• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제37권5호
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• pp.257-271
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• 2010

Photolithography 통합 시대의 끝이 빠르게 다가옴에 따라, 최근에는 새로운 나노 스케일의 소재와 집적 방식에 기반을 둔 수많은 나노 스케일 장치와 시스템이 나타나고 있다. 특히 nanowire crossbar 구조를 이용한 다양한 reconfigurable architecture 들이 보고되고 있다. 하지만 아쉽게도 나노 스케일의 구성 요소를 이용한 이러한 고집적 시스템은 생산 단계에서 발생하는 각종 물리적 결함과 오차에 취약하며 따라서 결함에 대한 관용성 즉 defecttolerance는 nanowire reconfigurable crossbar 시스템에 있어 해결해야 할 가장 중대한 문제 중 하나라 할 수 있다. 이에 본 논문에서는 nanowire reconfigurable crossbar 시스템 상에서 사용되어질 수 있는 세 가지의 결함 회피형(defectavoidant) 로직 재할당 알고리듬을 설명하고 다양한 방식으로 평가하였다. 이에 더불어 로직 재할당시에 발생하는 비용과 이로 인해 얻어지는 repair performance를 계량적으로 상호 분석하여 최적화된 repair 방식을 찾아내는 새로운 방안을 소개하였다. 이어 다양한 파라메터들을 이용한 시뮬레이션 결과를 제시함으로써 새로 소개된 cost-driven repair 최적화 방식을 검증하였다.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제17권11호
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• pp.1826-1832
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• 2007

We describe the fabrication of poly(ethylene glycol) diacrylate (PEG-DA) hydrogel microstructures with a high aspect ratio and the use of hydrogel microstructures containing the enzyme ${\beta}$-galactosidase (${\beta}$-Gal) or glucose oxidase (GOx)/horseradish peroxidase (HRP) as biosensing components for the simultaneous detection of multiple analytes. The diameters of the hydrogel microstructures were almost the same at the top and at the bottom, indicating that no differential curing occurred through the thickness of the hydrogel microstructure. Using the hydrogel microstructures as microreactors, ${\beta}$-Gal or GOx/HRP was trapped in the hydrogel array, and the time-dependent fluorescence intensities of the hydrogel array were investigated to determine the dynamic uptake of substrates into the PEG-DA hydrogel. The time required to reach steady-state fluorescence by glucose diffusing into the hydrogel and its enzymatic reactions with GOx and HRP was half the time required for resorufin ${\beta}$-D-galactopyranoside (RGB) when used as the substrate for ${\beta}$-Gal. Spatially addressed hydrogel microarrays containing different enzymes were micropatterned for the simultaneous detection of multiple analytes, and glucose and RGB solutions were incubated as substrates. These results indicate that there was no cross-talk between the ${\beta}$-Gal-immobilizing hydrogel micropatches and the GOx/HRP-immobilizing micropatches.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권3호
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• pp.73-76
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• 2020

은 나노와이어는 금속 특유의 고전도 특성, 낮은 Percolation threshold 및 고투과 특성을 나타내어 차세대 투명전극 물질로 각광받고 있다. 이를 플렉서블 및 웨어러블 디바이스, 전자피부 디바이스 등과 같은 다양한 분야에 활용하기 위해서는 은 나노와이어 전극을 필요한 형태로 패터닝 하기 위한 기술이 필수적으로 요구된다. 일반적으로, 은 나노와이어를 패터닝하기 위한 공법으로는 포토리소그래피 및 에칭, 프린팅, 레이저 Ablation 등을 들 수 있으나, 이러한 패터닝 기술들은 공정 절차가 복잡하거나 높은 공정 비용 등의 단점이 있다. 이에 본 연구에서는 UV-curable 점착제 기반의 low-cost 은 나노와이어 패터닝 공법을 개발하고자 하였다. 은 나노와이어 네트워크가 형성된 폴리우레탄 필름에 UV 경화형 테이프를 부착하고, UV를 선택적으로 조사한 뒤, 다시 UV 경화형 테이프를 벗겨내는 3단계의 간단한 공정만으로 은 나노와이어 패턴을 성공적으로 형성할 수 있었으며, 간단한 구현 원리 및 분석 결과를 본 논문에서 보고하고자 한다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.529-529
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• 2006

