A series of silica surface-capped with hexamethyldisilazane (denoted as $H-SiO_2$) were prepared by liquid-phase in-situ surface-modification method. The as-obtained $H-SiO_2$ was incorporated into acrylic amino (AA) baking paint to obtain AA/$H-SiO_2$ composite extinction paints and/or coatings. $N_2$ adsorption-desorption tests were conducted to determine the specific surface area as well as pore size and pore volume of $H-SiO_2$. Moreover, the effects of $H-SiO_2$ matting agents on the physical properties of AA paint as well as the gloss and transmittance of AA-based composite extinction coatings were investigated. Results show that $H-SiO_2$ matting agents possess a large specific surface area and pore volume than previously reported silica obtained by liquid-phase method. Besides, they have better dispersibility in AA baking paint than the unmodified silica. Particularly, $H-SiO_2$ with a silica particle size of $6.7{\mu}m$ and the dosage of 4% (mass fraction) provides an extinction rate of 95.2% and a transmittance of 79.3% for the AA-based composite extinction coating, showing advantages over OK520, a conventional silica matting agent. Along with the increase in the silica particle size, $H-SiO_2$ matting agents cause a certain degree of increase in the viscosity of AA paint as well as a noticeable decrease in the gloss of the AA-based composite extinction coating, but they have insignificant effects on the hardness and adhesion to substrate of the AA-based composite coatings. This means that $H-SiO_2$ matting agents could be well applicable to preparing low-viscosity and low-gloss AA-based matte coatings.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.14
no.1
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pp.87-96
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2019
Flexible organic light-emitting diode (OLED) displays with organic thin-film transistors (OTFTs) backplanes have been studied. A gate driver is required to drive the OLED display. The gate driver is integrated into the panel to reduce the manufacturing cost of the display panel and to simplify the module structure using fabrication methods based on low-temperature, low-cost, and large-area printing processes. In this paper, pseudo complementary metal oxide semiconductor (CMOS) logic gates are implemented using OTFTs for the gate driver integrated in the flexible OLED display. The pseudo CMOS inverter and NAND gates are designed and fabricated on a flexible plastic substrate using inkjet-printed OTFTs and the same process as the display. Moreover, the operation of the logic gates is confirmed by measurement. The measurement results show that the pseudo CMOS inverter can operate at input signal frequencies up to 1 kHz, indicating the possibility of the gate driver being integrated in the flexible OLED display.
Joyce Mudondo;Hoe-Suk Lee;Yunhee Jeong;Tae Hee Kim;Seungmi Kim;Bong Hyun Sung;See-Hyoung Park;Kyungmoon Park;Hyun Gil Cha;Young Joo Yeon;Hee Taek Kim
Journal of Microbiology and Biotechnology
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v.33
no.1
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pp.1-14
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2023
Polyethylene terephthalate (PET) is a plastic material commonly applied to beverage packaging used in everyday life. Owing to PET's versatility and ease of use, its consumption has continuously increased, resulting in considerable waste generation. Several physical and chemical recycling processes have been developed to address this problem. Recently, biological upcycling is being actively studied and has come to be regarded as a powerful technology for overcoming the economic issues associated with conventional recycling methods. For upcycling, PET should be degraded into small molecules, such as terephthalic acid and ethylene glycol, which are utilized as substrates for bioconversion, through various degradation processes, including gasification, pyrolysis, and chemical/biological depolymerization. Furthermore, biological upcycling methods have been applied to biosynthesize value-added chemicals, such as adipic acid, muconic acid, catechol, vanillin, and glycolic acid. In this review, we introduce and discuss various degradation methods that yield substrates for bioconversion and biological upcycling processes to produce value-added biochemicals. These technologies encourage a circular economy, which reduces the amount of waste released into the environment.
