• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.486-488
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• 2009

High efficiency deep blue and pure white phosphorescent organic light emitting diodes were developed using a new deep blue phosphorescent dopant, tris((3,5-difluoro-4-cyanophenyl)pyridine) iridium (FCNIr). A high quantum efficiency of 9.1 % with a color coordinate of (0.15, 0.16) at 1,000 cd/$m^2$ was obtained in the deep blue device and a high quantum efficiency of 15.2 % with a color coordinate (0.30, 0.32) was obtained in the pure white organic light-emitting diodes. The quantum efficiency of the pure white device is the best quantum efficiency value reported in the pure white device up to now.

• 폴리머
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• 제24권1호
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• pp.90-96
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• 2000

고분자 정공 전달체로 LB 기법에 의해 제조한 PDPMA 초박막과 발광층으로 Alq$_3$를 사용하여 유기 발광소자를 제작하였다. 표면활성제로 arachidic acid를 사용하여 안정한 PDPMA 단분자막을 얻을 수 있었다. PDPMA LB 필름의 두께와 320nm의 최대 흡광도는 층수의 증가에 따라 거의 선형적으로 증가하였다. ITO/PDPMA LB 필름(19층)/Alq$_3$/Al으로 구성된 유기 적층형 소자는 DC 14V에서 2500 cd/m$^2$의 높은 휘도를 갖는 녹색 빛을 발광하였다. 특히 PDPMA LB 필름의 층이 15로 이루어진 발광소자의 구동전압은 4V의 매우 낮은 값을 나타내었다. PDPMA LB 필름의 두께 조절 및 분자 배향에 따른 EL 성능에 미치는 영향에 관하여도 검토하였다.

• 공업화학
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• 제1권2호
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• pp.107-115
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• 1990

Glucose의 redox 반응에 의한 새로운 인슐린 방출계를 5, 5'-dithiobis(2-nitrobcnzoic acid)의 disulfide 결합을 이용해 인슐린을 pmma 막과 glucose oxidase에 고정화시켜 합성하였다. glucose와 glucose dehydrogenase 및 glucose oxidise와의 산화반응에 의해 disulfide 결합이 파괴되어 막과 효소로부터 인슐린이 방출된다. enzyme cofact들(nicotinamide adenin dinucleotide와 flavin adenin dinucleotide)을 coimmobilization 시켜 membrane device에 대해 electron mediator로 작용하도록 하여 glucose의 농도 민감성을 향상시켰고 protein device에 대해서는 glucose oxidase에 인슐린을 직접 고정화시켜 민감성을 더욱 향상시켰다. 이 두 가지 계들은 glucose 특이성을 나타내며 방출된 인슐린은 생체인슐린과 구분되지 않았다. 방출인슐린의 생리활성은 생체인슐린의 81%였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.194-195
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• 2002

We report a fast-switching polymer-stabilized bend nematic (PSBN) device. The morphology study reveal a templated polymer networks captures the orientation of the field deformed nematic host.

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제23권4호
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• pp.361-366
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• 2012

• 한국유변학회:학술대회논문집
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• 한국유변학회 2000년도 춘계 학술발표회 논문집
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• pp.7-10
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• 2000

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권2호
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• pp.33-38
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• 2004

측면 연마된 편광 유지 광섬유와 폴리머 평면도파로가 결합된 비대칭 방향성 결합기를 이용하여 가변 광필터를 구현하였다. 소자의 최상부층 위에 형성된 마이크로 스트립 히터에 의하여 유도된 폴리머 평면도파로의 열광학 효과는 결합기의 공진파장을 이동시킨다. 제작된 소자는 720 ㎽의 인가 전력으로 230 ㎚ 이상의 넓은 가변 범위를 보였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.439-442
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• 2008

A mixed host structure of TCTA and TPBI was used in orange emitting layer and host composition was critical to device performances of PHWOLEDs. PHWOLEDs with TPBI host in orange emitting layer showed high quantum efficiency of 10.3 % at $1000\;cd/m^2$ with little change of CIE coordinates of (0.32, 0.34) from $100\;cd/m^2$ to $10,000\;cd/m^2$.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.153-156
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• 2003

Thermal annealing of a polymer light-emitting diode (PLED) is shown to result in a remarkable improvement in the long-term stability of the device. The best half-life is obtained at an annealing temperature above the $T_g$ of emitting polymer. It is shown that the annealing of the emitting polymer layer results in a more than an order of magnitude increase in the half-life in spite of a decrease in the efficiency of the device as the annealing temperature increases.$^1$

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.51-65
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• 2008

The article presents the recent research development in polymer ferroelectric non-volatile memory. A brief overview is given of the history of ferroelectric memory and device architectures based on inorganic ferroelectric materials. Particular emphasis is made on device elements such as metal/ferroelectric/metal type capacitor, metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) and ferroelectric field effect transistor (FeFET) with ferroelectric poly(vinylidene fluoride) (PVDF) and its copolymers with trifluoroethylene (TrFE). In addition, various material and process issues for realization of polymer ferroelectric non-volatile memory are discussed, including the control of crystal polymorphs, film thickness, crystallization and crystal orientation and the unconventional patterning techniques.