• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.100-101
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• 2012

The plasma damage free and room temperature processedthin film deposition technology is essential for realization of various next generation organic microelectronic devices such as flexible AMOLED display, flexible OLED lighting, and organic photovoltaic cells because characteristics of fragile organic materials in the plasma process and low glass transition temperatures (Tg) of polymer substrate. In case of directly deposition of metal oxide thin films (including transparent conductive oxide (TCO) and amorphous oxide semiconductor (AOS)) on the organic layers, plasma damages against to the organic materials is fatal. This damage is believed to be originated mainly from high energy energetic particles during the sputtering process such as negative oxygen ions, reflected neutrals by reflection of plasma background gas at the target surface, sputtered atoms, bulk plasma ions, and secondary electrons. To solve this problem, we developed the NBAS (Neutral Beam Assisted Sputtering) process as a plasma damage free and room temperature processed sputtering technology. As a result, electro-optical properties of NBAS processed ITO thin film showed resistivity of $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}m$ and high transmittance (>90% at 550 nm) with nano- crystalline structure at room temperature process. Furthermore, in the experiment result of directly deposition of TCO top anode on the inverted structure OLED cell, it is verified that NBAS TCO deposition process does not damages to the underlying organic layers. In case of deposition of transparent conductive oxide (TCO) thin film on the plastic polymer substrate, the room temperature processed sputtering coating of high quality TCO thin film is required. During the sputtering process with higher density plasma, the energetic particles contribute self supplying of activation & crystallization energy without any additional heating and post-annealing and forminga high quality TCO thin film. However, negative oxygen ions which generated from sputteringtarget surface by electron attachment are accelerated to high energy by induced cathode self-bias. Thus the high energy negative oxygen ions can lead to critical physical bombardment damages to forming oxide thin film and this effect does not recover in room temperature process without post thermal annealing. To salve the inherent limitation of plasma sputtering, we have been developed the Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process as the high quality oxide thin film deposition process at room temperature. The MFSS process is effectively eliminate or suppress the negative oxygen ions bombardment damage by the plasma limiter which composed permanent magnet array. As a result, electro-optical properties of MFSS processed ITO thin film (resistivity $3.9{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, transmittance 95% at 550 nm) have approachedthose of a high temperature DC magnetron sputtering (DMS) ITO thin film were. Also, AOS (a-IGZO) TFTs fabricated by MFSS process without higher temperature post annealing showed very comparable electrical performance with those by DMS process with $400^{\circ}C$ post annealing. They are important to note that the bombardment of a negative oxygen ion which is accelerated by dc self-bias during rf sputtering could degrade the electrical performance of ITO electrodes and a-IGZO TFTs. Finally, we found that reduction of damage from the high energy negative oxygen ions bombardment drives improvement of crystalline structure in the ITO thin film and suppression of the sub-gab states in a-IGZO semiconductor thin film. For realization of organic flexible electronic devices based on plastic substrates, gas barrier coatings are required to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency flexible AMOLEDs needs an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$. The key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required (under ${\sim}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$) is the suppression of nano-sized defect sites and gas diffusion pathways among the grain boundaries. For formation of high quality single inorganic gas barrier layer, we developed high density nano-structured Al2O3 single gas barrier layer usinga NBAS process. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to a nano- crystalline phase with various grain sizes in a single inorganic thin film. As a result, the water vapor transmission rates (WVTR) of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film have improved order of magnitude compared with that of conventional $Al_2O_3$ layers made by the RF magnetron sputteringprocess under the same sputtering conditions; the WVTR of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film was about $5{\times}10^{-6}g/m^2/day$ by just single layer.

