We developed a new photoresist which was composed of polyaniline, uv-curing agent, N-methyl-2- pyrrolidine (NMP) and N-Butyl alcohol (BuOH) as solution. The photoresist is characterized by the capability of being developed in water. We successfully patterned pentacene thin film, which was vulnerable to organic solvent and thus could not be patterned by the conventional photolithography process, with the water soluble photoresist and the minimum feature size was found to be 2um.
The application of focused ion beam (FIB) technology in micro/nano machining has become increasingly popular. Its use in micro/nano machining has advantages over contemporary photolithography or other micro/nano machining technologies, such as small feature resolution, the ability to process without masks and being accommodating for a variety of materials and geometries. This paper presents that the recent development and our research goals in FIB nano machining technology are given. The emphasis will be on direct milling, or chemical vapor deposition techniques (CVD), and this can distinguish the FIB technology from the contemporary photolithography process and provide a vital alternative to it. After an introduction to the technology and its FIB principles, the recent developments in using milling or deposition techniques for making various high-quality devices and high-precision components at the micro/nano meter scale are examined and discussed. Finally, conclusions are presented to summarize the recent work and to suggest the areas for improving the FIB milling technology and for studying our future research.
Abrasive jet machining (AJM) has been traditionally used for removing rusts or paints. Nowadays, this is promising technology for micro bulk machining where brittle substrate materials are used. In order to get accurate details, masks such as metal, polymer or elastomer is inevitable. Among them, photo polymer which is sensitive to the light has been attractive for it's high accuracy using photolithography. In this research, SU-8 as a photo polymer is used since it is adequate for making thick mask. So, this paper describes how to make AJM masks using SU-8 with a photolithography process, and investigates the characteristics of SU-8 masks during AJM process. Also, an example of fabrication using AJM was shown.
Micro-channels for a wave micropump have been fabricated using the Stereolithography and UV Photolithography. The micro-channel with a channel height of $500\;{\mu}m$ was fabricated with stereolithography. UV photolithography was used for producing micro-channels with a channel length less than $100\;{\mu}m$. The fabrication process data including spinning rpm, pre-bake and post-bake time, and develop time for single layer and multiple layer 3D micro-structures using SU-8 photo resist are experimentally found. A film mask printed with a 40,000 dpi laser printer was used for UV lithography and micro-structures in the order of tens of micrometers in dimension were successfully fabricated.
Biochip, which implements bioanalytical process on a tiny surface, is one of candidates for medical diagnosis, drug screening, and molecular sensing. In general, a type of biochip based on microfluidics is composed of microcomponents including microchannel, pump, and valve, which require complicated processes. In this study, gray-scale photolithography(GSPL) was applied to fabricate a biochip with multiple layers. A mould for casting PDMS(polydimethylsiloxane) channel, was fabricated using GSPL. A gray-photomask was prepared by printing gray patterns on a high-quality glossy paper followed by photoreducing by 10:1 onto the photo-film. The formation of multiple layers was studied according to the change of gray level of pattern and the developing time. A biochip composed of a weir(multiple layer structure) and a reaction chamber in a single microchannel was fabricated in a glass plate. Finally, we investigated the application of biochip to antigen-antibody reaction by packing the microbead coated with antibody.
The metal mesh films with thickness of 1.0, 1.5, $2.0{\mu}m$ were prepared by photolithography using Ag, Al, and Cu metals. Every metal films were showed C(111) preferred orientation and Ag showed the lowest resistivity and followed by Al and Cu. The transmittance of almost films were higher than 90%. But, the Ag film with thickness of $2.0{\mu}m$ was delaminated during photolithography process due to low adhesion. So, Cu and Ti metal films were introduced under Ag film to improve adhesion property. The Cu film showed higher adhesion properties compared to Ti film. Furthermore, the Ti films that deposited on Ag film showed higher acid resistance.
This study shows the effects of deionized (DI) rinse and oxide HF wet etch processes on silicon substrate during a photolithography process. We found a fail at the wafer center after DI rinse step, called Si pits, during the fabrication of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device. We tried to find out the mechanism of the Si pits by using the silicon wafer on CMOS fabrication and analyzing the effects of the friction charge induced by the DI rinsing. The key parameters of this experiment were revolution per minute (rpm) and time. An incubation time of above 10 sec was observed for the formation of Si pits and the rinsing time was more effective than rpm on the formation of the Si pits. The formation mechanism of the Si pits and optimized rinsing process parameters were investigated by measuring the charging level using a plasma density monitor. The DI rinse could affect the oxide substrate by a friction charging phenomenon on the photolithography process. Si pits were found to be formed on the micro structural defective site on the Si substrate under acceleration by developed and accumulated charges during DI rinsing. The optimum process conditions of DI rinse time and rpm could be established through a systematic study of various rinsing conditions.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.258-260
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2008
Developed halftone exposure technique was successfully applied to the fabrication of narrow transistor channels below $4\;{\mu}m$ with conventional photolithography method. Asymmetric slits concept of photo mask was applied to make channel lengths (L) shorter for thin film transistor's (TFT) high performance. These short channel TFTs verified better quality transistor characteristics.
Recently, demand of digital products with optoelectronic device is increasing rapidly. A microlens array is applied to improve optical efficiency on optoelectronic device, and it is usually fabricated by photolithography and reflow process after planarization layer coating process. UV molding process is more suitable for mass production of high quality microlens array than photolithography and reflow process. In the present study, microlens array was fabricated on the simulated optoelectronic device with planarization layer by aligned UV molding process. The shape of replicated microlens was measured, and the section image of molded part was examined.
Micro-scale surface pattern has an benefit of tribological application under lubricated sliding contact. Therefore, a special pattern, that has to reduce the coulomb friction under contact, is considered to be necessary for improved efficiency of machines. The current study investigated the friction property of angle effect for micro-scale grooved crosshatch pattern on bearing steel surface using pin-on-disk type. The samples fabricated by photolithography process and then these are carry out the electrochemical etching process. We discuss the friction property due to the influence of hatched-angle on contact surface. We could be explained the lubrication mechanism for a Stribeck curve. It was found that the friction coefficient depend on an angle of the crosshatch on contact surface. It was thus verified that micro-scale crosshatch grooved pattern could affect the friction reduction.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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