• 대한화학회지
• /
• 제48권1호
• /
• pp.39-45
• /
• 2004

산에 민감한 작용기를 갖는 tert-butyl methacrylate(tBMA)와 산 증식 기능을 갖는 4-hydroxy-4''p-styrenesulfonyloxyisopropylidene dicyclohexane(HSI)과 4-p-styrenesulfonyloxy-4''-tosyloxyisopropylidene dicyclohexane (STI)를 둘 다 함께 갖고 있는 공중합체를 새로운 고분자 산증식형 포토레지스트로 합성하였다. 산증식형 공중합체인 Poly(HSI-co-tBMA) film과 Poly(STI-co-tBMA) film은 산의 부재 시에는 레지스트 공정 온도에 대하여 충분한 열적 안정성을 나타내었다. Poly(STI-co-tBMA) film의 감도는 tBMA homopolymer에 비교하여 2배 정도 증진되었지만, Poly(HSI-co-tBMA) film은 오히려 2배 정도 감도가 저하되는 결과를 나타내었다. 고분자에 도입한 이러한 산증식 기능을 갖는 그룹의 구조에 따라 광감도 증진 효과가 다르게 나타남을 확인하였다.

• 한국인쇄학회지
• /
• 제20권2호
• /
• pp.131-140
• /
• 2002

Chemically amplified deep UV(CA-DUV) resists are typically based on a combination of an acid labile polymer and a photoacid generator(PAG) but acid amplification type photoresist is formulated by addition of the acid amplifiers to chemically amplified resist system(CAPs). We developed acid amplifiers base on cyclohexanediol such as 1-methacryloyloxy-4-tosyloxy cyclohexane(MTC) and poly(MTC$_{10}$-co-tBMA$_{90}$)(P-1) to enhance photosensitivity. P-1 is a copolymer of tert-butyl methacrylate and MTC as a positive working photoresist based on polymeric acid amplifier in order to enhance photosensitivity and simplify the process of fomulating a photoresist. P-1 exhibited 2X higher photosensitivity compared with PtBMA. The acid amplifiers showed reasonable thermal stability for resist processing temperature and higher photosensitivity compared with chemically amplified resist.