• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.108-108
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• 2010

We have generated Ne-Xe plasma in dense plasma focus device with hypocycloidal pinch for extreme ultraviolet (EUV) lithography and investigated an electron temperature. We have applied an input voltage 4.5 kV to the capacitor bank of 1.53 uF and the diode chamber has been filled with Ne-Xe(30%) gas in accordance with pressure. If we assumed that the focused plasma regions satisfy the local thermodynamic equilibrium (LTE) conditions, the electron temperature of the hypocycloidal pinch plasma focus could be obtained by the optical emission spectroscopy (OES). The electron temperature has been measured by Boltzmann plot. The light intensity is proportion to the Bolzman factor. We have been measured the electron temperature by observation of relative Ne-Xe intensity. The EUV emission signal whose wavelength is about 6~16 nm has been detected by using a photo-detector (AXUV-100 Zr/C, IRD) and the line intensity has been detected by using a HR4000CG Composite-grating Spectrometer.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권6호
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• pp.327-331
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• 2016

Resistive random access memory (ReRAM) of metallic conduction channel mechanism is based on the electrochemical control of metal in solid electrolyte thin film. Amorphous chalcogenide materials have the solid electrolyte characteristic and optical reactivity at the same time. The optical reactivity has been used to improve the memory switching characteristics of the amorphous $As_2Se_3$-based ReRAM. This study focuses on the formation of holographic lattices patterns in the amorphous $As_2Se_3$ thin film for straight conductive channel. The optical parameters of amorphous $As_2Se_3$ thin film which is a refractive index and extinction coefficient was taken by n&k thin film analyzer. He-Cd laser (wavelength: 325 nm) was selected based on these basic optical parameters. The straighten conduction channel was formed by holographic lithography method using He-Cd laser.$ Ag^+$ ions that photo-diffused periodically by holographic lithography method will be the role of straight channel patterns. The fabricated ReRAM operated more less voltage and indicated better reliability.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권4호
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• pp.342-347
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• 2022

In-situ analyzation and detection of real-time chemical reactions can be a significant part in interpreting the underlying mechanism in very reactive chemical reactions. To do this, first we have designed a microfluidic device (MFD) pattern for observation of synthesis of hierarchical nanostructures based on graphene oxide (GO), conjugating the well-known coupling reaction by which the solution of 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl) carbodiimide (EDC)-mediated coupling is enhanced in the presence of n-hydroxysuccinimide (NHS) to make amide bonding, hereafter called as the EDC coupling. Then, we have manufactured microfluidic devices with multiple tens of micrometer-sized channels that can circulate those nanomaterials to be chemically reacted in the channels. These microfluidic devices were made by negative photo lithography and soft lithography. We showed the possibility of using Raman spectroscopy to reveal the basic mechanism of the energy storage applications.

• 전자공학회논문지
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• 제52권7호
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• pp.33-39
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• 2015

본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.189-189
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• 2015

Plasmonics, sensor, field effect transistors, solar cells 등 다양한 적용분야를 가지는 실리콘 구조체는 제작공정에 의해 전기적 및 광학적 특성이 달라지기 때문에 적합한 나노구조 제작방법이 요구되고 있다. 나노구조체 제작방법으로는 Photo lithography, Extreme ultraviolet lithography (EUV), Nano imprinting lithography (NIL), Block copolymer (BCP) 방식의 방법들이 연구되고 있으며, 특히 BCP는 direct self-assembly 특성을 가지고 있으며 가격적인 면에서도 큰 장점을 가진다. 하지만 BCP를 mask로 사용하여 식각공정을 진행할 경우 BCP가 버티지 못하고 변형되어 mask로서의 역할을 하지 못한다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 본 논문에서는 BCP와 질화막을 이용한 double mask 방법을 사용하였다. 기판 위에 BCP를 self-assembly 시키고 mask로 사용하여 hole 부분으로 노출된 기판을 Ion gun을 통해 질화 시킨 후에 BCP를 제거한다. 기판 위에 hole 모양의 질화막 표면은 BCP와 다르게 etching 공정 중 변형되지 않는다. 이러한 질화막 표면을 mask로 사용하여 pillar pattern의 실리콘 나노구조체를 제작하였다. 질화막 mask로 사용되는 template은 PS와 PMMA로 구성된 BCP를 사용하였다. 140kg/mol의 polystyrene과 65kg/mol의 PMMA를 톨루엔으로 용해시키고 실리콘 표면 위에 spin coating으로 도포하였다. Spin coat 후 230도에서 40시간 동안 열처리를 진행하여 40nm의 직경을 가진 PS-b-PMMA self-assembled hole morphology를 형성하였다. 질화막 형성 및 etching을 위한 장비로 low-energy Ion beam system을 사용하였다. Reactive Ion beam은 ICP와 3-grid system으로 구성된 Ion gun으로부터 형성된다. Ion gun에 13.56 MHz의 frequency를 갖는 200W 전력을 인가하였다. Plasma로부터 나오는 Ion은 $2{\Phi}$의 직경의 hole을 가지는 3-grid hole로 추출된다. 10~70 voltage 범위의 전위를 plasma source 바로 아래의 1st gird에 인가하고, 플럭스 조절을 위해 -150V의 전위를 2nd grid에 인가한다. 그리고 3rd grid는 접지를 시켰다. chamber내의 질화 및 식각가스 공급은 2mTorr로 유지시켰다. 그리고 기판의 온도는 냉각칠러를 이용하여 -20도로 냉각을 진행하였다. 이와 같은 공정 결과로 100 nm 이상의 높이를 갖는 40 nm직경의 균일한 Silicon pillar pattern을 형성 할 수 있었다.

