Silane($SiH_4$), methane($CH_4$), diborane(B_2H_6)그리고 phosphine($PH_3$)을 이용하여 rf글로방전분해법으로 PIN형 a-SiC:H/a-Si:H 이종접합 태양전지를 제작하였다. $SnO_2/ITO$층 형성치 태양전지의 효율은 ITO 투명전극만의 경우보다 1.5% 향상되었다. 제작조건은 P층의 경우 $CH_4/SiH_4$의 비를 5로 하고 두께는 $100{\AA}$이었다. I층은 P층위에 증착하였으나 진성이 아니고 N형에 가깝다. 이 I층을 진성으로 바꾸기 위해서 0.3ppm의 $B_2H_6$를 $SiH_4$에 혼합하여 5000${\AA}$증착했다. 또한 N층은 $PH_4/SiH_4$의 비를 $10^{-2}$로 하여 $400{\AA}$ 증착시켰다. 그 결과 입사강도가 15mW/$cm^2$일 때 개방전압 $V_{oc}=O'$단락전류밀도 $J_{sc=14.6mA/cm^2}$, 충진율 FF=58.2%, 그리고 효율 ${eta}=8.0%$를 나타내었다. 빛의 반사에 의한 손실을 감소시키기 위하여 $MgF_2$를 유리기판위에 도포하였다. 이에 의한 효율은 0.5% 향상되어 전체적인 효율은 8.5%였다.
Han, Gyung Deok;Kwon, Hyeok;Jin, Hyun Jung;Kum, Ho Jung;Kim, Bo Hwan;Kim, Wook
한국작물학회:학술대회논문집
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한국작물학회 2017년도 9th Asian Crop Science Association conference
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pp.45-45
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2017
The Indian meal moth, Plodia interpunctella, is one of the most important pests of stored food in the food processing industry worldwide. To control the Indian meal moth, methyl bromide, phosphine, high carbon dioxide, sulfuryl fluoride and plant essential oil fumigation have been considered. However, these treatments have disadvantages. For example, depleting the ozone layer, showing resistance in insect, low control efficacy or need high cost for treatment. Chlorine dioxide ($ClO_2$) is strong disinfectant and insecticide. The gas caused a malfunction in enzymes. The oxidative stress induced by $ClO_2$ gas treatment damaged to a physiological system and all life stages of P. interpunctella. The gaseous $ClO_2$ is a convincing alternative to methyl bromide for controlling P. interpunctella. The gaseous $ClO_2$ was generated by a chlorine dioxide generator (PurgoFarm Co., Ltd., Hwasung, Korea). It generated highly pure $ClO_2$ gas and the gas blown out through a vent into a test chamber. Gas entry to the chamber was automatically controlled and monitored by a PortaSene II gas leak detector (Analytical Technology, Collegeville, PA, USA). The properly prepared eggs, larvae, pupae, and adults of P. interpunctella were used in this experiment. Data were analyzed using SAS 9.4. Percentage data were statistically analyzed after arcsine-root transformation. Analysis of variance was performed using general linear model, and means were separated by the least significant difference test at P < 0.05. Fumigation is an effective management technique for controlling all stages of P. interpunctella. We found that $ClO_2$ gas treatment directly effects on egg, larvae, pupae and adults of P. interpunctella. The gas treatment with proper concentration for over a day achieved 100 % mortality in all stages of P. interpunctella and short time treatment or low concentration gas treatment results showed that the egg hatchability, pupation rate, and adult emergency rate were lowered compare with untreated control. Also, abnormal pupae or adult rate were increased. Gaseous $ClO_2$ treatment induced insecticidal reactive oxygen species (ROS), and it resulted in fatal oxidative stress in P. interpunctella. Taken together, these results showed that exposure proper concentration and time of the gas control all stages of P. interpunctella by inducing fatal oxidative stress. Further studies will be required to apply the gas treatment under real-world condition and to understanding physiological reaction in P. interpunctella caused by oxidative stress.
