• 한국재료학회지
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• 제28권4호
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• pp.241-246
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• 2018

$TaN_x$ film is grown by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) using t-butylimido tris(dimethylamido) tantalum as a metalorganic source with various reactive gas species, such as $N_2+H_2$ mixed gas, $NH_3$, and $H_2$. Although the pulse sequence and duration are the same, aspects of the film growth rate, microstructure, crystallinity, and electrical resistivity are quite different according to the reactive gas. Crystallized and relatively conductive film with a higher growth rate is acquired using $NH_3$ as a reactive gas while amorphous and resistive film with a lower growth rate is achieved using $N_2+H_2$ mixed gas. To examine the relationship between the chemical properties and resistivity of the film, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is conducted on the ALD-grown $TaN_x$ film with $N_2+H_2$ mixed gas, $NH_3$, and $H_2$. For a comparison, reactive sputter-grown $TaN_x$ film with $N_2$ is also studied. The results reveal that ALD-grown $TaN_x$ films with $NH_3$ and $H_2$ include a metallic Ta-N bond, which results in the film's higher conductivity. Meanwhile, ALD-grown $TaN_x$ film with a $N_2+H_2$ mixed gas or sputtergrown $TaN_x$ film with $N_2$ gas mainly contains a semiconducting $Ta_3N_5$ bond. Such a different portion of Ta-N and $Ta_3N_5$ bond determins the resistivity of the film. Reaction mechanisms are considered by means of the chemistry of the Ta precursor and reactive gas species.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.9-15
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• 2005

본 연구는 새로 고안된 부정-논리곱 논리기능을 가지는 방전 논리 게이트 플라즈마 디스플레이 패널의 논리 게이트 방전특성을 해석한 것이다. 이 방전 논리 게이트는 방전 경로에 따른 전극사이의 전압을 제어하여 논리 출력을 유도한다. 실험결과 논리 게이트의 방전특성은 두 수직전극에 인가되는 전압들의 상호관계에 영향을 받는다는 것을 알았다. 그리고 대화면 PDP에의 적용 가능성을 검토하기 위하여 전극의 선저항에 의한 방전특성을 평가한 결과, 두 수직전극들의 선저항에 의한 전압강하가 논리 게이트의 방전에 미치는 영향은 미미한 것으로 추론되었다. 실험을 통해 방전 논리 게이트를 구성하는 각 전극들의 펄스전압과 전류제한저항의 최적 값들을 구하였으며 49[V]의 최대동작마진을 얻었다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권3호
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• pp.174-178
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• 2013

플라즈마 디스플레이 패널에서 기입기간 동안 공통전극에서의 벽전하를 이용하여 기입방전특성을 향상시키기 위하여 수정된 구동 파형을 제시한다. 플라즈마 디스플레이의 구동방식에 있어서 초기화 기간 후에 상판의 두 전극에는 음전하가 쌓이게 되고 하판의 기입전극에는 양전하가 쌓이게 된다. 기입기간 중의 기입방전은 주사펄스와 기입펄스가 동시에 인가될 때 발생되는데 주사전극의 음전하와 기입전극의 양전하가 주로 이용된다. 반면에 공통 전극에서는 기입기간 동안 파형인가 없이 전압만 유지하기 때문에 공통전극의 벽전하는 크게 기여하지 않는다. 본 연구에서는 기입기간 중 주사 및 기입 펄스의 인가시각에 맞춰 공통 전극에서도 펄스를 인가하여 기입방전 특성을 조사하였다. 공통 전극에서의 인가전압의 높이와 펄스의 인가시각에 따른 기입 방전특성을 조사하는 실험을 각각 진행하였으며 그 결과 최적의 전압높이와 인가시각 조건하에서 기입방전의 발생시간을 종래보다 약 200 ns 정도 단축시켰다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.185-185
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• 2011

