• 폴리머
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• 제33권3호
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• pp.263-267
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• 2009

d-PMMA(deuterated poly(methyl methacrylate)) 박막 표면의 친수성을 향상시키기 위해 산소 플라즈마에 노출시켰다. 이 때 모든 조건은 동일하며, 플라즈마에 대한 노출 시간만을 0초에서 180초까지 변화를 주어 노출 시간에 대한 영향을 접촉각과 X-ray 반사율 장치, 중성자 반사율 장치, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 이용해 조사하였다. 노출 시간이 증가할수록 물 접촉각은 작아지며, 산소의 조성은 커짐을 확인함으로써 산소의 조성이 친수성 향상에 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 또한, X-ray 반사율 장치를 이용해 얻은 에칭률을 통해서 d-PMMA 박막에 대한 산소 플라즈마의 노출 시간에 따른 물리적 특성을 연구하였으며, X-ray 반사율과 중성자 반사율, 그리고 XPS 측정 결과로부터 산소와 탄소의 조성뿐만 아니라 수소의 조성까지도 얻음으로써 플라즈마 처리된 박막의 화학적 성질을 보다 자세히 연구할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제46권5호
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• pp.456-461
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• 2009

Chemical composition and status of chemical bonding of the YAG($Y_3Al_5O_{12}$) ceramics after the exposure to fluorine plasma have been investigated using X-ray photoelectron spectroscopy, with the analysis on its erosion behavior. On the surface, F showed the maximum content, decreasing with depth, meanwhile the cation composition remained almost constant, irrespective of the position. The peaks due to Y in the reaction layer consisted of two kinds, showing the Y-O and Y-F bonds. These surface modifications under fluorine plasma seem to promote the erosion of the YAG ceramics. Excess addition of $Al_2O_3$ or $Y_2O_3$ into stoichiometric YAG produced 2nd phases of $Al_2O_3$ and $YAlO_3$, respectively, resulting in the slight difference in the local erosion rates. But, the overall average erosion rate was not sensitive to such excess additions of $Al_2O_3$ or $Y_2O_3$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.165-165
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• 2009

현재 반도체나 이동통신 분야는 사용자의 요구에 따라 PCB의 회로선폭이 갈수록 좁아지고 있다. 이러한 정밀 부품을 제조하기 위한 제조공정에서 각광받기 시작한 기술 중 하나가 대기압 플라즈마 기술이다. 본 연구에서는 미세패턴 형성이 가능한 에폭시 본딩 필름위에 무전해 도금공정을 통한 패턴 도금법을 이용하여 패턴을 형성하였고, 형성된 패턴에 대기압 플라즈마 처리 횟수에 따른 접촉각(Contact Angle)과 Peel Strength의 변화를 분석하였다. 또한 에폭시 본딩 필름을 이용한 Build-up공정을 거쳐 Micro Via를 형성하여 대기압 플라즈마 처리 횟수에 따른 Via 표면을 분석하였다. 대기압 플라즈마 기술은 진공식에 비해 소규모 장비를 이용한 전처리가 가능하고, 초기 설비비용을 절감하는데 탁월한 효과가 있어 널리 사용하는 기술 중 하나이다. 이 연구를 통하여 대기압 플라즈마 처리 횟수에 따른 표면에너지의 변화로 인한 접촉각이 좋아지는 것을 알 수 있으며, 대기압 플라즈마 처리를 한 패턴표면이 친수성으로 변하면서 현상된 드라이 필름 사이로 도금액이 원활히 공급되어서 미세패턴 모양이 우수하게 구현되었음을 알 수 있었다. 또한 Via Filling에도 뛰어난 효과가 있었음을 확인할 수 있었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제46권6호
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• pp.364-371
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• 2016

