• Title/Summary/Keyword: Pulse Forming Network(PFN)

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A Design and Implementation of 30w class Er:YAG laser adopted skin and dental clinic. (치과 및 교부과용 30W급 Er:YAG 레이저 설계 및 구현)

  • 김휘영;신경애
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2001.06e
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    • pp.211-214
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    • 2001
  • For general laser power supply, the secondary of the power transformer is connected to the rectifier and filter capacitor. The output of a rectifier is connected to a switching element in the secondary of the transformer. So the Dower supply is complicated and the loss of switching is considerably. In addition, according to increasing pulse repetition, charged energy of energy-storage capacitor is not transferred sufficiently to flashlamp, and laser output efficiency decreases. In this raper, to improve laser efficiency, we designed and fabricated the power supply in which the SCR was turned on in zero point by the methods of ZCC(zero crossing control), PFN(pulse forming network) in result, laser output efficiency increased by hte 4% other than conventional supply, when a repetition rate was increased by the 10[pps], In 20(pps), efficiency was increased by about 8%

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Development of a High Voltage Semiconductor Switch for the Command Charging o (모듈레이터의 지령충전을 위한 고전압 반도체 스위치 개발)

  • Park, S.S.;Lee, K.T.;Kim, S.H.;Cho, M.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1998.07f
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    • pp.2067-2069
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    • 1998
  • A prototype semiconductor switch for the command resonant charging system has been developed for a line type modulator, which charges parallel pulse forming network(PFN) up to voltage of 5 kV at repetition rates of 60 Hz. A phase controlled power supply provides charging of the 4.7 ${\mu}s$ filter capacitor bank to voltage up to 5 kV. A solid state module of series stack array of sixe matched SCRs(1.6 kV, 50 A) is used as a command charging switch to initiate the resonant charging cycle. Both resistive and RC snubber network are used across each stage of the switch assembly in order to ensure proper voltage division during both steady state and transient condition. A master trigger signal is generated to trigger circuits which are transmitted through pulse transformer to each of the 6 series switch stages. A pulse transformer is required for high voltage trigger or power isolation. This paper will discuss trigger method, protection scheme, circuit simulation, and test result.

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Application of 50-kV Inverter System for Testing a Characteristics of home-made 80-MW Pulsed Klystron (80 MW급 클라이스트론 성능시험을 위한 50 kV 인버터 시스템의 적용)

  • Jang S. D.;Son Y. G.;Oh J. S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • summer
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    • pp.1172-1175
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    • 2004
  • 포항 방사광 가속기의 선형가속기는 2.5GeV 전자빔용 마이크로웨이브의 발생을 위하여 80 MW급 클라이스트론(klystron) 11대와 입사부용 65 MW 급 클라이스트론 1대를 사용한다. 80 MW 급 클라이스트론 부하를 구동하기 위하여 최대 펄스 정격출력 200MW(400kV, 500A, 평탄도 $4.4\;{\mu}s$)인 대출력 펄스 전원공급 장치(modulator)가 요구된다. 모듈레이터 시스템 용 PFN(pulse forming network) 커패시터의 충전용 입력전원으로써 최대 출력전압 50 kV, ${\pm}\;0.5\%$ 이내의 전압제어가 가능한 고전압 인버터 전원장치를 적용하여 PLS 선형가속기용 국산화 개발 클라이스트론 부하의 성능시험을 수행하였다. 국산화 개발된 S-band 펄스 클라이스트론은 고전압 길들이기 과정을 거쳐 최대 정격 출력 빔 전압 400 kV 이상까지 시험 완료하였다. 클라이스트론의 정확한 RF 출력성능의 측정을 위하여 방향성 결합기와 검파기를 설치하여 측정시스템의 성능을 개선하였다. 본 논문에서는 포항 방사광 가속기의 국산화 개발 1호 클라이스트론 부하의 성능시험을 위한 50 kV 급 인버터시스템 적용과정에서 수행하였던 시험장치 개선과 PFN의 충전 특성을 분석하였다. 또한, 클라이스트론의 고전압 및 RF 길들이기 시험 결과에 관하여 고찰하고자 한다.