Several laboratories worldwide have demonstrated the feasibility of producing amorphous silicon thin film transistor (TFT) arrays at temperatures that are sufficiently low to be compatible with flexible foils such as stainless steel or high temperature polyester. These arrays can be used to fabricate flexible high information content display prototypes using a variety of different display technologies. However, several questions must be addressed before this technology can be used for the economic commercial production of displays. These include process optimization and scale-up to address intrinsic electrical instabilities exhibited by these kinds of transistor device, and the development of appropriate techniques for the handling of flexible substrate materials with large coefficients of thermal expansion. The Flexible Display Center at Arizona State University was established in 2004 as a collaboration among industry, a number of Universities, and US Government research laboratories to focus on these issues. The goal of the FDC is to investigate the manufacturing of flexible TFT technology in order to accelerate the commercialization of flexible displays. This presentation will give a brief outline of the FDC's organization and capabilities, and review the status of efforts to fabricate amorphous silicon TFT arrays on flexible foils using a low temperature process. Together with industrial partners, these arrays are being integrated with cholesteric liquid crystal panels, electrophoretic inks, or organic electroluminescent devices to make flexible display prototypes. In addition to an overview of device stability issues, the presentation will include a discussion of challenges peculiar to the use of flexible substrates. A technique has been developed for temporarily bonding flexible substrates to rigid carrier plates so that they may be processed using conventional flat panel display manufacturing equipment. In addition, custom photolithographic equipment has been developed which permits the dynamic compensation of substrate distortions which accumulate at various process steps.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.86-89
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• 2004

Organic thin film transistors (OTFTs) are fabricated on the plastic substrate through 4-level mask process without photolithographic patterning to yield the simple fabrication process. And we herewith report for the effect of dielectric surface modification on the electrical characteristics of OTFTs. The KIST-JM-1 as an organic molecule for the surface modification is deposited onto the surface of zirconium oxide $(ZrO_2)$ gate dielectric layer. In this work, we have examined the dependence of electrical performance on the interface surface state of gate dielectric/pentacene, which may be modified by chemical properties in the gate dielectric surface.

• 공업화학
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• 제24권5호
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• pp.562-565
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• 2013

고순도의 알루미늄 호일은 전기화학적 에칭을 통해 표면적을 증가시킨 후 전해 커패시터의 양극으로 사용된다. 그러나 산화 피막의 결함 및 에치 피트의 불규칙 생성에 의해 성장된 에치 피트의 분포는 불균일하며 이러한 불균일 형태는 알루미늄 넓은 표면적 분포에도 불구하고 여러 형태의 적용을 어렵게 만든다. 본 연구에서는 알루미늄의 선택적 에칭을 위해 포토리소그래피 방법으로 제작된 패턴 마스크를 사용하여 알루미늄 표면에 균일성을 갖는 보호층을 형성시켰다. 균일한 패턴을 갖는 알루미늄을 용액의 온도 및 전류밀도 등의 조건을 변경하여 실험하였고, 알루미늄 표면에 다양한 크기($2{\sim}5{\mu}m$)의 균일성을 갖는 에치 피트의 형성을 확인할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제23권4호
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• pp.101-105
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• 2016

최근 자연모방을 이용한 소수성 표면 가공이 많은 관심을 끌고 있다. 대표적인 가공 방법으로 기계적 가공, 포토리소그래피 가공, 레이저를 이용한 공정이 있다. 본 논문에서는 구리필름에 UV 펄스 레이저를 직접 조사해 마이크로 그루브를 형성하고 상온에서의 산화를 통해 표면의 거칠기를 증가시켜 소수성 표면을 제작하였다. 패턴 생성 뒤 일정 시간 산화를 시킨 후에 측정된 접촉각은 산화를 시키기 전보다 약 $30{\sim}70^{\circ}$까지 증가함을 보인다. 본 연구 결과를 통해서 화학적인 처리과정 없이 보다 안정한 소수성 표면을 제조할 수 있음을 확인하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권2호
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• pp.88-93
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• 1994

