• 폴리머
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• 제35권4호
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• pp.337-341
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• 2011

수직배향 액정디스플레이의 시야각 향상을 위한 광대역 보상필름을 개발하였다. 상용화된 수직배향 액정디스플레이는 측면 시야각을 보상하는 위상차 필름을 필요로 한다. 일반적으로 triacetylcellulose(TAC)에 광학첨가제를 첨가한 후 제막연신을 통하여 수직배향 액정디스플레이용 위상차 필름을 제작하는데, 첨가되는 광학첨가제의 화학구조에 따라 필름의 위상차와 파장분산 특성이 달라진다. 본 연구에서는 첨가제에 따른 분극률 이방성을 양자역학적으로 계산하고 선택된 중심 이성질체에 사이드 그룹을 치환시켜 파장별 분극률 이방성을 또한 계산하였다. 특히, 치환기가 methoxy와 proplonate인 경우에 치환위치와 숫자에 따른 파장별 분극률 이방성을 비교하였다. 2개의 propionate 그룹이 meta위치에 있을 경우가 파장분산 특성이 가장 완만한 것을 양자역학적 계산을 통하여 예측하였으며 이를 실험을 통해 증명하였다. 파장분산 특성이 완만하다는 것은 LCD 시야각 특성이 광원의 파장에 따라 덜 변한다는 의미이며, 현재 수준보다 우수한 화질을 구현할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.276-276
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• 2010

Localized surface plasmon resonance (LSPR) has been explored recently as a promising approach to increase energy conversion efficiency in photovoltaic devices, particularly for thin film hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells. The LSPR is frequently excited via an electromagnetic (EM) radiation in proximate metallic nanostructures and its primary con sequences are selective photon extinction and local EM enhancement which gives rise to improved photogeneration of electron-hole (e-h) pairs, and consequently increases photocurrent. In this work, high-dielectric-constant (k) $ZrO_2$ (refractive index n=2.22, dielectric constant $\varepsilon=4.93$ at the wavelength of 550 nm) is proposed as spacing layer to enhance the LSPR for application to the thin film silicon solar cells. Compared to excitation of the LSPR using $SiO_2$ (n=1.46, $\varepsilon=2.13$ at the wavelength of 546.1 nm) spacing layer with Au nanoparticles of the radius of 45nm, that using $ZrO_2$ dielectric shows the advantages of(i) ~2.5 times greater polarizability, (ii) ~3.5 times larger scattering cross-section and ~1.5 times larger absorption cross-section, (iii) 4.5% higher transmission coefficient of the same thickness and (iv) 7.8% greater transmitted electric filed intensity at the same depth. All those results are calculated by Mie theory and Fresnel equations, and simulated by finite-difference time-domain (FDTD) calculations with proper boundary conditions. Red-shifting of the LSPR wavelength using high-k $ZrO_2$ dielectric is also observed according to location of the peak and this is consistent with the other's report. Finally, our experimental results show that variation of short-circuit current density ($J_{sc}$) of the LSPR enhanced a-Si:H solar cell by using the $ZrO_2$ spacing layer is 45.4% higher than that using the $SiO_2$ spacing layer, supporting our calculation and theory.

• 한국재료학회지
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• 제33권8호
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• pp.330-336
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• 2023

The effects of Ni²⁺ substitution for Mg²⁺-sites on the microwave dielectric properties of (Mg_1-xNi_x)(Ti_0.95(Mg_1/3Ta_2/3)_0.05)O₃ (0.01 ≤ x ≤ 0.05) (MNTMT) ceramics were investigated. MNTMT ceramics were prepared by conventional solid-state reaction. When the MgO / TiO₂ ratio was changed from 1.00 to 1.02, MgTi₂O₅ was detected as a secondary phase along with the MgTiO₃ main phase in the MNTMT specimens sintered at 1,400 ℃ for 4h. For the MNTMT specimens with MgO / TiO₂ = 1.07 sintered at 1,400 ℃ for 4h, a single phase of MgTiO₃ with an ilmenite structure was obtained from the entire range of compositions. The relative density of all the specimens sintered at 1,400 ℃ for 4h was higher than 95 %. The quality factor (Qf) of the sintered specimens depended strongly on the degree of covalency of the specimens, and the sintered specimens with x = 0.01 showed the maximum Qf value of 489,400 GHz. The dielectric constant (K) decreased with increasing Ni²⁺ content because Ni²⁺ had a lower dielectric polarizability (1.23ų) than Mg²⁺ (1.32ų). As Ni²⁺ content increased, the temperature coefficient of resonant frequency (TCF) improved, from -55.56 to -21.85 ppm/℃, due to the increase in tolerance factor (t) and the lower dielectric constant (K).

• 대한화학회지
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• 제17권2호
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• pp.95-104
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• 1973

일련의 염화알킬(염화메틸, 에틸, 이소-프로필, 트란스 n-부틸, sec-부틸, tert-부틸)의 바닥 상태 전자구조와 친핵성 치환반응성을 근사적 시그마 분자궤도법$(\sigma-MO)$인 EHT 와 CNDO/2 법을 이용하여 비교 검토하였다. 염화알킬처럼 상호 구조적 차이가 현저하지 못한 경우에 있어서는 EHT법이 CNDO/2 법에 비하여 비교적 부정확함을 알았다. CNDO/2 계산에 의하면, 쌍극자모멘트의 계산치가 실험치 보다 약간 크게 주어지며 대체로 primary$\alpha$탄소와 Cl사이에 비교적 약한 $\pi$-반결합 $({\pi}^{\ast})$성을 가지고 있으며, 전자밀도가 거의 염소원자에 집중되어 있어 염소의 p-고립상 전자와 같은 특성을 가지고 있음을 알았다. 그 반면 최저 비점유 궤도함수(LUMO)는$\alpha$탄소와 염소 사이에 강한 시그마-반결합$({\alpha}^{\ast})$성을 가짐을 알았다. 염화알킬의 $S_N2$반응성은 주로 $\alpha$인 LUMO에의하여 좌우되며, 특히 이 MO에서 $\alpha$탄소와 염소간의 반결합 세기가 $S_N2$반응성의 척도가 될 것으로 예측되며, 결합-polorizability와의 관련성도 논의하였다. 염화알킬의 $S_N2$반응성은 주로 ${\pi}^{\ast}$인 HOMO에서 $\alpha$탄소와 염소간의 반결합 세기가 큰 역할을 하며 바닥상태의 C-Cl결합세기도 상당한 역할을 할 것으로 기대된다.