• 제목/요약/키워드: Pre-amplifier

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고정밀도의 뇌파측정시스템 개발 연구 (Fabrication of EEG Measuring System with High Precision Characteristics)

  • 도영수;장호경;한병국
    • 한국의학물리학회지:의학물리
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    • 제13권3호
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    • pp.156-162
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    • 2002
  • 본 연구에서는 뇌파 신호를 측정할 수 있는 고정밀도의 뇌파측정시스템을 제작하였다. 전치증폭기는 분리증폭기의 방식으로 잡음제거 능력을 향상하였으며, 높은 사용자 안전도를 갖도록 제작하였다. 제작된 뇌파측정시스템은 주파수 대역별로 알파, 베타, 세타로 자동으로 분류될 수 있도록 A/D 변환하였다. 변환된 데이터는 DSP를 이용하여 실시간으로 FFT처리를 하였다. 실험은 현재 병력이 없고 건강 상태가 양호한 만 20세에서 26세까지의 학생을 대상으로 실시하였다. 외부의 물리적인 자극이 뇌파에 미치는 영향을 조사하기 위하여, 현재 시판되고 있는 뇌파 자극기인 MS제품을 이용하여 시각과 청각의 두 상태로 외부자극을 주고, 그 반응을 측정하여 비교하였다. 피검자의 감성평가 측정결과 본 연구에서 제작한 뇌파측정기가 유효함을 확인하였으며, 심리적인 상태변화를 조사할 수 있었다.

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Sense amplifier를 이용한 1.5Gb/s 저전력 LVDS I/O 설계 (1.5Gb/s Low Power LVDS I/O with Sense Amplifier)

  • 변영용;이승학;김성하;김동규;김삼동;황인석
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.979-982
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    • 2003
  • Due to the differential transmission technique and low voltage swing, LVDS has been widely used for high speed transmission with low power consumption. This paper presents the design and implementation of interface circuits for 1.5Gb/s operation in 0.35um CMOS technology. The interface circuit ate fully compatible with the low-voltage differential signaling(LVDS) standard. The LVDS proposed in this paper utilizes a sense amplifiers instead of the conventional differential pre-amplifier, which provides a 1.5Gb/s transmission speed with further reduced driver output voltage. Furthermore, the reduced driver output voltage results in reducing the power consumption.

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AIGaAs/GaAs 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용한 10Gbps 고속 전송 회로의 설계 및 제작에 관한 연구 (Design and Fabrication of 10Gbps Optical Communication ICs Using AIGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors)

  • 이태우;박문평;김일호;박성호;편광의
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.353-356
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    • 1996
  • Ultra-high-speed analog and digital ICs (integrated circuits) fur 10Gbit/sec optical communication systems have been designed, fabricated and analyzed in this research. These circuits, which are laser diode (LD) driver, pre-amplifier, automatic gain controlled (AGC) amplifier, limiting amplifier and decision circuit, have been implemented with AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs). The optimized AIGaAs/GaAs HBTs for the 10Gbps circuits in this work showed the cutoff and maximum oscillation frequencies of 65㎓ and 53㎓, respectively. It is demonstrated in this paper that the 10Gbps optical communication system can be realized with the ICs designed and fabricated using AlGaAs/GaAs HBTs.

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사전위상 왜곡을 이용한 IEEE 802.11a OFDM 무선랜 전력증폭기 위상왜곡 특성분석 (Analysis of Power Amplifier Phase Distortion Characteristics for IEEE 802.11a OFDM Wireless LAM Using Phase Predistortion)

  • 오정균;최재홍;구경헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제42권2호
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    • pp.75-80
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    • 2005
  • 본 논문에서는 5.8GHz 무선랜에 적용할 수 있는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 전력증폭기는 2단으로 구성되며 측정결과 중심주파수 5.8GHz에서 21.6dBm의 PldB 출력전력과 100MHz 대역에서 17.6dB 이득과 -17.8dB 이하의 입력반사손실을 얻었다. 설계된 전력증폭기의 왜곡과 출력 ACPR 관계를 분석하기위해, 최대 54Mbps의 전송속도를 가지는 IEEE 802.11a OFDM 변조부와 송신부를 모델링하였다. 전력증폭기의 비선형특성은 behavioral model을 이용하여 AM-to-AM과 AM-to-PM으로 모델링하였으며, 위상 왜곡에 따른 출력스펙트럼 특성을 해석하였다. IEEE 802.11a 무선랜 시스템의 요구 출력스펙트럼 마스크를 만족하기위한 PldB로부터 back-off값을 구하기 위하여 위상왜곡에 따른 전력증폭기의 ACPR 특성을 시뮬레이션하고 사전왜곡방식을 이용하여 증폭기의 위상왜곡을 변화시키며 측정한 결과와 시뮬레이션 특성을 비교 제시하였다.

