• 제목/요약/키워드: Phase Transition Temperature

검색결과 884건 처리시간 0.038초

액정 폴리에스테르/PEN 블렌드 섬유의 성질 (Properties of Liquid Crystalline Polyester/Poly(ethylene 2,6-naphthalate) Blend Fibers)

  • 김원;김영용;손정선;윤두수;한철;최재곤;조병욱
    • Elastomers and Composites
    • /
    • 제37권4호
    • /
    • pp.244-257
    • /
    • 2002
  • 주사슬에 나프탈렌고리와 테트라메틸렌 및 헥사메틸렌 유연격자를 가지면서 트라이어드메소겐을 갖는 새로운 열방성 방향족 액정 폴리에스테르(TLCP)를 용액중합법에 의하여 합성하였다. TLCP의 함량을 달리하는 TLCP/PEN in situ 복합재료를 용융방사하여 연신비가 각각 다른 단섬유를 제조하고 그들의 열적, 기계적 특성 및 모폴로지를 조사하였다. 합성된 TLCP는 네마틱 액정중합체였으며 고체상에서 액정상으로의 전이 온도는 249 ℃였다. 블렌드내의 TLCP 도메인들은 매트릭스 고분자인 PEN에 잘 분산 되었으며 어떠한 거대 상 분리 현상도 보여 주지 않았다. TLCP 함량의 증가에 따른 블렌드내 PEN의 cold crystallization 온도가 낮아진 것으로 보아서 TLCP가 PEN에 대한 조핵제 역할을 하였음을 알 수 있었다. 블렌드 섬유내의 TLCP의 도메인 크기는 대략 40 ~ 50 nm정도의 미세한 크기였으며 매트릭스와의 사이에 좋은 계면 접착력을 보였다. 또한 cold 및 hot-drawing 과정을 거친 낮은 draw ratio(DR)에서는 거의 fibril이 형성되지 않았지만, 높은 DR에서는 잘 발달된 fibril들을 보여 주었다. TLCP의 강화효과로 인하여 10 wt% TLCP/ PEN 블렌드 섬유의 초기 모듈러스는 270 %, 인장강도는 235 %의 증가를 보여주었다. 반면에 신장률은 DR의 증가와 함께 감소 하였다.

NaClO2를 이용한 NO 산화 특성 (Characteristics of NO Oxidation Using NaClO2)

  • 이기만;변영철;고동준;신동남;김경태;고경보;조무현;남궁원;목영선
    • Korean Chemical Engineering Research
    • /
    • 제46권5호
    • /
    • pp.988-993
    • /
    • 2008
  • 고정층 반응기에 충진한 $NaClO_2$에 의한 NO 산화특성을 온도와 가스조건 그리고 공간속도 등을 변화시켜가며 알아보았다. $NaClO_2$와 NO의 반응은 온도에 크게 의존함을 알 수 있었다. $110^{\circ}C$까지 $NaClO_2$와 NO의 반응성은 천천히 증가하고 그 이후의 온도에서는 빠르게 증가하였으며 $170^{\circ}C$ 부근에서 가장 높은 반응성을 나타내는 것을 확인하였다. 하지만 $190^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 $NaClO_2$가 NaCl, $NaClO_3$, 상전이하여 NO와의 반응성이 나타나지 않았다. $NaClO_2$와 NO 반응의 주 생성물은 $NO_2$였으며 가스상 형태의 ClNO, $ClNO_2$ 등이 부산물로 나타났다. 이는 $NaClO_2$에 의한 NO의 산화물인 $NO_2$$NaClO_2$가 반응하여 가스상 부산물인 OClO를 생성하고, 생성된 OClO가 잔류하는 NO를 $NO_2$로 산화시키며 발생되는 Cl에 의한 것임을 확인하였다. 이와 함께 수분 및 산소의 변화는 NO 산화에 주는 영향이 미미하다는 것을 알 수 있었다.