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A Study on Characteristics of Light Triggered Thyristor for Pulsed Power Application (펄스전력용 광점호 싸이리스터의 특성 연구)

  • Lee, Byung-Ha;Kim, Jin-Sung;Kim, Young-Bae;Cha, Han-Ju
    • The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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    • v.59 no.4
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    • pp.762-767
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    • 2010
  • This paper describes characteristic of a light triggered thyristor investigated by experiment to adopt it into a main switch of a pulsed power unit. Triggering principle of the light triggered thyristor are referred with its structure and equivalent circuit. Operational principle and simulation result of a capacitive pulsed power circuit are explained. A variety of triggering conditions of triggering circuit and characteristics on turn-on, turn-off, voltage dividing in series operation, overvoltage protection function of the light triggered thyristor are investigated by experiments. Experimental result of 40 kJ pulsed power unit using the light triggered thyristor is presented.

Performance Test of High-Power Pulsed Klystron-Load (대출력 펄스 클라이스트론 부하의 성능시험)

  • Jang, S.D.;Son, Y.G.;Oh, J.S.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.07c
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    • pp.1756-1758
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    • 2003
  • 포항 방사광 가속기의 선형가속기는 2.5GeV 전자빔 용 마이크로웨이브의 발생을 위하여 80MW 급 클라이스트론(klystron) 11대와 입사부 용 65MW 급 클라이스트론 1대를 사용한다. 80-MW 급 클라이스트론 부하를 구동하기 위하여 최대 펄스 정격출력 200 MW(400kv, 500A, 평탄도 4.4 ${\mu}s$)인 대출력 펄스 전원공급 장치(modulator)가 요구된다. 모듈레이터 시스템 용 PFN(pulse forming network) 커패시터의 충전용 입력전원으로써 최대 출력전압 50 kV, ${\pm}$ 0.5% 이내의 전압제어가 가능한 고전압 인버터 전원장치를 적용하여 클라이스트론 부하의 성능시험을 수행하였다. 클라이스트론의 RF 전력과 입력 빔의 특성을 정확히 측정하기 위하여 응답특성이 양호한 측정 장치와 정밀한 측정이 요구된다. 인버터 시스템의 적용에 따른 모듈레이터의 충전 특성을 파악하였으며, 방향성 결합기와 검파기를 설치하여 클라이스트론의 RF 출력을 측정하였다. 본 논문에서는 포항 방사광 가속기의 대출력 펄스 고주파원으로 사용되는 클라이스트론 부하의 성능시험 과정에서 수행하였던 시험장치 개선 및 특성 분석, 고전압(빔전압 320 kV) 및 RF 길들이기의 시험 결과에 관하여 고찰하고자 한다.

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The Fast Interlock Controller for High Power Pulse Modulator at PAL-XFEL (고전압 펄스 모듈레이터의 고속 인터록 제어)

  • Kim, S.H.;Park, S.S.;Kwon, S.J.;Lee, H.S.;Kang, H.S.;Ko, I.S.;Kim, D.S.;Seo, M.H.;Lee, S.Y.;Moon, Y.J.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.818-819
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    • 2015
  • PAL-XFEL 장치에 사용 할 고전압 펄스 모듈레이터 출력파워는 수 ${\mu}s$ 범위의 짧은 고전압(400 kV), 대전류(500 A) 펄스를 요구한다. 이러한 펄스파워를 얻기 위해서 PFN(Pulse Forming Network)에 에너지를 축적하고, 플라즈마 스위치인 싸이라트론을 통하여 에너지를 신속하게 클라이스트론 쪽으로 전달한다. 클라이스트론은 모듈레이터에서 공급하는 펄스 전원을 이용하여 RF를 증폭하는 대출력 고주파 증폭장치이다. 고전압 펄스 모듈레이터 제어기는 고속펄스 신호처리 모듈(Fast Pulse Signal Conditioning Module), PLC(Programmable Logic Controller)로 구성되어 있다. 고전압 펄스 모듈레이터에 사용하는 대용량 싸이라트론은 고전력을 스위칭 할 때 발생하는 스위칭 노이즈는 매우 크다. 이러한 노이즈는 모듈레이터의 출력 시그널인 빔 전압, 빔 전류, EOLC(End of Line Clipper) 전류, DC high voltage에 섞여 있으면서 신호 왜곡 및 제어장치의 고장을 유발시킨다. 이처럼 노이즈가 많이 포함되어 있는 아닐로그 신호를 깨끗한 신호(a clean signal)로 바꾸어주는 노이즈 필터링 장치인 고속펄스 신호처리 모듈을 제작하여 실험한 결과를 알아보고 모듈레이터 인터록 시스템인 PLC에서 Dynamic Interlock의 응답시간을 빠르게 하기위한 회로 수정에 대한 결과에 관하여 기술하고자 한다.

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