3차 혼변조 신호의 전치왜곡과 2, 3차 고조파 억제를 통한 고선형성 고출력 전력 증폭기에 관한 연구 (Very High Linearity of High Power Amplifier by Reduction of $2^{nd}$, $3^{rd}$ Harmonics and Predistortion of $3^{rd}$ IMD)

  • 이종민;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제48권1호
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    • pp.50-54
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    • 2011
  • 본 논문에서는 고출력 증폭기의 출력 정합단에서 발생하는 2차, 3차 고조파 성분을 억제하여 단일 고출력 증폭기의 선형성을 개선시키고 $3^{rd}$ IMD의 전치 왜곡에 의한 선형성 개선 PAM (Power Amplifier Module)을 제안하였다. 고조파를 억제하기 위해 정합회로는 메타전자파 구조를 갖도록 설계되었으며 2, 3차 고조파가 각각 27 dBc 이상 억제되었다. $3^{rd}$ IMD의 전치 왜곡은 구동 증폭기에서 발생하는 $3^{rd}$ IMD의 위상을 조절하여 -30도가 되도록 하였으며 이때 고출력 증폭기에서 발생되는 $3^{rd}$ IMD와 상쇄를 일으켜 고출력 증폭기 보다 6 dBc 이상 개선된 고조파 성분을 갖도록 설계되었다. 제안된 PAM은 36.98 dBm의 출력 전력과 21.6 dB의 전력 이득, 29.4 %의 전력 효율을 얻었으며 2차 고조파가 -53 dBc로 참조 증폭기에 비해 20dBc 이상 억제되는 특성을 얻었다.

X-대역 펄스압축 Solid State Radar를 위한 200W SSPA 개발 (Implementation of the 200-Watts SSPA for X-band Pulse Compression Solid State Radar)

  • 김민수;이춘성;이상록;이영철
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제46권12호
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    • pp.22-29
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    • 2009
  • 본 논문에서는 X-대역 펄스압축 반도체형 레이다를 위한 200W SSPA를 개발하였다. 개발한 X-대역 SSPA는 전치증폭단, 구동증폭단, 고출력을 위한 주전력 증폭단의 3단 연계구조형 증폭기로 구성되어있다. X-대역에서 200W 이상의 출력을 내기 위해 주전력 증폭단은 충분한 이득과 전력을 얻을 수 있는 GaN HEMT소자를 사용하여 병렬구조로 설계하였다. 개발한 SSPA는 주파수범위 9.2-9.6GHz, 펄스주기 1ms, 펄스폭 100us, 듀티사이클 10% 조건에서 전체이득 59dB 이상, 출력전력 200W이상의 성능을 가진다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 펄스압축기술을 이용한 고품위 반도체 레이다시스템에 적용할 수 있다.

새로운 형태의 CSP를 이용한 완전 집적화 Ku/K밴드 광대역 증폭기 MMIC (A Fully-integrated Ku/K Broadband Amplifier MMIC Employing a Novel Chip Size Package)

  • 윤영
    • 한국항해항만학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.217-221
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    • 2003
  • 본 논문에서는 새로운 형태의 CSP (chip site package)를 이용하여 정합소자 린 바이어스소자를 MMIC상에 완전집적한 Ku/K밴드 광대역 증폭기 MMIC에 관하여 보고한다. 새로운 형태의 CSP에 대해서는 이방성 도전필름인 ACF (anisotropic conductive film)을 이용하였으며, 그 결과 MMIC 패키지 프로세스가 간략화 되었고, CSP MMIC의 저 가격화가 실현되었다. MMIC상에 집적하기 위한 DC 바이어스 용량소자로서는 고유전율의 STO (SrTiO3) 필름 커패시터가 이용되었다. 제작된 CSP MMIC는 광대역 RF동작특성 (12-24 GHz에서 12.5$\pm$1.5 dB의 이득치, -6 dB이하의 반사계수, 18.5$\pm$1.5 dBm의 PldB) 을 보였다. 본 논문은 K 또는 Ku 밴드의 주파수대역에 있어서의 완전집적화 CSP MMIC에 관한 최초의 보고이다.