• 대한골관절종양학회지
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• 제3권2호
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• pp.80-88
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• 1997

저온 열처리 후 신경의 기능적 회복과정을 연구하기 위해 가토의좌골 신경을 $60^{\circ}C$로 30분간 처리한 후 2주, 4주, 8주, 12주, 16주 후에 근전도 검사 및 조직학적 검사를 실시하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 신경전도 검사에서 평균 진폭은 실험 2주째에는 5마리 중 1마리를 제외하고는 측정되지 않았으며, 4주째에는 대조군의 7.2%, 8주째에는 26.8%, 12주째에는 52.9%, 그리고 16주째에는 89.5%의 수준으로 회복되었다. 평균 잠복기는 정상 대조군에서 0.62msec였으며, 실험군에서는 4주째에 3.58msec, 8주째에 2.68msec, 12주째에 1.2msec로 시간이 경과함에 따라 회복되어, 16주째에는 0.622msec로 대조군과 차이가 없었다. 2. 침근전도 검사에서 실험 2, 4, 8주째까지는 많은 수의 세동전위 및 양성 예파가 관찰되었으나, 12주째부터는 그 수가 감소하여 16주째에는 세동전위는 관찰되지 않았고 양성 예파만 관찰되어 손상된 신경이 회복됨을 나타내었다. 3. 조직학적 검사에서 실험 2주 및 4주째에는 유수신경섬유에 상당한 공포성 변성이 있고 신경섬유의 수가 감소된 것을 관찰할 수 있었으나, 시간이 경과할수록 신경섬유의 수가 점차 회복 되었으며 16주째에는 대조군과 차이가 없었다. 이상의 성적으로 미루어 보아 저온열처리에 의해 손상된 신경은 처리후 시간이 경과하며 기능적으로나 형태적으로 회복되므로, 임상적으로 신경이 종양조직으로 둘러싸이거나 접촉된 사지에서도 사지보존술이 가능할 것으로 사료된다.

• 한국석유지질학회지
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• 제5권1_2호
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• pp.27-35
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• 1997

연구지역인 고래 II지역은 한반도 동남쪽 육지에 근접해 있으며 울릉분지(쓰시마분지)의 서남부에 위치한다. 동지역에 대한 3D탐사는 2D탐사에 의해 기확인된 구조들의 정밀평가를 목적으로 시행되었으며, 동작업의 일환으로 울릉분지의 층서 및 구조의 정밀분석이 시행되었다. 동지역은 기반암이 얕고 울릉분지의 구조운동이 모두 영향을 미친 지역으로 고해상도의 기반암지역 자료를 토대로 기반암을 포함하는 구조운동 및 층서와의 상관관계가 분석되었다. 3D 탄성파 자료 해석결과, 본 지역에는 조구조운동과 성인적 연관을 가진 8개의 건층면이 관찰되고 있다. 연구지역에서 관찰되는 지질구조는 분지형성초기에 형성된 블록단층과 후기 마이오세 스러스트 및 플라이오세 렌치단층 등 세 종류의 단층이 관찰되며, 울룽곡분으로 불리는 완만한 향사가 발달되어 있다. 본 지역에서 상기 지질 구조와 관련된 퇴적 시퀀스로는 음향 기반암, 열개동시성 시퀀스(시퀀스 $A_1, A_2$), 후열개 시퀀스 (시퀀스 $B_1{\~}B_3$),횡압력 동시성 시퀀스 (시퀀스 C) ,후횡압력 시퀀스 (시퀀스 D)등이 인지되었다. 각 시퀀스에 대해 구조도, 등시선도 등이 작성되어 상분석, 퇴적환경 해석작업이 이루어 졌다. 조구조운동 및 퇴적물 공급량에 따른 상대 해수면 변화와 관련하여 발달한 본 지역 시퀀스의 해석 결과, 울릉분지는 여러 형태의 조구조운동 및 퇴적물공급에의해 형성된 복합적인 분지의 층서 및 구조 양상을 나타낸다.

• 한국지역지리학회지
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• 제10권1호
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• pp.67-82
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• 2004