방사선 조사(5, 10 kGy)와 훈증처리$(MeBr,\;PH_3)$된 건고추의 저장조건(실온,4, 8개월)에 따른 미생물학적, 수분함량, 기계적 색도 및 흡광특성에 미치는 영향을 검토하였다. 처리군별 미생물 농도에서 무처리 시료의 총세균은 분말 고추 $4.8\times10^5\;CFU/g$, 통고추 $1.8\times10^2\;CFU/g$ 수준이었고, 효모 및 곰팡이는 분말 고추 $1.7\times10^5\;CFU/g$, 통고추 $5.0\times10^2\;CHU/g$수준으로 통고추에 비해 분말 고추가 높은 미생물 농도를 나타내었다. 그러나 대장균군은 모든 시료에서 검출되지 않았다. 특히, 화학 훈증제는 살균 효과가 거의 나타나지 않았으나 5 kGy범위의 감마선 조사는 모든 미생물 농도를 $2\~3\;log$ cycle 이상 감소시킬 수 있었다. 건고추의 수분함량은 감마선과 훈증처리에 의해 거의 변화되지 않았으나 저장조건의 영향이 크게 나타났다. 건고추 과육 추출물의 흡광특성은 처리군간에 차이가 없었다. 과피의 명도(L)는 처리직후 10 kGy 조사군과 MeBr 처리군에서 적색도(a)와 황색도(b)는 감마선과 훈증처리군에서 각각 낮은 (p<0.05) 값을 보였으나 저장 4개월 이후에는 무처리군과 처리군간에 유의적이 차이가 없었으며, 저장기간은 시료의 색도변화에 유의적인 영향을 나타내었다.
건고추의 위생화 및 검역처리와 관련하여 감마선 조사(5, 10 kGy)와 훈증처리(MeBr, $PH_3$)된 건고추의 지장 중 기계적 색도(Hunter L, a, b, ${\Delta}E$) 및 관능적 품질을 평가하였다. 건고추의 가공형태에 따른 비교에서 통고추는 실온저장 중 높은 명도(L) 값을, 분말 고추는 높은 적색도(a) 값을 유지하였다. 건고추 부위별 시료의 색도에 대한 감마선과 훈증 처리의 영향에서 처리 직후에는 전반적인 색차(${\Delta}E$) 값이 크지 않았으나, 저장 8개월 후 통고추는 $PH_3$ 훈증군이, 분말 고추는 5 kGy 조사군이 각각 높은 적색도를 보였다(p<0.05). 감마선 조사 건고추 과피의 적색도는 저장 8개월에 크게 감소하였으며, 훈증 처리된 시료에서도 유사한 변화를 보였다. 건고추 씨의 황색도(b)는 10 kGy 조사군이 가장 낮은 값을 보였으며(p<0.05), 저장 기간이 경과됨에 따라 처리군 간에 유의적인 차이가 나타나지 않았다. 통고추 및 분말고추의 관능적 품질은 상업적 조건의 감마선 및 훈증 처리에 의해 거의 변화되지 않았으며, 저장기간이 경과할수록 대조군에 비해 높은 관능평점을 보여주었다. 이 같은 결과는 감마선 및 훈증 처리 시 통고추 형태보다는 분말고추에서 보다 양호하게 나타났다.
Kim, Jack-C.;Kim, Ji-A;Park, Jin-Il;Kim, Si-Hwan;Kim, Seon-Hee;Choi, Soon-Kyu;Park, Won-Woo
Archives of Pharmacal Research
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제20권3호
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pp.253-258
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1997
Ten, heretofore unreported, $ 5^I-methyl-5^I-[2-(5-substituted uracil-1-yl)ethyl)]-2^I-oxo-3^I$-methylenetetrahydrofurans (H, F, Cl, Br, I, $ CH_3$,$CF_3$,$CH_2CH_3$,$ CH=CH2$, SePh) (7a-j) were synthesized and evaluated against four cell lines (K-562, FM-3A, P-388 and U-937). For the preparation of ${\alpha}$-methylene-${\gamma}$-butyrolactone-linked to 5-substituted uracils (7a-j), the convenient Reformasky type reaction was employed which involves the treatment of ethyl ${\alpha}$-(bromomethyl)acrylate and zinc with the respective 1-(5-substituted uracil-1-yl)-3-butanone (6a-j). The 5-substituted uracil ketones (6a-j) were directly obtained by the respective Michael type reaction of vinyl methyl ketone with the $K_2CO_3$(or NaH)-treated 5-substituted uracils (5a-j) in the presence of acetic acid in the DMF solvent. The .alpha.-methylene-.gamma.-butyrolactone compounds showing the most significant antitumor activity are 7e, 7f, 7h and 7j (inhibitory concentration $(IC_50)$ ranging from 0.69 to $2.9 {\mu}g/ml$), while 7b, 7g and 7i have shown moderate to significant activity. The compounds 7a, 7c and 7d were found to be inactive. The synthetic intermediate compounds 6a-j were also screened and found marginal to moderate activity where compounds 6b and 6g showed significant activity $(IC_50:0.4~2.8 {\mu}g/ml)$.
