Quantum wells infrared photodetectors (QWIPs) have been used to detect infrared radiations through the principle based on the localized stated in quantum wells (QWs) [1]. The mature III-V compound semiconductor technology used to fabricate these devices results in much lower costs, larger array sizes, higher pixel operability, and better uniformity than those achievable with competing technologies such as HgCdTe. Especially, GaAs/AlGaAs QWIPs have been extensively used for large focal plane arrays (FPAs) of infrared imaging system. However, the research efforts for increasing sensitivity and operating temperature of the QWIPs still have pursued. The modification of heterostructures [2] and the various fabrications for preventing polarization selection rule [3] were suggested. In order to enhance optical performances of the QWIPs, double barrier quantum well (DBQW) structures will be introduced as the absorption layers for the suggested QWIPs. The DBWQ structure is an adequate solution for photodetectors working in the mid-wavelength infrared (MWIR) region and broadens the responsivity spectrum [4]. In this study, InGaAs/GaAs/AlGaAs double barrier quantum well infrared photodetectors (DB-QWIPs) are successfully fabricated and characterized. The heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIPs are grown by molecular beam epitaxy (MBE) system. Photoluminescence (PL) spectroscopy is used to examine the heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIP. The mesa-type DB-QWIPs (Area : $2mm{\times}2mm$) are fabricated by conventional optical lithography and wet etching process and Ni/Ge/Au ohmic contacts were evaporated onto the top and bottom layers. The dark current are measured at different temperatures and the temperature and applied bias dependence of the intersubband photocurrents are studied by using Fourier transform infrared spectrometer (FTIR) system equipped with cryostat. The photovoltaic behavior of the DB-QWIPs can be observed up to 120 K due to the generated built-in electric field caused from the asymmetric heterostructures of the DB-QWIPs. The fabricated DB-QWIPs exhibit spectral photoresponses at wavelengths range from 3 to $7{\mu}m$. Grating structure formed on the window surface of the DB-QWIP will induce the enhancement of optical responses.
To provide a basis for studying the pharmacological actions of tetracaine HCl, we analyzed the membrane activities of this local anesthetic. The n-(9-anthroyloxy) stearic and palmitic acid (n-AS) probes (n = 2, 6, 9, 12 and 16) have been used previously to examine fluorescence polarization gradients. These probes can report the environment at a graded series of depths from the surface to the center of the membrane bilayer structure. In a dosedependent manner, tetracaine HCl decreased the anisotropies of 6-AS, 9-AS, 12-AS and 16-AP in the hydrocarbon interior of synaptosomal plasma membrane vesicles isolated from bovine cerebral cortex (SPMV), and liposomes derived from total lipids (SPMVTL) and phospholipids (SPMVPL) extracted from the SPMV. However, this compound increased the anisotropy of 2-AS at the membrane interface. The magnitude of the membrane rotational mobility reflects the carbon atom numbers of the phospholipids comprising SPMV, SPMVTL and SPMVPL and was in the order of the 16, 12, 9, 6, and 2 positions of the aliphatic chains. The sensitivity of the effects of tetracaine HCl on the rotational mobility of the hydrocarbon interior or surface region was dependent on the carbon atom numbers in the descending order 16-AP, 12-AS, 9-AS, 6-AS and 2-AS and on whether neuronal or model membranes were involved in the descending order SPMV, SPMVPL and SPMVTL.