본 연구의 목적은 1990년대 이후 경제, 정치, 사회문화, 도시 공간 및 환경 등 제 측면에서 전개되고 있는 대전의 새로운 도시화 과정을 경험적으로 확인하려는 것이다. 선진국의 경우 1980년대 이후 세계 경제 구조의 변화 속에서, 이른바 포드주의적 사회경제체제에서 탈포드주의적 사회경제체제로의 전환이 나타나고 있다. 이러한 변화는 선진국의 주요 대도시에 영향을 미쳐, 사회 부문별 및 도시 공간적 측면에서 새로운 도시화 과정이 전개되도록 했다. 본 연구는 우리나라의 대도시에서도 이러한 선진국 대도시들에서 경험하고 있는 새로운 도시화 과정이 나타나는지 여부를 파악하기 위해 대전을 사례로 고찰해 보고자 한다. 주요 연구 결과는 다음과 같다. 첫째, 경제적 측면에서 대전은 1990년대 이후 탈산업화와 경제의 서비스화가 진행되고 있지만, 아직도 기존 경제구조가 근본적으로 전환된 것은 아니며, 기존 산업 유형과 새로운 첨단산업 경제가 공존하고 있다. 둘째, 정치적 측면에서 대전에서는 지역 정당인 자민련의 독점 구조가 해소되고 있으며, 시민운동의 활성화가 두드러지게 나타나고 있다. 셋째, 도시 공간적 측면에서 원도심의 쇠퇴가 진행되는 반면, 둔산과 유성의 신도심 지역의 발전이 확연하게 나타나고 있다. 결론적으로 대전에서 새로운 도시화의 단서들이 나타나고 있지만, 서구의 대도시들에서 나타나는 현상보다 훨씬 약하며 다소 상이한 모습을 보이고 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.122-122
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• 2008

Recently, Metal/Alumina/Silicon-Nitride/Silicon-Oxide/Silicon (MANOS) structures are one of the most attractive candidates to realize vertical scaling of high-density NAND flash memory [1]. However, as ANO layers are miniaturized, negative and positive bias temperature instability (NBTI/PBTI), such as the flat band voltage shift, ${\Delta}V_{FB}$, the interfacial trap density increase, ${\Delta}D_{it}$, the gate leakage current, ${\Delta}I_G$. and the retention characteristics, in MONOS capacitors, becomes an important issue in terms of reliability. It is well known that tunnel oxide degradation is a result of the oxide and interfacial traps generation during FN (Fowler-Nordheim) stress [2]. Because the bias temperature stress causes an increase of both interfacial-traps and fixed oxide charge could be a factor, witch can degrade device reliability during the program and erase operation. However, few studies on NBTI/PBTI have been conducted on improving the reliability of MONOS devices. In this work, we investigate the effect of post-annealing gas on bias temperature instability (BTI), such as the flat band voltage shift, ${\Delta}V_{FB}$, the interfacial trap density shift, ${\Delta}I_G$ retention characteristics, and the gate leakage current characteristics of MANOS capacitors. MANOS samples annealed at $950^{\circ}C$ for 30 s by a rapid thermal process were treated via additional annealing in a furnace, using annealing gases $N_2$ and $N_2-H_2$ (2 % hydrogen and 98 % nitrogen mixture gases) at $450^{\circ}C$ for 30 min. MANOS samples annealed in $N_2-H_2$ ambient had the lowest flat band voltage shift, ${\Delta}V_{FB}$ = 1.09/0.63 V at the program/erase state, and the good retention characteristics, 123/84 mV/decade at the program/erase state more than the sample annealed at $N_2$ ambient.

• 과학기술학연구
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• 제15권1호
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• pp.145-180
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• 2015

인간게놈프로젝트(HGP)는 지난 세기말 미국 영국 프랑스 중국 독일 일본의 컨소시엄이 수행한 거대과학이다. 그러나 한국에서의 HGP는 부족한 재원과 정부의 지원 미비 등으로 인해 일부 전문가 및 소수 난치병 환우들의 주장에도 불구하고 수행되지 못하였다. 이처럼 '90년대-한국의-HGP'는 구성되지 못했지만 포스트게놈 시대에 들어오면서 유전체의학이 활성화될 수 있게 된 사회적 메커니즘을 본 연구는 삼중나선 모델에 기반하여 분석하고자 한다. 포스트게놈 시대의 국내 유전체의학 연구들은 대학-기업-정부의 전통적 삼중나선 분류로는 정확히 설명이 안 되는 하이브리드 조직들을 중심으로 비로소 수행될 수 있었다. 국내 대학의 선도적 유전체연구자들은 기금부족 문제를 해결하기 위해 필수적으로 기업을 설립해야 했고, 이는 상업적 이익을 위해 선택적으로 벤처기업을 설립하는 선진국의 기업가적 대학과는 매우 다른 모습이다. 두 개의 사례연구를 통해 본 논문은 이 조직들이 사실상 뚜렷이 구별되기 어려운 대학과 기업의 연구 중합체(research assemblage)임을 보인다. 비슷한 맥락에서, 기업을 창업하지 않은 대학의 다른 유전체 연구자들도 정부와의 접점에서 구성되는 다양한 조직들을 통하고서야 비로소 유전체 연구를 수행할 수 있었다. 본고에서 '90년대-한국의-HGP'가 수행되지 못한 과학임을 주장하는 것은 결코 아니지만, 수행되지 못한 과학의 개념과 맥락적 유사성을 가졌던 게놈 연구가 활성화되기 위해서는 삼중나선의 변형적 수용이 필요했다는 점을 최종적으로 보이고자 한다.

