In this paper, we report on the obtention of nanocrystalline $SrMoO_4$ synthesized through modified combustion process. These powders were characterized by X-ray diffraction, Fourier Transform Raman and Infrared Spectroscopy. These studies reveal that the scheelite-type $SrMoO_4$ crystallizes in tetragonal structure with I41/${\alpha}$ (N#88) space group. Transmission electron microscopy image shows that the nanocrystalline $SrMoO_4$ powders have average size of 18 nm. The optical band gap determined from the UV-V is absorption spectra for the as prepared sample is 3.7 eV. These powders showed a strong green photoluminescence emission. The samples are sintered at a relatively low temperature of $850^{\circ}C$. The morphology of the sintered pellet is studied with scanning electron microscopy. The dielectric constant and loss factor values obtained at 5 MHz for a well sintered $SrMoO_4$ pellet has been found to be 9.50 and $7.5{\times}10^{-3}$ respectively. Thus nano $SrMoO_4$ is a potential candidate for low temperature co-fired ceramics and luminescent applications.
To investigate the effect of preparing condition on the physical properties of carbon nanotubes suitable for optical applications, carbon nanotubes were synthesized by thermal chemical vapor deposition using Ni particles as a catalyst on stainless steel substrate and acetylene as a reactant gas. To examine the physical and optical properties, SEM, TEM, Ram an, UV-visible, and photoluminescence spectroscopy were used. The physical properties of carbon nanotubes such as diameter, degree of growth density and morphology were closely related to such experimental conditions as Ni particle size, growing pressure, and etching condit on of Ni particles, it appeared from the light absorbance and photoluminescence spectra of carbon nanotube mixture prepared with an addition of a photopolymer, P3HT(Poly(3-hexylthIop hene)) that carbon nanotube could do a role as a kind of electron acceptor for solar cell application.
We present synthesis of a new kind of organic-inorganic hybrid polymer, poly xylene-hexamethyltrisiloxane hybrid (PXS) by a new synthetic way from o-xylene and 1,1,3,3,5,5-hexamethyltrisiloxane. The merged molecular structure of the two monomeric components for the PXS polymer was confirmed by $^{13}C$- and $^1H$-NMR, and FT-IR. Its optical absorption and emission properties were investigated by UV-vis absorption and photoluminescence (PL) spectroscopy. The PXS exhibits absorption at 265 nm which is the same with the o-xylene but tailing up to nearly 400 nm, which is maybe related the polymeric structure of the PXS. For the PL investigation, the PXS shows red-shift of the peak from 288 nm (o-xylene) to 372 nm in the case of excitation at 265 nm, at which both PXS and o-xylene have sufficiently high absorption for excitation. When 325-nm laser is used for excitation, the PXS shows a broader peak at 395 nm compared to the excitation at 265 nm and the o-xylene shows no luminescence probably due to the lack of absorption at 325 nm.
We investigated the effects of high potential barriers on the optical characteristics of InAs quantum dots (QDs) by using photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) spectroscopy. A sample with regular InAs quantum dots on GaAs was grown by molecular beam epitaxy (MBE) as a reference. Another InAs QDs sample was embedded in single AlGaAs barriers. On the other hand, a sample with GaAs/AlGaAs superlattice barriers was adopted for comparison with a sample with a single AlGaAs layer. In results, we found that the emission wavelength of QDs was effectively tailored by using high potential barriers. Also, it was found that the optical properties of a sample with QDs embedded in GaAs/AlGaAs superlattices were better than those of a sample with QDs embedded in a single layer of AlGaAs barriers. We believe that GaAs/AlGaAs superlattice could effectively prevent the generation of defects.
We report on a strong violet luminescence emitted from the ZnO:Al films grown on glass substrate by radio-frequency magnetron sputtering. The growth of high-quality thin films and their optical properties are controlled by adjusting the mixture ratio of Ar and $O_2$, which is used as the sputtering gas. The crystallinity of the films is improved as the oxygen flow ratio is decreased, as evidenced in both x-ray diffractometer and atomic force microscope measurements. As for the violet luminescence measured by photoluminescence (PL) spectroscopy, the peak energy and intensity of the PL signal are decreased with increasing the oxygen flow ratio. The peak energy of the violet PL spectrum for the thin film with an oxygen flow ratio of 50 % is almost constant, regardless of the increase of laser Power and temperature. These results indicate that the violet PL signal is probably due to defects related to interstitial Zn atoms.
In this work, narrow-band green-emitting CsPbBr3 particles are embedded in commercialized glass composites by a facile dry process. By optimizing the method through sintering in glass frit (GF) composites including CsBr and PbBr2, used as precursors, the encapsulation of CsPbBr3 particles made them waterproof with green fluorescence. To improve the fluorescent properties by reducing aggregation of CsPbBr3, fumed silica (FS) is additionally used to help particles avoid bulking up in the glass matrix. The CsPbBr3 perovskite/glass composites are characterized using scanning electron microscopy (SEM) images and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) maps, which support the existence of CsPbBr3 particles in the glass matrix. The photoluminescence (PL) properties demonstrate that the emission spectrum peak, full width at half maximum (FWHM), and photoluminescence quantum yield (PLQY) values are 519 nm, 17 nm, and 17.7 %. We also confirm the water-resistant properties. To enhance water/moisture stability, the composite sample is put directly into water, with its PLQY monitored periodically under UV light.