ZnTe semiconductor is very attractive materials for optoelectronic devices in the visible green spectral region because of it has direct bandgap of 2.26 eV. The prototypes of ZnTe light emitting diodes (LEDs) have been reported [1], showing that their green emission peak closely matches the most sensitive region of the human eye. Another application to photovoltaics proved that ZnTe is useful for the production of high-efficiency multi-junction solar cells [2,3]. By using the pulse laser deposition system, ZnTe thin films were deposited on ZnO thin layer, which is grown on (0001) Al2O3substrates. To produce the plasma plume from an ablated ZnO and ZnTe target, a pulsed (10 Hz) YGA:Nd laser with energy density of 95 mJ/$cm^2$ and wavelength of 266 nm by a nonlinear fourth harmonic generator was used. The laser spot focused on the surface of the ZnO and ZnTe target by using an optical lens was approximately 1 mm2. The base pressure of the chamber was kept at a pressure around $10^{-6}$ Torr by using a turbo molecular pump. The oxygen gas flow was controlled around 3 sccm by using a mass flow controller system. During the ZnTe deposition, the substrate temperature was $400^{\circ}C$ and the ambient gas pressure was $10^{-2}$ Torr. The structural properties of the samples were analyzed by XRD measurement. The optical properties were investigated by using the photoluminescence spectra obtained with a 325 nm wavelength He-Cd laser. The film surface and carrier concentration were analyzed by an atomic force microscope and Hall measurement system.

• 한국광학회지
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• 제13권6호
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• pp.559-563
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• 2002

본 논문에서는 직접 고안한 scanned point-detecting system(SPDS)을 이용하여 PDP 방전 셀 내에서 방출되는 광을 3차원 적으로 시간 분해하여 측정하였다. PM tube를 통해 검출된 광 신호를 오실로스코프 상에서 파형을 확인하고 PC제어를 통해 결과를 얻었다. Ne-Xe(4%) 혼합가스가 400 ton압력으로 채워진 패널에서 측정한 시간 분해 결과를 살펴보면 패널의 전면판(top view)에서는 방전이 cathode전극의 안쪽 edge에서 시작되면서 cathode전극 바깥쪽으로 호의 형태를 이루면서 진행되는 것을 알 수 있었으며 패널의 측면(side view)에서 측정한 시간 분해 결과를 살펴보면 약 150$\mu\textrm{m}$의 높이까지 방전에 의한 광이 검출되었다. 그리고 구동전압 펄스가 인가된 후 730 ns에서 가장 큰 intensity가 나타났다.

• 한국음향학회지
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• 제16권1호
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• pp.39-46
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• 1997

본 논문에서 XeF, KrF 엑시머레이저 펄스에 의해 금속에서 여기되는 광음향신호를 PZT 변환기로 검출하여 광음향 변환 메카니즘과 지향성패턴을 분석하였다. 고체에서 레이저펄스에 의한 광음향 변환 매카니즘은 조사되는 레이저의 에너지밀도에 따라 열탄성영역과 플라즈마영역으로 나뉘며 두영역에서 서로 다른 양상을 보인다. 열탄성영역에서는 표면과 수평방향의 변위가 크고 플라즈마영역에서는 반사력으로 인해 수직방향의 변위가 크게 나타나는 것으로 모델링되며 이를 중심파장 480nm의 XeF엑시머레이저와 248nm의 KrFdprtlajfp이저를 사용하여 실험적으로 증명하였다. 또한 열탄성 영역에서 최대종파에너지는 $60^{\circ}$, 최대횡파에너지는 $30^{\circ}$부른에서 나타났고 플라즈마영역에서는 최대 종파와 횡파에너지가 각각 $0^{\circ},\;30^{\circ}$부근에서 나타나는 지향특성을 보였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.18-18
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• 2008