• 한국재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.484-490
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• 1999

Pt/SiOz!Si의 기판위에 $(Pb,La)TiO_3$(PLT) 박막을 졸-겔 방법으로 제작하여 La 첨가량 및 후속열처리 온도에 따른 결정학적, 전기적 특성율 조사하였다. $600^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리된 PLT 박막 시료의 경우 La 도핑량에 관계없이 전형적인 perovskite 결정구조를 보여 주었다. La이 전혀 첨가되지 않은 $(Pb,La)TiO_3$(PT) 시료에 10 mole% La을 첨가할 경우 (PLT-I0 시료) c축 배향도는 약 63%에서 26%로 크게 감소하였다. PLT-1O 박막시료의 깊이에 따른 AES 분석결과 박막내의 각 성분원소 들이 비교척 균일하게 분포되어 았고 하부전극(Pt)과 PLT 박막층 사이에는 상호반응없이 비교적 안정된 막을 형성하고 있음을 알 수 있었다. $600^{\circ}C$에서 열처리된 PLT-1O 박막의 유전상수$({\varepsilon}r)$ 와 유전정접 (tan$\delta$) 은 약 193과 0.02의 값을 나타내였다. 후속열처리 온도를 $600^{\circ}C 에서 700^{\circ}C$로 증가함에 따라 잔류분극$(2Pr,Pr_+-Pr_-)$은 약 $4\muC\textrm{cm}^2 에서 약 16\muC\textrm{cm}^2$로 크게 증가하였으며 잔류 분극값의 증가는 후속열처리에 의해 결정성이 개선되었기 때문이라 판단된다. $30^{\circ}C$ 온도부근에셔 초전계수($\gamma$)는 약 $4.0nC/\textrm{cm}^2{\cdot}^{\circ}C$의 값을 냐타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.134-134
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• 2011

High-k dielectric materials such as $HfO_2$, $ZrO_2$ and $Al_2O_3$ increase gate capacitance and reduce gate leakage current in MOSFET structures. This behavior suggests that high-k materials will be promise candidates to substitute as a tunnel barrier. Furthermore, stack structure of low-k and high-k tunnel barrier named variable oxide thickness (VARIOT) is more efficient.[1] In this study, we fabricated the $WSi_2$ nanocrystals nonvolatile memory device with $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ tunnel layer. The $WSi_2$ nano-floating gate capacitors were fabricated on p-type Si (100) wafers. After wafer cleaning, the phosphorus in-situ doped poly-Si layer with a thickness of 100 nm was deposited on isolated active region to confine source and drain. Then, on the gate region defined by using reactive ion etching, the barrier engineered multi-stack tunnel layers of $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ (2 nm/1 nm/3 nm) were deposited the gate region on Si substrate by using atomic layer deposition. To fabricate $WSi_2$ nanocrystals, the ultrathin $WSi_2$ film with a thickness of 3-4 nm was deposited on the multi-stack tunnel layer by using direct current magnetron sputtering system [2]. Subsequently, the first post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 1 min by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The 15-nm-thick $SiO_2$ control layer was deposited by using ultra-high vacuum magnetron sputtering. For $SiO_2$ layer density, the second post annealing process was carried out at $900^{\circ}C$ for 30 seconds by using rapid thermal annealing system in nitrogen gas ambient. The aluminum gate electrodes of 200-nm thickness were formed by thermal evaporation. The electrical properties of devices were measured by using a HP 4156A precision semiconductor parameter analyzer with HP 41501A pulse generator, an Agillent 81104A 80MHz pulse/pattern generator and an Agillent E5250A low leakage switch mainframe. We will discuss the electrical properties for application next generation non-volatile memory device.

