• 제목/요약/키워드: Phase kinks

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Surface Gravity Waves with Strong Frequency Modulation

  • 이귀주
    • 한국해양공학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.1-6
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    • 2006
  • Modulation theory describes propagation of surface waves with deep wave number and frequency modulation. Locally spectrally narrow wave packet can have accumulated large scale frequency shift of carrier wave during propagation. Some important nonlinear modulation effects, such as negative frequencies, phase kinks, crest pairing, etc., often observed experimentally at long fetch propagation of finite amplitude surface wave trains, are reproduced by the proposed theory. The presented model permits also to analyze the appropriately short surface wave packets and modulation periods. Solutions show the wave phase kinks to arise on areas' of relatively small free surface displacement in complete accordance with the experiments.

HRTEM에 의한 pseudo-brookite 형 화합물$(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$에서의 변조구조 관찰 (HRTEM Observations on the Modulated Structure in Pseudo-brookite-type Compound, $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$)

  • 이확주;박현민;조양구;류현;남산
    • Applied Microscopy
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    • 제29권1호
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    • pp.95-103
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    • 1999
  • Pseudo-brookite 구조의 $MgTi_2O_5$와 이와 유사한 구조를 갖는 $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$에 관한 미세구조를 200kV에서 작동되는 고분해능 투과전자현미경을 사용하여 관찰하였다. 변조구조는 $MgTi_2O_5$에서는 발견되지 않았으나, $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$에서는 복잡한 구조가 발견되었다. $(In_{0.36}Zn_{1.09})Ti_2O_{5.64}$ 구조의 전자회절패턴은 $MgTi_2O_5$와 fundamental 회절점들은 유사하나 4가지 형태의 초격자 회절점이 더 존재하였다. 변조구조의 주기는 [220] 방향으로 3.63nm, 0.79nm, 그러고 0.64 nm를 이루고 [420] 방향으로는 0.81nm를 이룬다. 미세구조 관찰중 전자빔에 의하여 상전이가 야기되어 변조된 구조에서 좀 더 단순화된 변조없는 구조로 가역적으로 전환한다. 가해지는 전자빔에 의한 손상기구는 ledge 구조의 kink에서 void가 형성되어 작은 결정들로 갈라지고 손상이 커지면, 최종적으로 결정성을 잃게 된다.

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Buried-Ridge Waveguide Laser Diode 제작 및 특성평가 (Fabrication and characterization of InGaAsP/InP multi-quantum well buried-ridge waveguide laser diodes)

  • 오수환;이지면;김기수;이철욱;고현성;박상기
    • 한국광학회지
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    • 제14권6호
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    • pp.669-673
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    • 2003
  • 본 연구에서는 기존의 ridge waveguide laser diode(RWG LD)보다 ridge폭에 따른 측방향 단일모드 특성이 우수하고 planar 화에 유리하며 측방향의 유효 굴절률차를 ridge 구조에 추가로 성장된 InGaAsP층의 두께로 조절이 가능한 Buried RWG LD를제작하였다. 본 연구에서는 Buried RWG LD를 CBE장치로 InGaAs/InGaAsP multiple quantum well(MQW) 에피 웨이퍼를 성장하고, LPE로 재성장하여 B-RWG LD를 제작하였다. 또한 ridge 폭을 5 $\mu\textrm{m}$와 7 $\mu\textrm{m}$로 하여 B-RWG LD를 제작하고 특성을 비교하여 보았다. 제작된 7 $\mu\textrm{m}$ B-RWG LD에서 광출력이 20㎽에 이를 때까지 고차모드 발진에 의한 kink현상이 일어나지 않았으며, 포화 광출력이 80 ㎽ 이상임을 확인하였다. 제작된 B-RWG LD가 측방향 단일모드로 동작함을 확인하기 위해 FFP을 측정한 결과, ridge 폭이 5 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.7I$_{th}$ , ridge 폭이 7 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.4I$_{th}$ 까지 단일모드로 동작함을 확인할 수 있다.