본 논문에서는 롤타입 마스크를 사용한 마이크로/나노 구조 제작용 광학 리소그래피 방법을 소개한다. 이 생산 방법은 다양한 목표 해상도에 따라 위상지연 리소그래피방법과 포토리소그래피로 나뉜다. 사용되는 빛의 파장대보다 작은 해상도를 갖는 패턴을 제작하기 위해서 실린더 형태의 위상지연 마스크를 활용한 근거리 노광 방식을 사용한다. 또한 필름 형태의 금속 마스크를 써서 포토리소그래피를 연속방식으로 수행하였는데 이 방식은 실린더 마스크의 회전수를 조절함으로써 노광 결과 패턴의 주기를 실시간으로 조절할 수 있다. 이 기술의 응용으로 금속 그물패턴으로 만들어진 100 $mm^2$ 넓이의 투명전극을 제작하였다.
회전항을 첨가한 임의 위상판(random phase mask; RPM)을 이용하여 광학상 암호화 장치의 암호화수준을 향상시키는 방법을 제시하였다. 이중 임의 위상판으로 암호화된 광학상은 광굴절 LiNbO$_3$:Fe 결정에 기록되고 위상공액파를 이용하여 재생하였으며, 세기변조 함수를 이용하여 아날로그 입력상에 대한 암호화 수준을 분석하였다.
This paper presents a phase-only modulation scheme for a three-dimensional (3-D) image matching system to improve optical efficiency of the system. The 3-D image matching system is based on the two mask heterodyne scanning. A hologram of the 3-D reference object is first created and then the phase of the hologram is extracted. The phase of the hologram is represented as one mask with the other mask being a plane wave. The superposition of each beam modulated by the two masks generated a scanning beam pattern. This beam pattern scans the 3-D target object to be recognized. The output of the scanning system gives out the correlation of the phase-only hologram of the reference object and the complex hologram of the target object. Since a hologram contains 3-D information of an object as a form of fringe pattern, the correlation of holograms matches whole 3-D aspect of the objects. Computer simulations are performed with additive gaussian noise and without noise for the complex hologram modulation scheme and the phase-only hologram modulation scheme. The computer simulation results show that the phase-only hologram modulation scheme improves the optical efficiency. Thus the system with the phase-only hologram modulation scheme is more robust than the system with the complex hologram modulation scheme.
The waveguide Bragg gratings have been fabricated by the phase-mask method. An excimer laser with maximum 600mJ output pulse energy and uniform phase masks have been used. Hydrogen loading is often used for enhancing the uv photosensitivity of the core, however, the resultant gratings show significant aging effect. In the present study, high temperature thermal annealing process has been investigated to obtain thermal gratings and process parameters are deduced.
In this paper, we consider a method for estimating a stripe-type defect and the reconstruction of a defect-free L/S type mask used in lithography. Comparing diffraction patterns of defected and defect-free masks, we derive equations for the estimation of the location and size of the defect. We construct an analytical model for this problem and derive closed form equations to determine the location and size using phase retrieval problem solving techniques. Consequently, we develop an algorithm that determines a defect-free mask pattern. An example shows the validity of the equations.
극자외선 리소그래피(EUV lithography) 기술은 50nm 이하의 선폭을 가지는 차세대 소자 제작에 있어서 선도적인 기술 중 하나이다. EUVL 에서 필수적인 요소중의 하나가 mirror 로 사용되는 blank mask 이다. Blank mask 에 있어서 가장 중요한 요소는 반사도이다. 이 blank mask 는 Si substrate 위에 반사를 위한 Mo/Si pair 가 40pair 이상 적층되어있다. Blank mask 는 매우 청결해야한다. 만약 결함이 있다면 blank mask 에는 치명적이다 결함은 blank mask 에 있어서 반사도를 떨어뜨리는 주 요소이기 때문이다. 그 결함에는 amplitude defect 과 phase defect 이 있다. FIB 에서는 amplitude defect 을 수정하는 것이 가능하다. 우리는 FIB 를 이용하여 mage mode, spot mode, bar rotation mode 를 사용하여 amplitude defect을 수정하였다. 그리고, 그 결과 효과적으로 amplitude defect을 수정하였다.
HVPE 법으로 sapphire 기판 위에 두께 9$\mu\textrm{m}$의 GaN film을 성장하였다. Sapphire위에 직접 성장된 GaN film은 crack free로 mirror surface를 나타내었고 dislocation density는 $2{\times}10^9/cm^2$이었다.$SiO_2$ mask pattern을 사용하여 성장된 ELO GaN film도 대부분이 mirror surface를 나타내었으나 표면 일부에서 coalescence가 덜 이루어져 stripe 방향으로 hole이 존재하였다. ELO GaN film의 mask 윗부분은 window 부분에 비해 낮은 dislocation density를 나타냈다. 특히 mask center와 window사이 영역에서는 거의 dislocation이 없었다. ELO GaN film의 dislocation density는 평균 $8{\times}10^7/cm^2$.이었다.
Optical encoding method of images using random-phase encoding in both input and Fourier Planes was proposed by Javidi and his group, and the method was realized experimentally by Singh and his group with use of a photorefractive crystal and a phase conjugate wave.[1-2] Recently various techniques have been proposed theorically and experimentally. These include the method using one random-phase mask in the Fourier plane or two random-phase masks in the input and the Fresnel planes.[3] We demonstrate the difference and the problem of the methods using one or two random-phase masks in the Fourier or Fresnel plane. We perform the encoding and decoding in $LiNbO_3$ crystal using degenerate four-wave mixing.
Nano-sized Ni-ferrite powder was fabricated by spray pyrolysis process using the waste solution resulting from shadow mask processing. The average particle size of the powder was below 100 nm. The effects of the concentration of raw material solution, the nozzle tip size and air pressure on the properties of powder were studied. As the concentration increased, the average particle size of the powder gradually increased and its specific surface area decreased, but size distribution was much wider and the fraction of the Ni-ferrite phase greatly increased as the concentration increasing. As the nozzle tip size increased from 1 mm to 2 mm, the average particle size of the powder decreased. In case of 3 mm nozzle tip size, the average particle size of the powder increased slightly. On the other hand, in case of 5 mm nozzle tip size, average particle size of the powder decreased. Size distribution of the powder was unhomogeneous, and the fraction of the Ni-ferrite phase decreased as the nozzle tip size increasing. As air pressure increased up to 1 kg/$cm^2$, the average particle size of the powder decreased slightly, on the other hand, the fraction of the Ni-ferrite phase was almost constant. In case of 3kg/$cm^2$ air pressure, average particle size of the powder and the fraction of the Ni-ferrite phase remarkably decreased, but size distribution was narrow.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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