ZnO is a widely investigated material for the blue and ultraviolet solid-state emitters and detectors. It has been promoted due to a wide-band gap semiconductor which has large exciton binding energy of 60 meV, chemical stability and low radiation damage. However, there are many problems to be solved for the growth of p-type ZnO for practical device applications. Many researchers have made an efforts to achieve p-type conductivity using group-V element of N, P, As, and Sb. In this letter, we have studied the optical characteristics of the antimony-doped ZnO (ZnO:Sb) thin films by means of photoluminescence (PL), PL excitation, temperature-dependent PL, and time-resolved PL techniques. We observed donor-to-acceptor-pair transition at about 3.24 eV with its phonon replicas with a periodic spacing of about 72 meV in the PL spectra of antimony-doped ZnO (ZnO:Sb) thin films at 12 K. We also investigate thermal activation energy and carrier recombination lifetime for the samples. Our result reflects that the antimony doping can generate shallow acceptor states, leading to a good p-type conductivity in ZnO.
본 논문에서는 온도 변화에 따라 절연체-금속 상전이 특성을 보이는 이산화바나듐(VO2)를 식각한 도선과 금속 도선을 조합한 밴드-전환형 테라헤르츠 메타물질을 제시하였다. 갭을 가지는 금속 사각 구조 가운데 식각된 VO2 도선을 위치시킨 구조와 VO2 상전이 특성을 이용하여 제안된 메타물질의 가변성을 확보하였다. 설계한 VO2 기반 메타물질은 VO2의 절연체-금속 상전이 특성에 따라 공진 주파수가 1.4 THz에서 0.7 THz으로 전환되었다. 이때, 제안한 메타물질의 절대 투과율은 0.7 THz와 1.4 THz에서 각각 78.5%와 65.8%로 높은 변화율을 가지고, 전환이 가능한 두 공진 주파수 중간 대역에서 40%와 60% 사이의 안정적인 투과율을 보이면서 균일하게 90도의 높은 차등 위상 변위 특성을 보였다.
Based on the transfer-matrix method (TMM), we report the characteristics of the interface states in one-dimensional (1D) composite structures consisting of two photonic crystals (PCs) composed of binary dielectrics A and B, with unit-cell configurations ABA (PC I) and BAB (PC II). The dependence of the interface states on the number of unit cells N and the boundary factor x are displayed. It is verified that the interface states are independent of N when the PC has inversion symmetry (x = 0.5). Besides, the composite structures support the formation of interface states independent of the PC symmetry, except that the positions of the interface states will be varied within the photonic band gaps. Moreover, the robustness of the interface states against nonuniformities is investigated by adding Gaussian noise to the layer thickness. In the case of inversion symmetry (x = 0.5) the most robust interface states are achieved, while for the other cases (x ≠ 0.5) interface states decay linearly with position inside the band gap. This work could shed light on the development of robust photonic devices.
Microstrip antennas generally have a lot of advantages that are thin profile, lightweight, low cost, and conformability to a shaped surface application with integrated circuitry. In addition to military applications, they have become attractive candidates in a variety of commercial applications such as mobile satellite communications, the direct broadcast system (DBS), global positioning system (GPS), and remote sensing. Recently, many of the researches have been achieved for improving the impedance bandwidth of microstrip antennas. The basic form of the microstrip antenna, consisting of a conducting patch printed on a grounded substrate, has an impedance bandwidth of $1\~2\%$. For improvement of narrow bandwidth of microstrip patch, we were designed U-slot microstrip patch antenna in this paper. This antenna had wide bandwidth for all personal communication services (PCS) and IMT-2000. For the design of U-slot microstrip patch antenna using a finite difference time domain(FDTD) method. This numerical method could get the frequency property of U-slot patch antenna and the electromagnetic fields of slots.
In this paper, a microstructured, hexagonal-shaped dual-core photonic crystal fiber (PCF) is proposed. The proposed structure has specific optical properties to obtain high birefringence and short coupling length, for different values of structural parameters varied over a wide range of wavelength. The properties are analyzed using a solid core of silica material. The proposed structure is implemented as a polarization splitter with splitting length of 1.9 mm and a splitting ratio of -34.988 dB, at a wavelength of 1550 nm. The obtained bandwidth in one band gap of about 81 nm. The numerical analysis ensures that the performance of the proposed polarization splitter is better than that of existing ones.
