-OSL and background signals measured using this TR-OSL system using quartz samples were very similar to those reported in a previous study. Additionally, the lifetimes of the build-up and TR-OSL signals were calculated as $27.4{\pm}2.2{\mu}s$ and $30.3{\pm}0.6{\mu}s$, respectively, in good agreement with the findings of a previous study. Conclusion: It was concluded that the developed TR-OSL system was very reliable for TR-OSL signal measurements and lifetime calculations.

• 한국재난정보학회 논문집
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• 제10권4호
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• pp.583-597
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• 2014

난방기기에 의한 화재는 다양한 난방기기의 종류처럼 그 원인도 다양하고. 매년 계속되는 전통재래시장에서의 난방기기에 의한 화재사고가 빈번히 발생하여 인명 및 재산상의 손실을 초래하고 있다. 일반주택이나 아파트 등 대부분의 주거시설은 난방용 보일러가 보급되어 난방기기로 인한 화재가 그리 많지 않으나 식당, 시장의 점포와 사무실, 체육관, 공장, 작업장 등에서는 여전히 석유난로, 전기난로 등 난방기기를 사용 하고 있어 화재의 위험성에 노출되어 있다. 또한 난방용 기기의 발생건수를 살펴보면 가정용보일러, 목탄난로, 석유난로, 가스난로/스토브, 전기스토브/히터 순으로 발생한 것으로 분석되었으며, 인명피해 별 건수는 가스난로/스토브, 석유난로 /곤로, 전기히터/스토브, 연탄/석탄난로 순으로 분석되었다. 또한 가스 및 석유관련 난방용기기가 발생빈도(frequency)는 낮지만 화재강도(intensity)가 높은 것으로 분석 되었다. 따라서 본 연구의 목적은 다중이용시설인 전통재래시장에서 아직도 많이 사용되고 있고, 실제 화재발생사례가 많은 석유난로와 전기스토브에 의한 발화 위험성 즉 최소발화온도, 탄화 정도와 그에 따른 열유속을 정상상태와 비정상상태 하에서의 가연물의 접촉 및 전도로 인한 화재 발생 가능성을 재연하여 검토해 봄으로서 보다 과학적인 화재조사 및 감식 접근방법을 강구하고자 하였다. 재연실험 결과 실험체 2종(석유난로/전기스토브) 모두 양호한 축열 조건이 만들어지지 않는 한 발화위험성은 극히 적은 것으로 나타났지만 탄화의 상태는 각 부위별로 진행되는 것으로 분석되었다. 결국 화재로의 전이는 축열에 의한 발화이므로 최소한 화재장소의 축열 온도조건이 $500^{\circ}C$ 이상일 때 발화되는 것으로 분석되었다. 특히 전기스토브의 발열체인 석영관인 경우 가장 짧은 시간 내(10sec)에 $600^{\circ}C$ 이상의 온도로 급 가열 되어 이때의 열유속은 6.26kW/m2으로 나타나 이는 보온된 PVC케이블이 손상과 함께 인체에는 2도 화상을 입히는 결과를 나타내는 것으로 분석 되었다. 아울러 온도 조건 이외에 거리변화에 따른 열량의 감소분을 나타내는 형태계수(Geometric View Factor)와 화재하중(Fire Load)에 따른 온도 변화도 고려되어야 할 중요한 변수임 알았다. 따라서 이에 관한 세심한 화재조사 및 감식의 매뉴얼이 있어야 할 것으로 사료되며 이러한 실험에 의한 과학적이고 합리적인 노력들이 향후 화재조사 및 감식에 대한 매뉴얼 작성과 이론적 토대를 세우는데 기여하기를 기대한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.607-612
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• 1998

RF HPCVD(Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition) has been successfully constructed for diamond thin films. The system consists of plasma generation tube, deposition chamber, pumping lines for gas system. A mixture of $CH_4 and H_2$is used for reaction. Two thermocouples, a quartz tube surrounded by a RF antenna and a magnet, and a high temperature heater were set up in the deposition chamber. The process for the thin film diamond deposition has been carried put in a high vacuum system at a substrate temperature of $800^{\circ}C$, and pressure of 5 mtorr. It is also demonstrated. that the RF HPCVD system has advantages for controlling deposition parameters easily.

• Journal of Information Display
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• 제10권3호
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• pp.117-120
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• 2009

A new crystallization method for amorphous silicon, called selective area heating (SAH), was proposed. The purpose of SAH is to improve the reliability of amorphous silicon films with extremely low thermal budgets to the glass substrate. The crystallization time shortened from that of the conventional solid-phase crystallization method. An isolated thin heater for SAH was fabricated on a quartz substrate with a Pt layer. To investigate the crystalline properties, Raman scattering spectra were used. The crystalline transverse optic phonon peak was at about 519 $cm^{-1}$, which shows that the films were crystallized. The effect of the crystallization time on the varying thickness of the $SiO_2$ films was investigated. The crystallization area in the 400nm-thick $SiO_2$ film was larger than those of the $SiO_2$ films with other thicknesses after SAH at 16 W for 2 min. The results show that a $SiO_2$ capping layer acts as storage layer for thermal energy. SAH is thus suggested as a new crystallization method for large-area electronic device applications.