3차원 패키징 System In Package (SIP)구조에서 Chip to Chip 단위 Interconnection 역할을 하는 Through Silicon Via(TSV)를 형성하기 위하여 Pulsating RF bias가 장착된 Inductively Coupled Plasma Etcher 장비를 이용하였다. 이 Pulsating 플라즈마 공정 방법은 주기적인 펄스($50{\sim}500Hz$)와 듀티($20{\sim}99%$) cycle 조절이 가능하며, 플라즈마 에칭특성에 영향을 주는 플라즈마즈마 발생 On/Off타임을 조절할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마 발생 Off일 경우에는 이온(SFx+, O+)과 래디컬(SF*, F*, O*)의 농도 및 활성도를 급격하게 줄이는 효과를 얻을 수가 있는데, 이러한 효과는 식각 에칭시, 이온폭격의 손상을 급격하게 줄일 수 있으며, 실리콘 표면과 래디컬의 화학적 반응을 조절하여 에칭 측벽 식각 보호막 (SiOxFy : Silicon- Oxy- Fluoride)을 형성하는데 영향을 미친다. 그리고, TSV 형성에 있어서 큰 문제점으로 지적되고 있는 언더컷과 수평에칭 (Horizontal etching)을 개선하기 위한 방법으로, Black-Siphenomenon을 이번 실험에 적용하였다. 이 Black-Si phenomenon은 Bare Si샘플을 이용하여, 언더컷(Undercut) 및 수평 에칭 (Horizontal etching)이 최소화 되는 공정 조건을 간편하게 평가 할 수 있는 방법으로써, 에칭 조건 및 비율을 최적화하는 데 효율적이었다. 결과적으로, Pulsating RF bias가 장착된 Inductively Coupled Plasma Etcher 장비를 이용한 에칭실험은 펄스 주파수($50{\sim}500Hz$)와 듀티($20{\sim}99%$) cycle 조절이 가능하여, 이온(SFx+, O+)과 래디컬(SF*, F*, O*)의 농도와 활성화를 조절 하는데 효과적이었으며, Through Silicon Via (TSV)를 형성 하는데 있어서 Black-Si phenomenon 적용은 기존의 Continuous 플라즈마 식각 결과보다 향상된 에칭 조건 및 에칭 프로파일 결과를 얻는데 효과적이었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2000년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.1-1
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• 2000

The results of the modification of metal materials treated by high temperature pulst:d plasma fluxes (HTlPPF) with a specific power of incident flux changing in the $(3...100)10^5{]\;}W/cm^2$ range and a pulse duration lying from 15 to $50{\;}\mu\textrm{s}$ have been presented. The results of HTPPF action were studied on the stainless steels of 18Cr-l0Ni, 16Cr- 15Ni, 13Cr-2Mo types; on the structural carbon steels of (13...35)Cr, St. 3, St. 20, St. 45 types; on the tool steels of U8, 65G, ShHI5 types, and others; on nickel and high nickel alloy of 20Cr-45Ni type; on zirconium- and vanadium-base alloys and other materials. The microstructure and properties (mechanical, tribological, erosion, and other properties) of modified materials and surface alloying of metals exposed to HTPPF action have been investigated. It was found that the modification of materials by HTPPF resulted in a simultaneous increase of several properties of the treated articles: microhardness of the surface and layers of 40...60 $\mu\textrm{m}$ in depth, tribological characteristics (friction coefficient, wear resistance), mechanical properties ({\sigma_y}, {\;}{\sigma_{0.2}}.{\;}{\sigma_r}) on retention of the initial plasticity ($\delta$), corrosion resistance, radistanation erosion under ion irradiation, and others. The determining factor of the changes observed is the structural-phase modification of the near-surface layers, in particular, the formation of the fine cellular structure in the near-surface layers at a depth of $20{\;}{\mu\textrm{m}}$ with dimension of cells changing in the range from 0.1 to $1., 5{\;}\mu\textrm{m}$, depending on the kind of material, its preliminary treatment, and the parameters of plasma fluxes. The remits obtained have shown the possibility of purposeful surface alloying of metals exposed to HTPPF action over a depth up to 20...45 $\mu\textrm{m}$ and the concentration of alloying element (Ni, Cr, V) up to 20 wt.%. Possible industrial brunches for using the treatment have been also considered, as well as some results on modifying the serial industrial articles by HTPPF.

• 한국임상수의학회지
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• 제28권2호
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• pp.225-231
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• 2011