Objective: With the introduction of third-generation light-emitting diodes (LEDs) in dental practice, it is necessary to compare their bracket-bonding effects, safety, and efficacy with those of the second-generation units. Methods: In this study, 80 extracted human premolars were randomly divided into eight groups of 10 samples each. Metal or polycrystalline ceramic brackets were bonded on the teeth using second- or third-generation LED light-curing units (LCUs), according to the manufacturers' instructions. The shear bond strengths were measured using the universal testing machine, and the adhesive remnant index (ARI) was scored by assessing the residual resin on the surfaces of debonded teeth using a scanning electron microscope. In addition, curing times were also measured. Results: The shear bond strengths in all experimental groups were higher than the acceptable clinical shear bond strengths, regardless of the curing unit used. In both LED LCU groups, all ceramic bracket groups showed significantly higher shear bond strengths than did the metal bracket groups except the plasma emulation group which showed no significant difference. When comparing units within the same bracket type, no differences in shear bond strength were observed between the second- and third-generation unit groups. Additionally, no significant differences were observed among the groups for the ARI. Conclusions: The bracket-bonding effects and ARIs of second- and third-generation LED LCUs showed few differences, and most were without statistical significance; however, the curing time was shorter for the second-generation unit.

• 한국안광학회지
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• 제5권2호
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• pp.193-199
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• 2000

수소화된 비정질 탄소 박막은 PECVD 방법으로 제작하였으며 박막의 증착률은 아세틸렌 가스의 함량에 의존하였다. 이것은 메탄 기체를 사용하였을 때와 비교해 조금 높았다. 박막의 광학적 밴드 갭은 1.4~1.8eV였으며 아세틸렌 함량에 밀접한 연관성을 보여주었다. Raman과 FTIR 분광에 의하여 $sp^3/sp^2$의 정성적인 분율을 결정할 수 있었으며 이러한 결과로부터 아세틸렌 함량 13.8%의 박막이 최적의 조건이었다.

• 공업화학
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• 제35권1호
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• pp.8-15
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• 2024

본 연구에서는 활성탄소의 테트라사이클린 흡착성능을 향상시키기 위해 5, 10, 및 15분의 시간에 따른 질소 플라즈마 처리를 실시하였다. 모든 질소 플라즈마 처리된 활성탄소는 미처리 활성탄소와 비교하여 테트라사이클린 흡착성능이 개선되었다. 이는 활성탄소에 도입된 질소 작용기가 테트라사이클린과 π-π 상호작용 및 수소 결합을 통하여 화학흡착을 야기하기 때문이다. 특히, 80 W 및 50 kHz의 질소 플라즈마 처리에서, 10분 동안 처리된 활성탄소가 가장 우수한 흡착성능을 가졌다. 이 때, 활성탄소 표면의 질소 함량은 2.03%이며 비표면적은 1,483 m²/g까지 증가하였다. 이렇게 질소플라즈마 처리에 의해 개선된 활성탄소는 물리 및 화학 흡착성능이 향상되었다. 또한, 흡착 실험 결과가 Langmuir 흡착등온식과 유사 2차 반응속도식에 잘 부합하므로, 질소 플라즈마 처리된 활성탄소의 테트라사이클린 흡착은 단분자층으로 이루어지는 화학 흡착이 주도적으로 일어나는 것으로 판단하였다. 결과적으로, 질소 플라즈마 처리된 활성탄소는 주도적인 화학 흡착과 더불어 물리 흡착의 시너지 효과로 수중에서 테트라사이클린을 효율적으로 제거하는 흡착재로 사용될 수 있다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권3호
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• pp.197-205
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• 2005

RF MEMS 기술에서 패키지의 개발은 매우 중요하다. RF MEMS 패키지는 소형화, hermetic 특성, 높은 RF 성능 및 신뢰성을 갖도록 설계되어야 한다. 또한 가능한 저온의 패키징 공정이 가능해야 한다. 본 연구에서는 저온 공정을 이용한 RF MEMS 소자의 hermetic 웨이퍼 레벨 패키징을 제안하였다. Hermetic sealing을 위하여 약 $300{\times}C$의 Au-Sn 공정 접합 (eutectic bonding) 기술을 사용하였으며, Au-Sn의 조합으로 형성된 sealing부의 폭은 $70{\mu}m$이었다. 소자의 전기적 연결을 위하여 기판에 수직 via hole을 형성하고 전기도금 (electroplating) 방법을 이용하여 Cu로 채웠다. 완성된 RF MEMS 패키지의 최종 크기는 $1mm\times1mm\times700{\mu}m$이었다. 패키징 공정의 최적화 및 $O_2$ 플라즈마 애싱 공정을 통하여 접합 계면 및 via hole의 void들을 제거할 수 있었다. 또한 패키지의 전단 강도 및 hermeticity는 MIL-STD-883F의 규격을 만족하였으며 패키지 내부에서 오염 및 기타 유기 물질은 발생하지 않았다. 패키지의 삽입 손실은 2 GHz에서 0.075 dB로 매우 작았으며, 여러 종류의 신뢰성 시험 결과 패키지의 파손 및 성능의 감소는 발견되지 않았다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권4호
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• pp.8-16
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• 2023