레이더용 X-대역 63 Watt Pulsed SSPA 개발 (A Development of the X-Band 63 Watt Pulsed SSPA for Radar)

  • 정민길;나형기
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권3호
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    • pp.380-388
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    • 2011
  • 본 논문에서는 소형 하이브리드 HMIC(Hybrid Microwave Integrated Circuits)를 사용하여 레이더용 X-대역 63 watt 펄스 구동형(pulsed) SSPA(Solid State Power Amplifier)를 개발하였다. Pulsed SSPA는 전원공급기와 초단증폭기, 구동증폭기, 고출력을 위한 최종단 증폭기의 3단의 증폭기로 구성되어 있다. 70도의 고온에서도 듀티 1.2%이고, 짧은 펄스 폭에서 63 watts 이상의 출력을 얻었다. 제작된 모듈은 동작대역 내에서 포화 상태의 이득 37 dB 성능을 보였다. 입출력 정재파비는 1.5:1 미만을 만족하였다. 이 모듈은 +28 $V_{dc}$로 동작되고 400 mA 전력 소모를 가진다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 고속으로 동작하는 펄스 도플러 레이더에 적용할 수 있다.

질화갈륨 소자를 이용한 DPD용 고집적 팔렛트형 고출력증폭기 모듈 설계 (Design of a Highly Integrated Palette-type High Power Amplifier Module Using GaN Devices for DPD Application)

  • 오성민;임종식
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제12권5호
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    • pp.2241-2248
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    • 2011
  • 본 논문에서는 고출력 및 고효율 특성을 지니는 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 고출력 트랜지스터 소자를 이용하여 WiMAX 및 LTE(long term evolution) 시스템에 사용 가능한 60watt급 고출력증폭기 모듈을 팔렛트(palette) 타입으로 개발한 결과에 대하여 기술한다. 높은 이득을 얻기 위한 라인업(lineup) 구성을 위해 저전력이면서 고이득을 지니는 전치증폭단, 8watt급의 GaN 구동증폭단, 그리고 30watt급 GaN 소자 2개를 도허티(doherty) 구조로 구성한 60watt 고출력증폭단을 사용하였으며, 이로부터 2.5~2.68GHz에서 61.4dB의 이득과 ${\pm}$0.075dB의 우수한 이득 평탄도를 얻었다. 특히 구동단과 고출력증폭단은 고효율 및 고출력 특성의 GaN 소자를 사용하였고, 또한 추가적인 효율 개선을 위해 도허티 구조를 적용함으로써 보다 높은 효율을 가지도록 하였다. 현재 전 세계적으로 널리 사용되고 있는 WiMAX 신호를 사용하여 제작된 팔렛트 타입의 증폭기 모듈의 성능을 측정하였는데, RRH(remote radio head) 타입으로 구성된 사용 예에서 WiMAX 변조 신호 10watt 출력 기준으로 약 37~38%의 효율을 나타내었다. 제작된 증폭기 모듈을 디지털 전치왜곡기(digital predistorter, DPD)와 연동하여 시험한 결과 WiMAX 변조 신호 10watt 출력에서 ACLR은 46dBc 이상의 특성을 지닌다.

차분 진동형 가속도계 전기적 모델링 및 실험적 검증 (Electromechanical Modeling and Experimental Verification of Differential Vibrating Accelerometer)

  • 이정신;임재욱
    • 한국항공우주학회지
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    • 제39권6호
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    • pp.517-525
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    • 2011
  • 차분 진동형 가속도계는 입력 가속도에 따른 공진 주파수의 변화를 감지하는 공진형 센서이다. 이 때 가속도계 전기적 동역학의 수학적 모델링 및 구조 특성의 실험적 검증이 정밀한 제어기 및 높은 양질계수를 가지는 구조 설계에 앞서 필요하게 된다. 본 논문에서는 차분 진동형 가속도계의 공진자, 전극 모듈 및 전치증폭기 등의 전기적 모델링을 제시한다. 이러한 모델링 기법은 공진 주파수, 유효 질량, 유효 강성, 양질 계수 등을 측정함으로써 실험적으로 검증된다. 또한 모델링을 통해 예측된 진폭과 측정된 전치증폭기 출력의 직접적인 비교는 본 연구의 유효성을 보여준다.