본 연구의 목적은 FSH 분비 조절에 있어서 각각 다른 progesterone (P) 농도가 Pulse 또는 Surge 형태의 분비 패턴에 어떤 영향을 미치는가를 탐구한다. 선행된 연구에서 LH surge는 난포기 (follicular phase)에서 보이는 P 농도에서만 발현되었고 황체기(luteal phase) 또는 아황체기(subluteal phase) P 농도에서는 완전히 억제되었다. 또한 LH pulse 분비는 황체기 P농도에서만 시간 의존적으로 감소되었으나 난포기 또는 아황체기 농도에서는 높은 빈도로 유지되었다. 즉 아황체기 P농도 (스트레스, 황체형성부전에서 발생)는 LH surge는 억제시키나 LH pulse 조절에는 아무런 영향을 마치지 않았다. 이 결과를 바탕으로 FSH surge 및 pulse 분비패턴을 알아보기 위해 난소가 제거된 Shiba 염소를 이용하여 인위적으로 난포기, 아황체기, 기능성황체기의 P 농도 및 estradiol(E) 농도를 유도하였다. 스테로이드 호르몬 농도의 변화를 알아보기 위해 매일 혈액을 채취하였으며, LH pulse 용 혈액은 10분 간격으로 8시간 동안 Day 0, Day 3, Day 7 (Day 0: P packet 이식 직전)에 연속채혈을 실시하고, LH surge 분비패턴은 Day 8에 16시간 estradiol를 3 ${\mu}g/h$ 농도로 주사하고, 52시간 동안 2시간 간격으로 채혈을 실시했다. 그 결과 유도된 P 농도는 염소의 정상적 발정주기에서 볼 수 있는 난포기(<0.1 ng/ml), 아황체기($1.1{\pm}0.1$ ng/ml), 황체기 ($3.3{\pm0.1}$ ng/ml) 수준의 농도로 유도되었다. FSH pulse 분비는 3그룹에서 모두 높은 빈도로 유지되었고, FSH surge는 LH surge와 같은 시간대에서 난포기 그룹에서만 확인되었다. 본 연구의 결과는 FSH pulse는 LH pulse에서 보이는 progesterone에 의한 억제 효과와 다르게 나타났으며, 이러한 결과는 FSH 분비 조절에 있어서 LH 분비와 다른 기전 및 요소들이 관여하는 것으로 판단되었다.

• The Korean Journal of Physiology
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• 제24권1호
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• pp.51-65
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• 1990

The purpose of the present study was to examine the hemodynamic responses, especially in arterial and skin blood flows, in conjunction with the changes of plasma catecholamine levels as an indirect marker of adrenergic tone during the early stage of head-down tilt (HDT), and to evaluate the early physiological regulatory mechanism in simulated weightlessness. Ten mongrel dogs, weighing8\;{\sim}\;14\;kg, were intravenously anesthetized with nembutal, and postural changes were performed by using the tilting table. The postural changes were performed in the following order: supine, prone, HDT $(-6^{\circ}C)$ and lastly recovery prone position. The duration of each position was 30 minutes. The measurements were made before, during and after each postural change. The arterial blood flow $({\.{Q}})$ at the left common carotid and right brachial arteries was measured by the electromagnetic flowmeter. Blood pressure (BP) was directly measured by pressure transducer in the left brachial artery. To evaluate the peripheral blood flow, skin blood flow $({\.{Q}})$ was calculated by the percent changes of photoelectric pulse amplitude on the forepaw, and skin temperature was recorded. The peripheral vascular resistance (PR) was calculated by dividing respective mean BP values by ${\.{Q}}$ of both sides of common carotid and brachial arteries. Heart rate (HR), respiratory rate (f) and PH, $Po_{2},\;Pco_{2}$ and hematocrit of arterial and venous blood were also measured. The concentration of plasma epinephrine and norepinephrine was measured by radioenzymatic method. The results are summarized as follows: Tilting to head-down position from prone position, HR was initially increased (p<0.05) and BP was not significantly changed. While ${\.{Q}}$ of the common carotid artery was decreased (p<0.05) and PR through the head was increased, ${\.{Q}}$ of the brachial artery was increased (p<0.05) and PR through forelimbs was decreased. ${\.{Q}}$ of the forepaw was initially increased (p<0.05) and then slightly decreased, on the whole revealing an increasing trend. Plasma norepinephrine was slightly decreased and the epinephrine was slightly increased. f was increased and arterial pH was increased (p<0.05). In conclusion, the central blood pooling during HDT shows an increased HR via Bainbridge reflex and an increased ${\.{Q}}$ of the forepaw and brachial ${\.{Q}}$, due to decreased PR which may be originated from the depressor reflex of cardiopulmonary baroreceptors. It is suggested that the blood flow to the brain was adequately regulated throughout HDT $(-6^{\circ}C)$ in spite of central blood pooling. And it is apparent that the changes of plasma norepinephrine level are inversely proportional to those of ${\.{Q}}$ of the forepaw, and the changes of epinephrine level are paralleled with those of the brachial ${\.{Q}}$.