• 폴리머
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• 제31권2호
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• pp.148-152
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• 2007

콜레스테릭 액정모노머를 이용하여 액정표시장치용 선택반사 칼라필터 원형을 개발하였다. 콜레스테릭 액정은 특정한 기판처리 조건에서 나선(helical twist) 구조를 갖는 액정으로서 피치와 비슷한 크기의 입사 파장을 반사시키는 독특한 선택반사의 광특성을 갖는다. 실험결과 R, G, B의 파장영역을 반사시키는 반구형으로 패턴된 콜레스테릭 반사 필름을 개발하여 그 반사파장의 피크 값을 살펴본 바, 시야각 방향 변화에 따라 적색, 녹색필름은 단파장쪽으로 반사파장 피크가 이동하였으며 청색의 경우 별다른 변화가 없었다. 포토리소그래피를 이용하여 포토레지스트(Photo-resist)를 thermal reflow방식으로 마이크로미터 크기의 반구형의 주기적인 패턴을 얻을 수 있었으며 그 위에 형성된 적색, 녹색, 청색의 필름은 패턴이 없는 경우에 비하여 시야각에 따른 반사파장의 변화가 적음을 육안을 통하여, 그리고 Lab좌표를 통해서 각각 정량적으로 확인할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제13권3호
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• pp.103-108
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• 2003

미시자기모델과 Stoner-Wohlfarth 모델을 이용하여 미크론 크기로 패터닝(patterning) 된 퍼멀로이 박막의 자기소거장 효과를 분석하였다. 또한 20 $\mu\textrm{m}$$\times$(40 $\mu\textrm{m}$~200 $\mu\textrm{m}$) 크기의 퍼멀로이 박막 시료를 DC 마그네트론 스퍼터링과 광 리소그라피(photo littlography)로 제작하였고, 제작된 시료의 자기저항 특성과 전산시늉에 의한 결과를 비교하였다. 미시자기모델에 의한 결과가 Stoner-Wohlfarth모델에 의한 결과보다 측정 데이터에 더 잘 일치하였다. 전산시늉 결과 미크론 크기로 패터닝 된 자기박막 시료의 경우 Stoner-Wohlfarth 모델에서의 자기소거장 근사식이 수정되어야함을 제안하였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제34권6호
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• pp.35-41
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• 2006

본 논문에서는 무밸브 마이크로펌프에 사용되는 압전 다이아프램의 성능을 향상시키는 방법이 연구되었다. 큰 작동 변위와 작동력을 가지는 원형 형태의 경량 압전 복합재료 작동기(LIPCA)를 마이크로 펌프용으로 제작하였다. 유한요소 해석과 실험을 통하여 원형 LIPCA의 성능을 예측하여 최적의 적층 형태를 설계하였다. 최적의 원형 LIPCA를 기반으로 포토리소그라피법과 PDMS 몰딩법을 사용하여 무밸브 마이크로 펌프를 제작하였다. 압전 다이아프램의 작동 변위 및 마이크로 펌프의 유량과 배압을 실험적으로 계측하였고, 반경험식을 사용하여 예측한 유량과 비교하였다. 이상의 연구에서 원형 LIPCA가 마이크로 펌프용으로 사용되는 보통의 압전 작동 다이아프램을 대체할 수 있는 우수한 작동기임을 확인할 수 있었다.

• 대한안전경영과학회지
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• 제6권4호
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• pp.155-170
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• 2004

Among the semiconductor If-chips, unlike memory chips, a majority of Application Specific IC(ASIC) products are produced by customer orders, and meeting the customer specified due date is a critical issue for the case. However, to the one who understands the nature of semiconductor manufacturing, it does not take much effort to realize the difficulty of meeting the given specific production due dates. Due to its multi-layered feature of products, to be completed, a semiconductor product(called device) enters into the fabrication manufacturing process(FAB) repeatedly as many times as the number of the product specified layers, and fabrication processes of individual layers are composed with similar but not identical unit processes. The unit process called photo-lithography is the only process where every layer must pass through. This re-entrant feature of FAB makes predicting and planning of due date of an ordered batch of devices difficult. Parallel machines problem in the photo process, which is bottleneck process, is solved with restricted roll out algorithm. Roll out algorithm is a method of solving the problem by embedding it within a dynamic programming framework. Restricted roll out algorithm Is roll out algorithm that restricted alternative states to decrease the solving time and improve the result. Results of simulation test in condition as same as real FAB facilities show the effectiveness of the developed algorithm.

• 한국정밀공학회지
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• 제24권9호
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• pp.103-109
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• 2007

LCD (Liquid Crystal Display) is widely used electronic product. It needs too many processes such as PECVD (Plasma Enhanced Vapor Deposition), Sputtering, Photo-lithography, Dry etch. Each process is important but inspection process is more important because most companies emphasis on the six sigma. Recently, LCD inspection system is composed with inlet, inspector, outlet air pads. LCD is inspected on air pad which is shooting air from air hole. This paper studies on pad design of air bearing for LCD inspection to minimize LCD fluctuation. This design is able to reduce fluctuation and then satisfies CCD inspectional range. Also inspection pad needs to adequate stable area.