In this study, we have investigated photo-induced changes of optical energy gap( $E_{OP)}$ and photoluminescence (PL) in amorphous ($\alpha$-) S $e_{100-x}$G $e_{x}$ (x=5, 25 and 33) thin films prepared by conventional thermal evaporation method. In the $\alpha$-S $e_{100-x}$G $e_{x}$ thin film, the $E_{OP}$ is obtained by a linear extrapolation of the ($\alpha$hν)$^{\frac{1}{2}}$ versus hν plot to the energy axis using the optical absorption coefficient ($\alpha$) calculated from the extinction coefficient k measured in the wavelength range of 290~900nm. Although the values of $\Delta$$E_{OP}$ are very different, all films exhibit photo-induced photo-darkening (PD) effect that is a red shift of $E_{OP}$ . In particular, $\Delta$$E_{OP}$ in $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ thin film exhibits the largest value (i, e., $\Delta$$E^{OP}$ ~40meV for $\alpha$-S $e_{95}$ G $e_{5}$ , $\Delta$$E_{OP}$ ~200meV for $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ , $\Delta$$E_{OP}$ ~130meV for $\alpha$-S $e_{67}$ G $e_{33}$ ). PL spectra in $\alpha$-SeGe by hν$_{HeCd}$ have no-Stokes shift (SS) and show a tendency dependent on both composition and illumination time. We explain the energy-induced phenomena such as the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..tc..
$Dy^{3+}$- and $Eu^{3+}$-codoped $CaMoO_4$ Phosphors were synthesized by using the solid-state reaction method. The crystal structure, morphology, and optical properties of the resulting phosphor particles were investigated by using the X-ray diffraction, field-emission scanning electron microscopy, and photoluminescence spectroscopy. XRD patterns exhibited that all the synthesized phosphors showed a tetragonal system with a main (112) diffraction peak, irrespective of the content of $Eu^{3+}$ ions. As the content of $Eu^{3+}$ ions increased, the grains showed a tendency to agglomerate. The excitation spectra of the synthesized powders were composed of one strong broad band centered at 305 nm in the range of 220 - 350 nm and several weak peaks in the range of 350 - 500 nm resulting from the 4f transitions of activator ions. Upon ultraviolet excitation at 305 nm, the yellow emission line due to the $^4F_{9/2}{\rightarrow}^6H_{13/2}$ transition of $Dy^{3+}$ ions and the main red emission spectrum resulting from the $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ transition of $Eu^{3+}$ ions were observed. With the increase of the content of $Eu^{3+}$, the intensity of the yellow emission band gradually decreased while that of the red emission increased. These results indicated that the emission intensities of yellow and red emissions could be modulated by changing the content of the $Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$ ions incorporated into the host crystal.
본 연구에서는 산소분압조건이 radio 주파수(RF) 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 Al이 도핑된 ZnO (AZO) 박막의 성질에 미치는 영향을 조사하였다. Hall, photoluminescence (PL), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 측정들은 0.9의 산소분압으로 증착된 AZO 박막의 경우 p형 전도도를 나타내었지만 반면에 0 - 0.6 범위의 산소분압으로 증착된 AZO 박막의 경우는 n형 전도도가 관찰 되었다는 것을 보여주고 있다. 또한 PL 및 XPS 결과는 zinc vacancies 와 oxygen interstitials등과 같은 억셉터 같은 결함들이 0.9의 산소분압으로 증착된 AZO 박막 내에서 증가해서 그 결과 p형 전도도의 AZO 박막을 형성하였다는 것을 알려주고 있다. Hall 결과는 0 - 0.6 범위의 산소분압으로 증착된 AZO 박막을 투명 박막 트랜지스터 응용에서 전극층으로 사용할 수 있음을 가리키고 있다. X-ray diffraction 해석으로부터 더 큰 산소분압으로 증착 된 AZO 박막 들이 더 큰 tensile 스트레스 뿐 만 아니라 더 작은 grain 크기를 가지면서 더 악화 된 결정질 특성을 가진다는 사실을 확인 하였는데 이는 증착 도중에 더 많은 산소원자들이 주입되는 것과 관련이 있음을 알 수 있었다. atomic force 마이크로스코프의 연구에서 산소분압을 사용하여 증착된 박막에서 더 완만한 표면 거칠기를 관찰하였는데 산소원자들의 주입이 더 큰 비저항을 초래하였다는 것을 Hall 측정으로도 확인할 수 있었다.
1.1~2.1eV의 직접 천이형 밴드갭을 가지는 전이금속 칼코게나이드(Transition Metal Dichalcogenide, TMDC)는 빛에 대한 반응성이 크고 구조적 특징상 2차원 물질들과의 수직 이종접합구조를 형성하기 용이하다는 장점으로 차세대 광전소자와 반도체소자 물질로서 대두되고 있다. 하지만 TMDC를 얻는 공정들의 한계로 인해 고품질, 대면적의 수직이종접합구조의 형성에 어려움이 존재한다. 본 연구에서는 MOCVD 시스템을 제작하고, 단일층 TMDC 및 이들의 이종구조에 제조에 대한 연구를 수행하였다. 특히, 버블러 타입의 유기금속화합물 소스를 활용하여, 반응기 내로 유입되는 소스의 농도와 유량을 정밀하게 조절함으로써 전면적으로 균일한 박막을 얻을 수 있다. MOCVD로 MoS2, WS2 박막을 성장시키고 주사전자현미경, UV-visible spectrophotometer, Raman spectroscopy, photoluminescence 분석을 진행하여 균일한 박막을 성장시켰음을 확인하였다. 또한, MoS2 박막에 WS2 박막을 직접 성장시킴으로써 MoS2/WS2 수직 이종접합구조를 형성하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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