Adhesive joints are widely used for structural joining applications in various fields and environmental conditions. Polyurethane adhesive is using for LNG carrier with cryogenic temperature condition. Even if similar polyurethane adhesive is used for different substrate, it shows different adhesion properties. Specially, variation of adhesion properties depending on the resin system or fiber is very important factor for selection of adhesive on industrial application. In present study, we got different peel strength according to the different test temperature when different polyurethane adhesive was used for same fiber reinforced composite. The main cause was investigated using by SEM and it was proven that the different adhesion property between glass fiber on composite surface and polyurethane adhesives at cryogenic temperature.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.100-101
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2012
The plasma damage free and room temperature processedthin film deposition technology is essential for realization of various next generation organic microelectronic devices such as flexible AMOLED display, flexible OLED lighting, and organic photovoltaic cells because characteristics of fragile organic materials in the plasma process and low glass transition temperatures (Tg) of polymer substrate. In case of directly deposition of metal oxide thin films (including transparent conductive oxide (TCO) and amorphous oxide semiconductor (AOS)) on the organic layers, plasma damages against to the organic materials is fatal. This damage is believed to be originated mainly from high energy energetic particles during the sputtering process such as negative oxygen ions, reflected neutrals by reflection of plasma background gas at the target surface, sputtered atoms, bulk plasma ions, and secondary electrons. To solve this problem, we developed the NBAS (Neutral Beam Assisted Sputtering) process as a plasma damage free and room temperature processed sputtering technology. As a result, electro-optical properties of NBAS processed ITO thin film showed resistivity of $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}m$ and high transmittance (>90% at 550 nm) with nano- crystalline structure at room temperature process. Furthermore, in the experiment result of directly deposition of TCO top anode on the inverted structure OLED cell, it is verified that NBAS TCO deposition process does not damages to the underlying organic layers. In case of deposition of transparent conductive oxide (TCO) thin film on the plastic polymer substrate, the room temperature processed sputtering coating of high quality TCO thin film is required. During the sputtering process with higher density plasma, the energetic particles contribute self supplying of activation & crystallization energy without any additional heating and post-annealing and forminga high quality TCO thin film. However, negative oxygen ions which generated from sputteringtarget surface by electron attachment are accelerated to high energy by induced cathode self-bias. Thus the high energy negative oxygen ions can lead to critical physical bombardment damages to forming oxide thin film and this effect does not recover in room temperature process without post thermal annealing. To salve the inherent limitation of plasma sputtering, we have been developed the Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process as the high quality oxide thin film deposition process at room temperature. The MFSS process is effectively eliminate or suppress the negative oxygen ions bombardment damage by the plasma limiter which composed permanent magnet array. As a result, electro-optical properties of MFSS processed ITO thin film (resistivity $3.9{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, transmittance 95% at 550 nm) have approachedthose of a high temperature DC magnetron sputtering (DMS) ITO thin film were. Also, AOS (a-IGZO) TFTs fabricated by MFSS process without higher temperature post annealing showed very comparable electrical performance with those by DMS process with $400^{\circ}C$ post annealing. They are important to note that the bombardment of a negative oxygen ion which is accelerated by dc self-bias during rf sputtering could degrade the electrical performance of ITO electrodes and a-IGZO TFTs. Finally, we found that reduction of damage from the high energy negative oxygen ions bombardment drives improvement of crystalline structure in the ITO thin film and suppression of the sub-gab states in a-IGZO semiconductor thin film. For realization of organic flexible electronic devices based on plastic substrates, gas barrier coatings are required to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency flexible AMOLEDs needs an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$. The key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required (under ${\sim}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$) is the suppression of nano-sized defect sites and gas diffusion pathways among the grain boundaries. For formation of high quality single inorganic gas barrier layer, we developed high density nano-structured Al2O3 single gas barrier layer usinga NBAS process. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to a nano- crystalline phase with various grain sizes in a single inorganic thin film. As a result, the water vapor transmission rates (WVTR) of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film have improved order of magnitude compared with that of conventional $Al_2O_3$ layers made by the RF magnetron sputteringprocess under the same sputtering conditions; the WVTR of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film was about $5{\times}10^{-6}g/m^2/day$ by just single layer.
We evaluated the effects of various factors (e.g., serum, inhibitors of protein synthesis, and cytoskeleton and protein kinases) on early PMA-induced THP-1 cell adhesion using an adhesion assay with Sulforhodamine B (SRB) staining, which was used to assess the proliferation of the attached cells. THP-1 cell adhesion to a plastic substrate was detected 1 hr after exposure to Phorbol 12-Myristate 13-Acetate (PMA) and peaked after 18 hr. At concentrations > 25 nM PMA, the level of adhesion did not change. Based on our preliminary results, we used 25 nM PMA and 5 hr of culture as standard assay conditions. Early PMA-induced cell adhesion was not affected by the presence of serum or PD 98059 in the culture medium, but was affected by the addition of PKC inhibitors and cycloheximide. In the presence of actin inhibitor with PMA, the cell adhesion increased when comparing with PMA treatment only. Thus, early PMA-induced adhesion of THP-1 cells does not require serum in the culture medium, MAP-kinase activation, or actin polymerization, but does require de novo protein synthesis and PKC activation. Our SRB-based cell adhesion assay may be used to screen other PKC inhibitors.