유도전동기는 기동 시 전류가 정격전류의 6$\sim$8배에 이르기 때문에 경 부하로 운전하는 경우에는 역률을 떨어뜨릴 뿐만 아니라 과다한 기동전류로 인해 계통전원에 순간전압 강하를 유발시켜 선로의 전력품질저하가 심각하게 대두되고 있다. 본 논문에서는 PSCAD/EMTDC 패키지를 이용하여 IEEE에서 제시한 배전 계통 13버스 모형 모델 및 유도기 부하를 모델링 하여 사고모의 및 DSTATCOM의 보상효과를 시뮬레이션을 통하여 보였다.
We were designed the hole transport layer of the new composite skeleton structure having a high charge mobility and thermal stability. In this paper, a hole transport layer material based on thiophene molecular structure capable of hole mobility characteristics and high triplet energy was designed and synthesized. The structures and properties of the synthesized compounds were characterized by NMR, fluorescence spectroscopy and energy band gap. As a result of NMR measurement, it was confirmed that when analyzing the integrated type with the position where the measured peak is displayed, it agrees with the structure of hole transport materials. The emission characteristics of the hole transport layer material showed absorption characteristics at 412 nm and 426 nm, respectively, and exhibited emission characteristics in the range of 469 nm and 516 nm.
본 논문에서는 광섬유에 아르곤 레이저 빔이 입사될 때 생기는 위상격자 형성에 관한 역학을 다룬다. 간단한 쌍광자 표백모델(two-photon bleaching model)을 이용하여 위상격자가 시간이 지남에 따라 이상적인(ideal) 격자로 자기조직됨(self-organized)을 보인다. 광섬유의 각점에서의 시간에 따른 상태전개는 하나의 보편 매개변수(universial parameter)에 의해 나타내어지고 또한 이 광섬유계를 기술하는 연립편미분 방정식이 이 매개변수에 의해 연립 상 미분 방정식으로 간소화 된다. 이 연립 상 미분 방정식을 이용하여 위상격자가 자라나는 상태는 한 고정점(a fixed point)를 향해 가는 과정이고 이 고정점은 완벽히 위상맞춤(phase-matched)된 격자에 해당된다는 것을 보인다.
n형과 p형 GaAs의 도핑에 따른 형광과 시간 분해 형광특성을 조사하였다. 도핑의 농도가 증가할수록 형광의 피크 위치는 p형은 낮은 에너지 쪽으로, n형은 높은 에너지 쪽으로 이동함을 관찰하였다. 이것은 p형은 띠간격 좁아짐 효과가 우세하게 작용하며, n형은 Burstein-Moss효과가 지배적으로 작용하기 때문인 것으로 해석된다. 또한, 도핑의 농도가 증가하면 형광의 소멸시간과 상승시간이 감소하며, p형의 형광소멸시간과 상승시간이 n형보다 더 빠르게 나타났다. 따라서 도핑된 GaAs에서 형광소멸시간과 상승시간은 다수 운반자의 종류와 농도에 의존함을 알 수 있으며, 운반자-운반자 상호작용이 에너지 이완 과정에 중요한 역할을 함을 알 수 있었다.
초소형 광집적 회로를 실현하기 위해 실리콘 기반의 2차원 광자 결정에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그 중에서 대표적 구조인 공기 클래딩을 갖는 2차원 실리콘 광자 결정은 우수한 광학적 특성을 가지나, 다양한 소자를 집적화하기에는 기계적 강도가 약하다. 본 연구에서는 기계적 강도를 향상시킨 대칭적인 저굴절률 실리카 클래딩을 갖는 2차원 실리콘 광자 결정을 제안하며, 공기 및 실리카 클래딩을 갖는 광자 결정 슬랩 구조의 광학적 특성을 이론적으로 비교하였다. 3차원 유한 차분 시간 영역법을 이용하여 공기 클래딩을 갖는 2차원 실리콘 광자 결정 슬랩 구조를 분석한 결과, 광통신 대역에서 약 330 nm의 광자 밴드갭과 약 100 nm의 무손실 도파 대역을 가짐을 보였다. 이러한 결과를 바탕으로 실리카 클래딩을 갖는 2차원 광자 결정 슬랩 구조를 계산한 결과, 클래딩의 굴절률이 공기보다 높음에도 불구하고 공기 클래딩 구조의 광학적 특성에 버금가는 약 230 nm의 광자 밴드갭과 약 90 nm의 무손실 도파 대역을 갖는 구조를 설계하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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