지반오염조사에 대한 유전상수 측정기법의 적용성을 평가하기 위하여 함수비와 중금속 오염도에 따른 흙의 유전특성 변화를 분석하였다. 유전상수의 실수부와 허수부 모두 체적함수비에 따른 증가경향을 나타내었으며, 특히 MHz 범위에서 유전상수 실수부는 쌍극자모멘트에 비례하기 때문에 흙의 유전상수는 체적함수비에 따른 선형적인 증가경향을 나타내었다. 중금속 용액은 50 kHz 이하의 저주파영역에서 전극분극효과에 의해 농도 증가에 따라 유전상수 실수부가 증가하였으나, 고주파 영역에서는 이온의 수화작용에 의한 물분자의 배향분극 발현의 감소로 인하여 감소하는 경향을 나타내었다. 유전상수 허수부는 중금속 농도 증가에 따라 전도손실의 증가에 의하여 모든 주파수 영역에서 증가하는 경향을 나타내었다. 흙과 중금속 혼합시료의 경우 함수비가 큰 시료에서는 중금속 용액 자체의 유전특성이 그대로 발현되었으나, 함수비가 작은 시료에서는 공간전하분극의 영향이 우세하여 유전상수 실수부가 $10-20\%$정도 증가하는 경향을 나타내었다. 유전상수 허수부의 경우에는 중금속 농도 증가에 따른 뚜렷한 증가경향을 확인할 수 있었다. 본 연구의 결과에 의하면 중금속의 오염감지에 대해서는 유전상수 실수부보다는 허수부의 적용성이 높은 것으로 나타났으며, 현장에서의 정확한 오염도 평가를 위해서는 함수비에 대한 평가가 선행되어야 할 것으로 판단된다.
지수함수형태의 전달함수를 갖는 전계흡수 광변조기(electroabsorption modulator: EAM)의 비선형성 보상을 위해 로그함수형태의 전달함수를 갖는 반도체 광증폭기(semiconductor optical amplifier : SOA)를 이용한다. 우선 SOA의 전달함수는 EAM의 전달함수와 역함수 관계를 갖기 때문에 EAM의 상호변조왜곡 (intermodulation distortion: IMD)을 보상한다. 더불어 SOA가 제공하는 이득에 의해 변조신호는 증폭되어진다. 이 두 가지에 의해 EAM의 SFDR(spurious free dynamic range)은 증가한다. 이때 SOA는 EAM 뒷단에 직렬로 연결되어 이득포화영역에서 동작되어진다. EAM의 IMD 보상을 향상시키기 위해서는 SOA의 이득을 증가시켜 이득포화영역 기울기를 증가시켜야 한다. 하지만 SOA의 이득 증가에 따라 ASE 잡음도 증가하여 시스템의 잡음레벨을 높여 EAM의 SFDR은 감소한다. 즉 SOA의 이득포화영역 기울기와 ASE 잡음은 이득에 대해 trade-off를 가지게 되고 모의실험 결과 이득이 약 8㏈일 때 최적화 된다. 이 지점에서 EAM의 SFDR 향상은 약 9㏈였다. SOA를 사용한 EAM 선형성 향상 방법은 구성이 간편하고 3개의 소자를 집적할 경우 낮은 삽입손실, 낮은 편광의존성, 낮은 처핑 등 효율적인 아날로그 광변조기로 이용될 수 있다.
