The development of highly efficient thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials is an active area of recent research in organic light emitting diodes (OLEDs) since the first report by Chihaya Adachi in 2011. Traditional fluorescent materials can harvest only singlet excitons, leading to the theoretically highest external quantum efficiency (EQE) of 5% with considering about 20% light out-coupling efficiency in the device. On the other hand, TADF materials can harvest both singlet and triplet excitons through reverse intersystem crossing (RISC) from triplet to singlet excited states. It could provide 100% internal quantum efficiencies (IQE), resulting in comparable high EQE to traditional rare-metal complexes (phosphorescent materials). Thanks to a lot of efforts in this field, many highly efficient TADF materials have been developed. This review focused on recent molecular design concept and optoelectronic properties of TADF materials for high efficiency and long lifetime OLED application.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.6
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pp.451-456
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2013
To study emission properties of white phosphorescent organic light emitting devices (PHOLEDs), we fabricated white PHOLEDs of ITO(150 nm) / NPB(30 nm) / TcTa(10 nm) / mCP(7.5 nm) / light-emitting layer(25 nm) / UGH3(5 nm) / Bphen(50 nm) / LiF(0.5 nm) / Al(200 nm) structure. The total thickness of light-emitting layer with co-doping and blue-doping/co-doping using a host-dopant system was 25 nm and the dopant of blue and red was FIrpic and $Bt_2Ir$(acac) in UGH3 as host, respectively. The OLED characteristics were changed with position and thickness of blue doping layer and co-doping layer as light-emitting layer and the best performance seemed in structure of blue-doping(5 nm)/co-doping(20 nm) layer. The white PHOLEDs showed the maximum current density of $34.5mA/cm^2$, maximum brightness of $5,731cd/m^2$, maximum current efficiency of 34.8 cd/A, maximum power efficiency of 21.6 lm/W, maximum quantum efficiency of 15.6%, and a Commission International de L'Eclairage (CIE) coordinate of (0.367, 0.436) at $1,000cd/m^2$.
The properties of monomeric and dimeric salen-aluminum complexes, [salen(3,5-$^tBu)_2$Al(OR)], R = $OC_6H_4-p-C_6H_6$ (H1) and R = [salen(3,5-$^tBu$)AlOPh]C$(CH_3)_2$ (H2) (salen = N,N'-bis-(salicylidene)-ethylenediamine) as host layer materials in red phosphorescent organic light-emitting diodes (PhOLEDs) were investigated. H1 and H2 exhibit high thermal stability with decomposition temperature of 330 and $370^{\circ}C$. DSC analyses showed that the complexes form amorphous glasses upon cooling of melt samples with glass transition temperatures of 112 and $172^{\circ}C$. The HOMO (ca. -5.2~-5.3 eV) and LUMO (ca. -2.3~-2.4 eV) levels with a triplet energy of ca. 1.92 eV suggest that H1 and H2 are suitable for a host material for red emitters. The PhOLED devices based on H1 and H2 doped with a red emitter, $Ir(btp)_2$(acac) (btp = bis(2-(2'-benzothienyl)-pyridinato-N,$C^3$; acac = acetylacetonate) were fabricated by vacuum-deposition and solution process, respectively. The device based on vacuum-deposited H1 host displays high device performances in terms of brightness, luminous and quantum efficiencies comparable to those of the device based on a CBP (4,4'-bis(Ncarbazolyl) biphenyl) host while the solution-processed device with H2 host shows poor performance.
In this paper, the light emitting efficiency, spectrum, and the lifetime of the phosphorescent devices, whose emission characteristics are strongly dominated not only by the energy transfer but also by the charge carrier trapping induced by the emissive dopant, are explained by differences in the energy levels of the host, dopant, and nearby transport layers. On the basis of our finding on device performance and photocurrent measurement data by time-of-flight (TOF), we investigated the effect of the difference of carrier trapping dopant and properties of the host materials on the efficiency roll-off of phosphorescent organic light emitting diode (OLED), along with a physical interpretation and practical design scheme, such as a multiple host system, for improving the efficiency and lifetime of devices.
We synthesized a spirobenzofluorene type phosphine oxide (SPPO2) as a new triplet host and an universal electron transport material for phosphorescent organic light-emitting diodes(PHOLEDs). Red PHOLEDs with the SPPO2 host material showed a high quantum efficiency of 14.3 % with a current efficiency of 20.4 cd/A. In addition, the SPPO2 could be applied as an electron transport material which can be matched with any host material due to the lowest unoccupied molecular orbital of 2.4 eV. Electron injection from a cathode to the SPPO2 electron transport layer was better than common electron transport materials. In particular, the SPPO2 was effective as the electron transport material in blue PHOLEDs and the quantum efficiency was more than doubled and driving voltage was lowered by more than 3 V using the SPPO2 instead of common electron transport material.
Schwambera, Markus;Keiper, Dietmar;Meyer, Nico;Heuken, Michael;Lindla, Florian;Bosing, Manuel;Zimmermann, Christoph;Jessen, Frank;Kalisch, Holger;Jansen, Rolf H.;Gemmern, Philipp Van;Bertram, Dietrich
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2009.10a
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pp.1140-1143
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2009
Organic Vapor Phase Deposition (OVPD) equipment enables the accurate and simultaneous control of deposition rates of multiple materials as well as their homogenous mixing in the gas phase. Graded or even cross-faded layers by varying carrier gas flow are options to improve OLED performances. As example, we will show how the efficacies of standard red phosphorescent OLEDs with sharp interfaces can be increased from 18.8 cd/A and 14.1 lm/W (1,000 cd/$m^2$) to 36.5 cd/A (+94 %, 18 % EQE) and 33.7 lm/W (+139 %) by the introduction of cross-fading, which is a controlled composition variation in the organic film.
New iridium complexes with 2-(3',5'-bis-trifluoromethylphenyl)-4-metoxypyridine [$(CF_3)_2ppyOMe$] were synthesized and characterized for blue phosphorescent materials. It was found that $Ir[(CF_3)_2ppyOMe]_2$(acac) gives blue emission at 471 nm with strong luminescence efficiency. We discuss the role played by electron withdrawing substituents and also how the ancillary ligand influences the emission peak.
Monomer and aggregate of $Bebq_2$ give fluorescence at 492 and 511 nm at 12 K, respectively. Intense T1 emission with vibronic structure was observed from $Bebq_2$ and $Alq_3$ below 70 K by heavily doping with phosphorescent $Ir(ppy)_3$. Energy transfer from $Ir(ppy)_3$ was clarified by photoluminescence excitation spectra.
In this paper, a renovated approach in the fabrication of red organic light-emitting diodes (OLEDs) is described. The hard-to-control doping process required for dopant-based red OLEDs can be avoided due to the novel red fluorophores that are not concentration quenching in solid state. Doping is in general a must for phosphorescence OLEDs because of the triplet-triplet annihilation, a common problem for phosphorophore dopants. However, we have recently found that extraordinary red iridium complex showing relatively short emission lifetime render the non-doped phosphorescence red OLED possible.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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