• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권4호
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• pp.300-305
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• 1994

We determined the alloy composition of the liquid-phase epitaxy(LPE) grown $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As by the photoreflectance(PR), and observed the variation of PR signal by changing the condition of annealing and thickness of epilayer. As the measuring temperature was decreased, the broadening parameter was decreased, and the amplitude of PR signal was increased. When the temperature of annealing was increased, the surface carrier concentration was decreased and then the shape and amplitude of PR signal were affected by the surface electric field. The structure change was observed when the specimen was annealed for long time at a high temperature. We found that the surface electric field increased when the thickness of epilayer was decreased by etching, because the band bending was increased by the decreased of the width of depletion layer....

• 한국레이저가공학회지
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• 제8권3호
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• pp.5-10
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• 2005

[ $InxGa_{1-x}P/GaAs$ ] structures were grown by chemical beam epitaxy(CBE), Pure phosphine($PH_3$) gases were used as group V sources. for the group III sources, TEGa, TmIn were used. $InxGa_{1-x}P$ epilayer was grown on SI-GaAs substrate and has a 1-${\mu}m$ thick. We have investigated the characteristics of $InxGa_{1-x}P$ by the photoreflectance(PR) spectroscopy, The PR spectrum of $InxGa_{1-x}P$ shows third-derivative feature whose Peaks Provide energy gap. The energy gap of $InxGa_{1-x}P$ has deduced composition x. From temperature dependance of PR spectra, temperature coefficient is $dEg/dT=-3.773{\times}10^{-4}$ eV/K, and Varshni coefficients $\alpha$ and $\beta$ values obtained $4{\times}10^4$ eV/K and 267 K respectively. Also, interaction $\alpha$B was 19.4 meV using the Bose-Einstein temperature relation, and $\Theta$ value related the average phonon frequency were 101.4 K. In particular, shoulder peak related to defects observed in PR signal that measured in temperature 82 K.

• 한국재료학회지
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• 제4권6호
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• pp.723-729
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• 1994

Si이 고농도로 첨가된 n-GaAs(100)의 Photoreflectance(PR)에 대하여 조사하였다. PR 응답은 변조빔 세기, 변조 주파수 및 온도에 의존함음 알았다. 관측된 Frantz-Keldysh oscillation(FKO)으로 부터, 띠간격 에너지($E_o$)와 표면전장(($E_s$)을 결정하였다. 온도가 상온에서 77K로 감소시킴에 따라, 띠간격 에너지는 증가하는 반면에 , 표면전장은 감소한다. 결정성은 $500^{\circ}C$에서 5분간 열처리후 크게 향상되었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.263-266
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• 1997

$In_{0.1}Ga_{0.9}As$/GaAs의 계면 특성을 상온에서 photoreflectance(PR) 측정을 통하여 연구 하였다. 에피층의 두께가 증가함에 따라 PR 신호에서 Franz-Keldysh oscillation(FKO)의 주 기가 감소하였고, 계면 전기장은 감소되었다. 이것은 InGaAs와 GaAs의 이종접합계면 부근 에서 격자부정합에 의한 결함이 증가되었기 때문으로 생각된다. 에피층의 두께가 300$\AA$보다 적은 경우 두께가 얇아짐에 따라 InGaAs층이 임계 두께에 가까워져 strain의 영향으로 밴 드갭 에너지가 크게 이동하였다.

• 한국진공학회지
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• 제18권3호
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• pp.208-212
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• 2009

MBE법으로 성장된 InAs/AlAs 양자점(quantum dots; QD) 구조의 광학적 특성을 photoreflectance(PR) 이용하여 조사하였다. Wetting layer(WL) 두께에 따른 전체 장벽의 폭이 달라짐에 따라 GaAs 완충층 및 WL 신호의 세기가 변화되었다. QD 층이 식각된 시료의 상온 PR측정 결과로부터 $1.1{\sim}1.4\;eV$ 영역의 완만한 신호는 InAs QDs과 WL에 관련된 신호임을 알았다. 온도 $450{\sim}750^{\circ}C$범위에서 열처리 시켰을 때 WL층의 PR 신호가 red shift하였는데, 이는 열처리 후 InAs WL와 AlAs층 사이에 Al과 In의 내부 확산에 의해 양자점의 크기가 균일하게 재분포 되고, WL의 임계 두께가 증가하였음을 나타낸다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.341-347
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• 1998

MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$\times$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.334-340
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• 1998

Molecular Beam Epitaxy(MBE)법으로 성장된 $In_xGa_{1-x}As/GaAs$ 에피층에 대해 photoreflectance(PR)실험을 통해 특성을 조사하였다. PR 측정결과 성장된 InxGa1-xAs 에피 층의 띠간격 에너지(E0)신호가 시료의 변형(strain)에 의해 heavy-hole(E0(HH))과 light-hole(E0(LH))로 분리되어 관측되었다. 에피층의 조성과 변형은 각각 시료에서의 Eo(HH) 및 Eo(HH)와 Eo(LH)신호의 에너지 차이를 이용하여 구하였다. 또 160K이하의 온 도에서는 Eo(LH)의 신호가 사라짐을 볼 수 있었다. Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크 로부터 계산되어진 InGaAs/GaAs 계면전장(E)은 In조성의 증가에 따라 $0.75{\times}10^5$V/cm에서 $2.66{\times}10^5$V/cm로 증가하였다. In조성이 x=0.09인 시료에 대한 PR신호의 온도의존성 실험에 서 Varshni계수와 Bose-Einstein계수들을 각각 구하였다.

• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.403-409
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• 1999

The surface state of Ar plasma-exposed Fe doped SI-InP have been investigated by photoreflectance (PR). From Ar plasma-exposed InP with 30 W for 10sec, the PR signals include a peak $(E_{Ar})$ that is located at 1.336 eV. We think that this peak was originated shallow level related to $V_In-V_P$. And we compared this level with the level obtained by surface photovoltage spectroscopy (SPV) measurement. The result of the PR agrees well with that from SPV. Additionally, Ar plasma induced phosphorus vacancy is related to shallow level. Therefore, the change of surface electric field are attributed to the shallow level. This level is caused by the existence of phsophorus vacancy on InP surface.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.296-296
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• 2011

동시 증발법(co-evaporation)에 의해 성장된 $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$ (CIGS) 박막의 광학적 특성을 photoreflectance (PR) 분광법으로 연구하였다. 조성비 x는 0~1까지 변화시켰다. 시료의 두께는 약 2.2 ${\mu}m$였다. PR 측정은 변조빔 세기, 변조빔 주파수 및 온도의 함수로 조사하였다. PR 스펙트럼으로부터 조성비 x가 증가함에따라 시료의 띠간격 에너지가 증가하는 것을 관측하였다. 상온 PR 스펙트럼으로부터 시료내에 형성된 내부 전기장을 구하였다. 그리고 변조빔 세기의 증가에 따른 PR 신호의 세기는 점차 증가하는 반면에, 변조 주파수를 증가시킴에 따라 신호의 세기가 점차 감소함을 보였다. PR 신호의 온도 의존성 실험으로부터 띠간격 에너지의 변화 및 Varshni 계수 등을 구하여 CIGS 시료의 특성을 조사하였다.

• 한국진공학회지
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• 제6권3호
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• pp.249-254
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• 1997

Fe가 첨가된 반절연성 InP(100)의 특성을 photoreflectance(R) 측정으로 조사하였다. 관측한 PR 신호로부터 300K에서 띠간격 에너지($E_o$)와 넓어지기 변수(broadening parameter:$\Gamma$)는 각각 1.336eV 및 11.2meV의 값을 얻었다. 측정온도를 300~80K로 낮춤에 따라 PR 신호는 엑시톤과 2차원의 띠사이 전이가 중첩된 형태(300K)에서 전형적인 엑시톤 에 의한 전이형태(80K)로 변함을 알았다. 또한 Varshni 계수 $\alpha=-0.94\pm$0.07meV/K, $\beta=587\pm$35.2K와 Bose-Einstein 계수 aB=33.6$\pm$2.02meV, $\theta=165\pm$33K의 값을 얻었다. 그리고 등온 및 등시 열처리를 수행한 후 측정 결과, 온도 $300^{\circ}C$에서 10~20분 정도 열처리시켰을 때 InP 시료의 결정성이 가장 좋아짐을 정성적으로 알 수 있었다.