We fabricated a large-scale photovoltaic device for detecting-3-5$\mu$m IR, by forming of n$^{+}$-p junction in the $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te (MCT) layer which was grown by LPE on CdTe substrate. The composition x of the MCT epitaxial layer was 0.295 and the hole concentration was 1.3${\times}10^{13}/cm^{4}$. The n$^{+}$-p junction was formed by B+ implantation at 100 keV with a does 3${\times}10^{11}/cm^{2}. The n$^{+}$ region has a circular shape with 2.68mm diameter. The vacuum-evaporated ZnS with resistivity of 2${\times}10^{4}{\Omega}$cm is used as an insulating layer over the epitaxial layer. ZnS plays the role of the anti-reflection coating transmitting more than 90% of 3~5$\mu$m IR. For ohmic contacts, gole was used for p-MCT and indium was used for n$^{+}$-MCT. The fabrication took 5 photolithographic masks and all the processing temperatures of the MCT wafer were below 90$^{\circ}C$. The R,A of the fabricated devices was 7500${\Omega}cm^{2}$. The carrier lifetime of the devices was estimated 2.5ns. The junction was linearly-graded and the concentration slope was measured to be 1.7${\times}10^{17}/{\mu}m$. the normalized detectivity in 3~5$\mu$m IR was 1${\times}10^{11}cmHz^{12}$/W, which is sufficient for real application.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.326-326
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• 2014

It has been known since the mid 1960s that Ag can be photodissolved in chalcogenide glasses to form materials with interesting technological properties. In the 40 years since, this effect has been used in diverse applications such as the fabrication of relief images in optical elements, micro photolithographic schemes, and for direct imaging by photoinduced Ag surface deposition. ReRAM, also known as conductive bridging RAM (CBRAM), is a resistive switching memory based on non-volatile formation and dissolution of a conductive filament in a solid electrolyte. Especially, Ag-doped chalcogenide glasses and thin films have become attractive materials for fundamental research of their structure, properties, and preparation. Ag-doped chalcogenide glasses have been used in the formation of solid electrolyte which is the active medium in ReRAM devices. In this paper, we investigated the nature of thin films formed by the photo-dissolution of Ag into Ge-Se glasses for use in ReRAM devices. These devices rely on ion transport in the film so produced to create electrically programmable resistance states [1-3]. We have demonstrated functionalities of Ag doped chalcogenide glasses based on their capabilities as solid electrolytes. Formation of such amorphous systems by the introduction of Ag+ ions photo-induced diffusion in thin chalcogenide films is considered. The influence of Ag+ ions is regarded in terms of diffusion kinetics and Ag saturation is related to the composition of the hosting material. Saturated Ag+ ions have been used in the formation of conductive filaments at the solid electrolyte which is the active medium in ReRAM devices. Following fabrication, the cell displays a metal-insulator-metal structure. We measured the I-V characteristics of a cell, similar results were obtained with different via sizes, due to the filamentary nature of resistance switching in ReRAM cell. As the voltage is swept from 0 V to a positive top electrode voltage, the device switches from a high resistive to a low resistive, or set. The low conducting, or reset, state can be restored by means of a negative voltage sweep where the switch-off of the device usually occurs.

• 한국광학회지
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• 제16권4호
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• pp.340-344
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• 2005

화염가수분해 증착법(FHD : Flame Hydrolysis Deposition)으로 제작된 Ge이 첨가된 BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass)막의 표면을 절단톱(dicing saw)을 이용하여 일정한 깊이로 절단함으로써 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 형성시켰다. 또한 절단된 각 단위 마이크로렌즈 셀들을 가열용융(thermal reflow) 방법을 이용하여 $1200^{\circ}C$에서 가열용응시킴으로써 직경이 $53.4{\mu}m$인 마이크로렌즈 어레이를 제작할수 있었다. 이 때 렌즈간 간격은 $70{\mu}m,$ 렌즈 두께는 약 $28.4{\mu}m$이었다. 제작된 마이크로렌즈 어레이의 형상을 이미지-프로세스로 분석하였으며. 초점거리는 $62.2{\mu}m$이었다. 본 제작방법은 일반적인 사진식각 공정을 이용한 마이크로렌즈 제작보다 간단하면서도 저렴한 비용으로 제작이 가능하다. 또한 곡률반경의 조절이 용이하고, 보다 정밀하며 다양한 마이크로렌즈 어레이를 구현할 수 있다.