2012년 구미 불화수소 누출사고 이후 화학 물질 사고에 대한 사회적 불안감이 증폭되었고, 이러한 불안감 해소를 위해 2015년부터 장외영향평가제도가 도입되었다. 장외영향평가제도는 대부분의 화학물질을 대상으로 하며, 반도체, 디스플레이, 태양광 산업 등 첨단산업 분야에서 주로 사용되는 대부분의 고압 독성가스가 이에 포함된다. 우리나라 기업들이 첨단산업 분야에서 높은 경쟁력을 보유한 만큼, 국내에서 고압 독성가스 사용량은 지속적으로 증가하고 있으며 이에 따라 사고발생 가능성도 높아질 것으로 예상된다. 이러한 상황에 따라 본 연구에서는 국내에서 사용되는 고압 독성가스 중 제조량 및 사용량이 높은 물질을 대상으로 미국 환경보호청과 미국 해양대기국이 공동 개발한 ALOHA 프로그램을 활용하여 사고영향범위를 평가하였으며, 알진의 사고영향범위가 4,700 m로 가장 넓은 것으로 나타났다. 사고영향범위 결과는 고압 독성가스 누출 시 효과적인 안전거리 결정에 활용할 수 있을 것으로 기대한다.
While there are plenty of studies on synthesizing semiconducting germanium nanowires (Ge NWs) by vapor-liquid-solid (VLS) process, it is difficult to inject dopants into them with uniform dopants distribution due to vapor-solid (VS) deposition. In particular, as precursors and dopants such as germane ($GeH_4$), phosphine ($PH_3$) or diborane ($B_2H_6$) incorporate through sidewall of nanowire, it is hard to obtain the structural and electrical uniformity of Ge NWs. Moreover, the drastic tapered structure of Ge NWs is observed when it is synthesized at high temperature over $400^{\circ}C$ because of excessive VS deposition. In 2006, Emanuel Tutuc et al. demonstrated Ge NW pn junction using p-type shell as depleted layer. However, it could not be prevented from undesirable VS deposition and it still kept the tapered structures of Ge NWs as a result. Herein, we adopt $C_2H_2$ gas in order to passivate Ge NWs with carbon sheath, which makes the entire Ge NWs uniform at even higher temperature over $450^{\circ}C$. We can also synthesize non-tapered and uniformly doped Ge NWs, restricting incorporation of excess germanium on the surface. The Ge NWs with carbon sheath are grown via VLS process on a $Si/SiO_2$ substrate coated 2 nm Au film. Thin Au film is thermally evaporated on a $Si/SiO_2$ substrate. The NW is grown flowing $GeH_4$, HCl, $C_2H_2$ and PH3 for n-type, $B_2H_6$ for p-type at a total pressure of 15 Torr and temperatures of $480{\sim}500^{\circ}C$. Scanning electron microscopy (SEM) reveals clear surface of the Ge NWs synthesized at $500^{\circ}C$. Raman spectroscopy peaked at about ~300 $cm^{-1}$ indicates it is comprised of single crystalline germanium in the core of Ge NWs and it is proved to be covered by thin amorphous carbon by two peaks of 1330 $cm^{-1}$ (D-band) and 1590 $cm^{-1}$ (G-band). Furthermore, the electrical performances of Ge NWs doped with boron and phosphorus are measured by field effect transistor (FET) and they shows typical curves of p-type and n-type FET. It is expected to have general potentials for development of logic devices and solar cells using p-type and n-type Ge NWs with carbon sheath.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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