• 콘크리트학회논문집
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• 제24권3호
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• pp.285-292
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• 2012

일반적으로 콘크리트 구조물은 보와 기둥이 서로 강결되어 있으며, 이러한 경우 강진에 의해 연결부에서 심각한 손상이 발생할 수 있다. 이를 저감시키면서 내진성능을 향상시키기 위한 다양한 연결 형태가 연구되어지고 있다. 그 한 예로 연결부에서의 회전을 허용하는 연결형식이 있으며 보나 기둥, 그리고 전단벽에 응용되고 있다. 이러한 회전형 구조요소들은 횡방향 거동시 비선형 힘-변위 관계를 나타내는데, 그 원인은 연결부의 회전으로 인한 접촉면의 깊이(contact depth)가 줄어듦과 동시에 요소의 각 단면에서의 응력이 비선형적으로 분포되는 탄성힌지 구간이 존재하기 때문이다. 이 연구에서는 축방향 하중(공칭강도의 5%와 10%)과 경계조건(양단구속 형식, 캔틸레버 형식), 세장비(L/d = 5, 7, 10) 등의 변수를 고려한 유한요소해석을 통해 회전형 기둥의 탄성힌지 구간 또는 길이를 분석하였다. 그 결과 이 세가지 변수는 탄성힌지길이 변화에는 직접적인 영향을 주지 않았으며 다만 접촉면의 깊이에 의해 지배됨을 알 수 있었다. 이 탄성힌지길이는 opening state부터 발생하기 시작하여 rocking point까지(pre-rocking 구간) 증가하였으나 그 이후(post-rocking 구간)에서는 일정한 값을 보였다. 탄성힌지길이에 대한 유한요소해석 결과를 이론적 예측식인 반무한모델(half space model)의 결과와 비교하였다.

• Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
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• 제13권3호
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• pp.278-290
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• 1991

Prediction of the sop tissue changes following hard tissue movements is very important in the preoperative analysis of surgical changes of the patient who have orthognathic surgery. This study examined post operative changes of the mid-facial sop tissues in Koreans depending upon two major positional changes of the maxilla following Le Fort - I type osteotomy for orthognathic purposes. Sixty patients(41 males and 19 females) of Koreans were selected and divided into two groups according to directional change of movement of anterior bony structures of the Maxilla as follows : Group I (44 patients) was mooed anteriorly and/or inferiorly, and Group II (16 patients) was mooed posteriorly and/or superioly. Postoperative changes of the sop tissue measurements following hard tissue changes were examined on pre - and post - operative cephalometrics by means of computerized digitation methods and the ratios of changes were analysed. The results were obtained as follows : 1. In Group I, all of the sop tissue measures except the Pn was closely followed by the changes of the hard tissue measures in the horizontal plane, but the Sn and the Cm were only correlated to the vertical changes(p<0.001). In group II, all of the sop tissue measures excluding of the N' and the Pn were significantly correlated to the hard tissue measures in horizontal plane(p<0.001), but the Ls and Stm were only correlated relatively to the vertical changes of the ANS(p<0.01). 2. Predictable ratio of the Sn was 66% of the ANS or 56% of the A in the horizontal plane and 89% of the A in the vertical plane in Group I. In Group II, the Sn was predictable as 85% of the ANS or 70% of the A in the horizontal plane but was not predictable in vertical plane. 3. Predictable ratio of the Cm was 28% of the ANS or 50% of the A in the horizontal plane and 56% of the ANS or 36% of the A in the vertical plane in Group I. In Group II, the Cm was predictable horizontally as 74% of the A. Predictable ratio of the Pn was 30% of the ANS or 38% of the A in horizontal plane in Group I, but it was not predictable both horizontally and vertically in Group II. 4. Predictable ratio of the Ls was 52% of the Pr in Group I and 77% in Group II in the horizontal plane. The Stm was predictable as 34% of the pr or 22% of the I in the horizontal plane in Group I, and was also predictable as 55% of the pr or 68% of the I horizontally and 21% of the pr or 65% of the I vertically in Group II. 5. All ratios of change in the thickness. length and area of the upper lip following maxillary movement were statiscally correlated, however, mangitudes of them were meaningful clinically.