본 논문에서는 현재 주목을 받고 있는 테라헤르츠 대역의 주파수에서 근거리 무선 통신 응용을 위한 채널 모델과 무선 링크의 성능 분석에 대하여 서술한다. 10 Gbps 이상의 전송 속도를 실현하기 위해서는 주파수 대역폭이 기존의 밀리미터파에서 사용하는 주파수 대역폭보다 더 넓은 대역폭이 필요하며, 이 대역폭을 얻기 위해서는 테라헤르츠 주파수 대역으로 자연적으로 옮겨가지 않을 수 없다. ITU-R P.676-7 모델을 이용하여 테라헤르츠 대역의 대기 전파 감쇠 특성 분석 결과, 중심 주파수 220, 300, 350 GHz에서 약 68, 48, 45 GHz의 주파수 대역폭이 가용하며, 스펙트럼 효율이 1 이하인 변조 방식으로도 10 Gbps 이상의 데이터 속도를 얻을 수 있음을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 간략화 PDP 모델을 이용하여 실내 공간의 건물 재질에 따른 지연 특성을 분석하였다. 실내 공간의 크기 $6\;m(L){\times}5\;m(W){\times}2.5\;m(H)$에서 콘크리트 벽의 경우 TE 편파에서 RMS 지연 확산은 9.23 ns였다. 이 결과는 참고문헌의 Ray-Tracing 시뮬레이션에서 얻은 10 ns 이내에 근접한다. 옥내 무선 링크 성능 분석 결과, 수신기의 감도는 BPSK 변조 방식을 사용하는 경우 대역폭 $5{\sim}50\;GHz$에 대하여 $-56{\sim}-46\;dBm$이고, 안테나 이득은 10 m 링크에서 $26.6{\sim}31.6\;dBi$였다. AWGN 채널과 LOS 환경을 가정할 때 송신기 출력 -15dBm에서 캐리어 주파수 220, 300, 350 GHz일 때 최대 달성 가능한 데이터 속도는 각각 30, 16, 12 Gbps였다. 이 결과는 BPSK 변조 방식을 사용하여 1 m 링크에서 얻은 결과이다. BER은 $10^{-12}$으로 가정하였고, 송신기 출력을 증가시키면 더욱 높은 데이터 속도를 얻을 수 있다.
연구는 사회적 기업의 사회적 기업가정신이 경제적성과 및 사회적성과에 미치는 영향과 정부지원 조절 효과에 대한 기존 연구를 바탕으로 진행한 탐색적 연구이다. 기존에 선행연구는 사회적 기업의 선진국 사례비교 연구와 2007년 '사회적기업육성법' 시행 시기의 정부지원 관련 조직성과에 대한 연구들이 진행되었다. 현시점에서 사회적 기업가정신과 조직성과 간의 인과 관계가 보다 깊이 있는 세분화된 연구가 필요하다고 보았으며, 정부는 사회적 기업 인증 기업에 대한 여러 분야에서 정부지원을 진행하고 있지만, 정부지원이 사회적 기업가정신과 조직성과 간에 어떤 효과로 영향을 미치는지에 대한 연구는 부족한 형편이다. 따라서 본 연구는 충청권 사회적 기업 구성원을 대상으로 사회적 기업가정신의 진취성과 위험감수성을 분석하여 조직의 경제적성과 사회적성과에 대한 인과관계와 정부지원의 조절효과에 대한 검증을 진행하여 연구자가 실무자에게 학문적 실용적 가치를 줄 것으로 기대된다. 본 연구의 결과로 사회적 기업가정신의 위험감수성은 경제적성과에 유의(+)한 영향을 미치며, 사회적 기업가정신의 진취성과 위험감수성은 모두 사회적 성과에 유의(+)한 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 정부지원은 변수 중 진취성과 사회적 성과의 변수 간에 조절 효과로 유일하게 유의(+)한 영향을 준다는 연구 결과를 얻었다. 본 논문 연구결과의 실무적 시사점은 사회적 기업에서의 사회적 기업가정신은 조직성과에 영향을 주는 중요한 요인임을 알 수 있었기 때문에 사회적 기업의 관리자는 구성원에게 사회적 기업가정신에 대하여 지속적인 교육을 하고 적용한다면, 사회적 기업의 경제적 성과나 사회적 성과가 높아져 기업의 경쟁력을 키워나가는데 큰 도움이 될 것으로 본다. 또한 정부에서는 '사회적기업육성법'으로 사회적 기업에 여러 가지 지원 정책이 진행되고 있지만, 사회적 인증기업 지원 이 후 정부지원이 없어 조직성과를 위한 정부 지원의 기대가 없다는 연구 결과로 사회적 기업의 분야 특성에 맞게 사회적 기업가정신의 증진과 조직성과를 높일 수 있는 정부의 세분화된 육성 정책 개발에 필요성을 제공하는 역할을 할 수 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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