A new commercial strain "Hambak" of Grifola frondosa was developed by di-mono crossing between dikaryon of ASI 9031 and monokaryotic strain derived from ASI 9021. It can be cultivated in plastic bottle and bag filled with oak and poplar sawdust substrate which supplemented with 15% rice bran or 10% corn bran. Improvement of cultivation methods was required for shortage of mycelium incubation period and management of humidity in growing room. The optimum temperature of mycelial growth was $25^{\circ}C$ and that of fruiting body development was $15{\sim}18^{\circ}C$. The color of pileus surface was brown and fine pores, whitish to cream-colored, were underside. Primordia formation of Hambak was two days faster than that of Yipsae 1. The yield was $97g/850m{\ell}$ bottle, a bunch of fruiting body was bigger and the quality was better than Yipsae 1.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.29
no.2
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pp.199-204
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2012
Organic thin-film transistors (OTFTs) have received considerable attention because their potential applications for nano-scale thin-film structures have been widely researched for large-scale integration industries, such as semiconductors and displays. However, research in developing n-type materials and devices has been relatively shortage than developing p-type materials. Therefore, we report on the fabrication of top-contact [6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylester (PCBM) TFTs by using three different solvent, o-dichlorobenzene, toluene and chloroform. An appropriate choice of solvent shows that the electrical characteristics of PCBM TFTs can be improved. Moreover, our PCBM TFTs with the cross-linked Poly(4-vinylphenol) dielectric layer exhibits the most pronounced improvements in terms of the field-effect mobility (${\sim}0.034cm^2/Vs$) and the on/off current ratio (${\sim}1.3{\times}10^5$) for our results. From these results, it can be concluded that solvent-modification of an organic semiconductor in PCBM TFTs is useful and can be extended to further investigations on the PCBM TFTs having polymeric gate dielectrics. It is expected that process optimizations using solution-processing of organic semiconductor materials will allow the development of the n-type organic TFTs for low-cost electronics and various electronic applications.
Moon Kanghun;Shin Subum;Park In-Sung;Lee Heon;Cha Han Sun;Ahn Jinho
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.4
s.37
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pp.275-280
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2005
We propose a new approach to greatly simplify the fabrication of conventional nanoimprint lithography (NIL) by combined nanoimprint and photolithography (CNP). We introduce a hybrid mask mold (HMM) made from UV transparent material with a UV-blocking Cr metal layer placed on top of the mold protrusions. We used a negative tone photo resist (PR) with higher selectivity to substrate the CNP process instead of the UV curable monomer and thermal plastic polymer that has been commonly used in NIL. Self-assembled monolayer (SAM) on HMM plays a reliable role for pattern transfer when the HMM is separated from the transfer layer. Hydrophilic $SiO_2$ thin film was deposited on all parts of the HMM, which improved the formation of SAM. This $SiO_2$ film made a sub-10nm formation without any pattern damage. In the CNP technique with HMM, the 'residual layer' of the PR was chemically removed by the conventional developing process. Thus, it was possible to simplify the process by eliminating the dry etching process, which was essential in the conventional NIL method.
A greenhouse experiment was conducted to determine the effects of medium components and shade treatment on the growth, contents of total phenolics and flavonoids, and 1,1-diphenyl-2-picryl hydrazyl (DPPH) radical scavenging activity of Youngia sonchifolia. Substrates combined with coco peat and perlite (ratio 70:30 or 50:50, v/v) showed higher plant length, leaf area, and fresh weight than single substrate (P<0.05). Shade treatment also significantly reduced plant height, root length, leaf areas, and fresh weight (P<0.05) with increasing of the degree. Shading treatment, however, increased contents of total phenolics [mg ferulic acid equivalents $kg^{-1}$ dry wt.] and total flavonoids [mg naringin equivalents $kg^{-1}$ dry wt.] in shoot parts of Y. sonchifoli, showing 110.2 to 119.2 and 128.3 to 146.7 mg $kg^{-1}$, respectively. The antioxidant potential of the methanol extracts from the plants dose-dependently increased DPPH free radical scavenging activity, and the activity was higher in shoots (50.2 to 80.8%) than in roots (47.7 to 49.8%), and in shading treatment than in no shade.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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