디바이스 소형화의 한계에 다다르면서, 이를 극복할 수 있는 방안으로 차세대 패키징 기술의 중요성이 부각되고 있다. 병목 현상을 해결하기 위해 2.5D 및 3D 인터커넥트 피치의 필요성이 커지고 있는데, 이는 신호 지연을 최소화 할 수 있도록 크기가 작고, 전력 소모가 적으며, 많은 I/O를 가져야 하는 등의 요구 사항을 충족해야 한다. 기존 솔더 범프의 경우 미세화 한계와 고온 공정에서 녹는 등의 신뢰성 문제가 있어, 하이브리드 본딩 기술이 대안책으로 주목받고 있으며 최근 Cu/SiO₂ 구조의 문제점을 개선하고자 SiCN에 대한 연구 또한 활발히 진행되고 있다. 해당 논문에서는 Cu/SiO₂ 구조 대비 Cu/SiCN이 가지는 이점을 전구체, 증착 온도 및 기판 온도, 증착 방식, 그리고 사용 가스 등 다양한 증착 조건에 따른 SiCN 필름의 특성 변화 관점에서 소개한다. 또한, SiCN-SiCN 본딩의 핵심 메커니즘인 Dangling bond와 OH 그룹의 작용, 그리고 플라즈마 표면 처리 효과에 대해 설명함으로써 SiO₂와의 차이점에 대해 기술한다. 이를 통해, 궁극적으로 Cu/SiCN 하이브리드 본딩 구조 적용 시 얻을 수 있는 이점에 대해 제시하고자 한다.

• 한국분말재료학회지
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• 제20권2호
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• pp.120-124
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• 2013

This study is carried out to develop the new process for the fabrication of ultra-fine electrodes on the flexible substrates using superhydrophobic effect. A facile method was developed to form the ultra-fine trenches on the flexible substrates treated by plasma etching and to print the fine metal electrodes using conductive nano-ink. Various plasma etching conditions were investigated for the hydrophobic surface treatment of flexible polyimide (PI) films. The micro-trench on the hydrophobic PI film fabricated under optimized conditions was obtained by mechanical scratching, which gave the hydrophilic property only to the trench area. Finally, the patterning by selective deposition of ink materials was performed using the conductive silver nano-ink. The interface between the conductive nanoparticles and the flexible substrates were characterized by scanning electron microscope. The increase of the sintering temperature and metal concentration of ink caused the reduction of electrical resistance. The sintering temperature lower than $200^{\circ}C$ resulted in good interfacial bonding between Ag electrode and PI film substrate.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권3호
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• pp.262-267
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• 2010

a-SiC has been thought as an ideal candidate for conventional silicon at many applications. However, the uniformity problem of deposition has been a obstacle for conventional use of a-SiC:H films. a-SiC:H films were deposited on (100) silicon wafer by RPECVD system in various temperature. HMDS and $H_2$ gas were used as a precursor and a carrier gas, respectively. The flow rate of HMDS source and $C_2H_2$ dilution gas was fixed in order to study the carbon effect on the film stoichiometric and bonding properties. The plasma power varied from 200 to 400W. We used three types of source delivery line to control the uniformity and film properties of deposited film. We showed that the change of source delivery line has effect on the film uniformity of deposited film and this change of line did not affect on film properties. Also, the change of deposition conditions has effect on the film uniformity.