• 제목/요약/키워드: PtSi CSD

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NEAR-INFRARED WIDE-FIELD IMAGING CAMERA WITH PtSi 1040 $\times$ 1040 CSD

  • ITOH NOBUNARI;YANAGISAWA KENSHI;ICHIKAWA TAKASHI
    • 천문학회지
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    • 제29권spc1호
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    • pp.379-380
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    • 1996
  • We have constructed a near-infrared imaging camera which is attached to the prime focus of 105cm Schmidt telescope at Kiso Observatory. The camera is equipped with a 1040$\times$1040 PtSi CSD array developed by Mitsubishi Electric Co. The combination of Kiso Schmidt and the array gives a wide field of view of 18.4'$\times$18.4' with a reasonable spatial resolution of 1.06' /pixel. The system performances of the camera have been evaluated through laboratory and observational tests. Low noise, good cosmetics(no defect pixels), and good stability of the camera system show an excellent performance for astronomical use.

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CSD 방법을 이용한 $La_2T_2O_7$ 박막제조 (Fabrication of $La_2T_2O_7$ Thin Film by Chemical Solution Deposition)

  • 장승우;우동찬;이희영;정우식
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.339-342
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    • 1998
  • Ferroelectric L $a_2$ $Ti_2$ $O_{7}$(LTO) thin films were prepared by chemical solution deposition processes. Acetylacetone was used as chelating agent and nitric acid was added in the stock solution to control hydrolysis and condensation reaction rate. The LTO thin films were spin-coated on Pt/Ti/ $SiO_2$/(100)Si and Pt/Zr $O_2$/ $SiO_2$/(100)Si substrates. After multiple coating, dried thin films were heat-treated for decomposition of residual organics and crystallization. The role of acetylacetone in Ti iso-propoxide stabilization by possibly substituting $O^{i}$Pr ligand was studied by H-NMR. B site-rich impurity phase, i.e. L $a_4$ $Ti_{9}$ $O_{24}$, was found after annealing, where its appearance was dependent on process temperature indicating the possible reaction with substrate. Dielectric and other relevant electrical properties were measured and the results were compared between modified sol-gel and MOD processes.s.s.

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Chemical Solution Deposition 방법으로 증착된 $Bi_{0.8}A_{0.2}FeO_3$ (A=Pb, Co) 박막의 자기적 특성에 대한 연구

  • 차정옥;안정선
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.245-245
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    • 2011
  • $BiFeO_3$ (BFO)박막에 전위금속 Pb와 Co를 각각 치환환 박막을 chemical solution deposition 방법으로 Pt/Ti/SiO2/Si(100) 기판위에 증착하였다. Bi 자리에 Pb와 Co를 20 at.% 치환하였으며, 치환된 $Bi_{0.8}Pb_{0.2}FeO_3$ (BPFO), $Bi_{0.8}Co_{0.2}FeO_3$ (BCFO) 박막의 구조적, 자기적 특성 변화를 BFO 박막과 비교하여 조사하였다. XRD 패턴을 분석한 결과 BPFO, BCFO 박막들은 모두 rhombohedrally distorted perovskite 구조였으며 불순물인 pyrochlore 상이 약하게 관측되었다. 치환이 이루어진 BPFO, BCFO 박막들의 자기 이력곡선은 안정된 포화곡선을 나타냈으며 BFO의 포화값(5 emu/$cm^3$)에 비해 크게 증가된 55 emu/$cm^3$, 35 emu/$cm^3$의 값을 나타냈다. 또한 보자력장(coercive field, Hc)값도 BFO의 500 Oe보다 크게 증가된 1,200 Oe, 800 Oe의 값을 보였다.

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Chemical Solution Deposition 방법을 이용한 BiFeO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 다층박막의 전기적 특성에 대한 연구 (Ferroelectric, Leakage Current Properties of BiFeO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Multilayer Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition)

  • 차정옥;안정선;이광배
    • 한국진공학회지
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    • 제19권1호
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    • pp.52-57
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    • 2010
  • $BiFeO_3(BFO)/Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$(PZT) bilayer와 multilayer의 다층구조를 만들어 전기적 특성을 측정하여 같은 두께의 BFO 단층박막과 비교해 보았다. BFO와 PZT 용액을 이용하였으며 chemical solution deposition 방법으로 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) 기판위에 각 박막을 증착하였다. X-ray diffraction 분석을 통해 모든 박막이 다배향(multi-orientation) 페로브스카이트 (perovskite) 구조를 가졌음을 확인하였다. BFO/PZT Bilayer와 multilayer 박막들은 BFO 단층박막의 비해 누설전류 값이 500 kV/cm에서 약 4, 5차수 정도 감소했으며, 이로 인해 BFO/PZT 다층박막의 강유전체 특성이 크게 향상되었다. BFO/PZT multilayer 다층구조 박막의 경우 안정된 이력곡선(hysteresis loop)을 나타냈으며, 잔류 분극(remanent polarization)의 값은 $44.3{\mu}C/cm^2$이었으며, 항전계($2E_c$) 값은 681.4 kV/cm였다.