• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제41권3호
• /
• pp.1-8
• /
• 2004

본 연구에서는 소오스와 드레인 근처에 포켓형상으로 이온이 주입되어 halo구조를 갖고 있는 MOSFET 소자의 1/f 잡음 특성에 대하여 고찰하였다. 채널 방향으로 전도도가 균일하지 않은 MOSFET 소자가 선형영역에서 동작할 때, 영역구분 근사기법(regional approach)을 근간으로 논의된 기존의 1/f 잡음모델을 영역별로 서로 다른 전기적 성질이 정의될 수 있는 halo MOSFET 소자에 적용하여 그 타당성을 조사하였다. 잡음모델의 검증을 위하여 기존의 모델에서와 같이 영역구분 근사를 사용하여 보다 넓은 동작범위에서 적용될 수 있도록 기존의 모델식을 개선하였다. 개선된 잡음식은 선형영역에서 기존에 보고된 잡음식에 수렴한다. 실험적으로 측정된 1/f 잡음 특성과의 비교에서 영역구분 근사기법으로 정리된 잡음식은 게이트 전압이 비교적 큰 경우에 한해서 적용될 수 있음을 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제42권4호
• /
• pp.1-8
• /
• 2005

소오스와 드레인 근처에 포켓이온이 주입된 halo구조의 MOSFET에서 전송자의 이동도 감소는 포켓이온주입의 조건에 따라 이온화된 불순물의 증가에 따른 쿨롱(Coulomb) 산란율의 증가에 의한 이동도의 감소량보다 큰 이동도의 감소가 관측될 수 있다. 게이트 바이어스에 대한 이동도의 특성변화도 기존의 일차적인 쿨롱산란의 증가효과에 의한 해석과 비교하여 상이한 결과가 나타날 수 있음이 실험적으로 확인되고 있다. 본 연구에서는 포켓이온 주입에 의하여 쿨롱산란원이 되는 유효불순물 농도의 증가에 따른 일차적인 이동도의 감소효과를 벗어난 이동도 특성을 분석하여 이동도의 감소현상을 일반적으로 설명할 수 있는 개선된 해석적 모델을 제시하였다. 해석적인 결과를 도출하기 위하여 일차원 영역구분의 근사방법을 적용한 결과, 포켓이온 주입에 의하여 포논산란율 및 표면산란율(surface roughness scattering rate)의 증가도 이동도감소에 기여함이 보여 졌다. 채널의 전송자분포가 드레인 전류에 영향을 미치게 되므로 포켓이온에 의해 유발된 전송자분포의 효과를 분석하여 유효이동도가 추가적으로 감소함을 확인하였다.