Enhanced critical current density of in situ processed MgB2 bulk superconductors with MgB4 additions

  • Kim, S.H.;Kang, W.N.;Jun, B.H.;Lee, Y.J.;Kim, C.J.
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
    • /
    • 제19권1호
    • /
    • pp.36-41
    • /
    • 2017
  • The effects of $MgB_4$ addition on the superconducting properties and the microstructure of in situ processed $MgB_2$ bulk superconductors were studied. $MgB_4$ powder of 1-20 wt.% was mixed with (Mg + 2B) powder and then pressed into pellets. The pellets of (Mg + 2B + $xMgB_4$) were heat-treated at $650^{\circ}C$ for 1 h in flowing argon. The powder X-ray diffraction (XRD) analysis for the heat-treated samples showed that the major formed phase in all samples was $MgB_2$ and the minor phases were $MgB_4$ and MgO. The full width at half maximum (FWHM) values showed that the grain size of $MgB_2$ decreased as the amount of $MgB_4$ addition increased. $MgB_4$ particles included in a $MgB_2$ matrix is considered to suppress the grain growth of $MgB_2$. The onset temperatures ($T_{c,onset}$) of $MgB_2$ with $MgB_4$ addition (0-10 wt.%) was between 37-38 K. The 20 wt.% $MgB_4$ addition slightly reduced the $T_{c,onset}$ of $MgB_2$ to 36.5 K. This result indicates that $MgB_4$ addition did not influence the superconducting transition temperature ($T_c$) of $MgB_2$ significantly. On the other hand, the small additions of 1-5 wt.% $MgB_4$ increased the critical current density ($J_c$) of $MgB_2$. The $J_c$ enhancement by $MgB_4$ addition is attributed not only to the grain size refinement but also to the possible flux pinning of $MgB_4$ particles dispersed in a $MgB_2$ matrix.

SrCl2:Eu2+ 형광체의 광발광 및 광자극발광 특성 (Photostimulated Luminescence and Photoluminescence of SrCl2:Eu2+ Phosphors)

  • 도시홍;서효진;김영국;김도성;김성환;김찬중;이병화;김완;강희동
    • 센서학회지
    • /
    • 제11권6호
    • /
    • pp.319-326
    • /
    • 2002
  • 고상반응법으로 $SrCl_2:Eu^{2+}$ 형광체를 제작하고, 제작한 형광체의 광자극발광과 광발광 특성을 조사하였다. $SrCl_2:Eu^{2+}$ 형광체의 광발광 및 광자극발광은 $Eu^{2+}$$5d{\rightarrow}4f$ 천이에 기인되었으며, 355 nm의 광으로 여기시켰을 때 광자극발광과 광발광 스펙트럼의 파장범위는 모두 $380{\sim}440\;nm$이었고, 피이크 파장은 407 nm이었다. $SrCl_2:Eu^{2+}$ 형광체의 선량의존성은 $2.5\;mGy{\sim}200\;mGy$ 영역에서 우수한 선형성을 나타내었으며, 상온에서 광자극발광의 fading은 20분에 60%이었다.

에틸렌 이량화를 위한 새로운 NiO-ZrO2/WO3촉매의 제조와 특성 (Preparation and Characterization of New NiO-ZrO2/WO3 Catalyst for Ethylene Dimerization)

  • 손종락;신동철;박만영
    • 공업화학
    • /
    • 제7권5호
    • /
    • pp.1006-1014
    • /
    • 1996
  • 에틸렌 이량화반응을 위한 일련의 $NiO-ZrO_2/WO_3$촉매를 염화니켈-옥시염화 질코니움 수용액을 공침시키고 ammonium metatungstate용액으로 함침시킨 다음 공기 중에서 소성하여 제조하였다. X-선 회절과 DSC로부터 얻은 결과를 근거로 하면 $ZrO_2$에 NiO 및 $WO_3$를 첨가하면 $ZrO_2$와 첨가된 산화물과의 상호작용으로 $ZrO_2$의 무정형에서 tetragonal phase로의 상전이 온도가 더 높은 온도로 이동되었다. $WO_3$가 첨가되지 않은 $NiO-ZrO_2$는 에틸렌 이량화반응에 전혀 촉매 활성을 나타내지 아니하였으나 $WO_3$가 첨가된 $NiO-ZrO_2/WO_3$촉매는 실온에서도 높은 활성을 나타내었다. 이와 같은 $NiO-ZrO_2/WO_3$의 높은 촉매활성은 $WO_3$의 유도효과에 의한 산세기의 증가와 밀접한 관련이 있었다.

  • PDF

국소마취제가 Synaptosomal Plasma Membrane Vesicles의 유동성에 미치는 영향 (Effects of Local Anesthetics on the Fluidity of Synaptosomal Plasma Membrane Vesicles Isolated from Bovine Brain)

  • 윤일;한석규;백승완;김남홍;강정숙;정준기;이은주
    • 대한약리학회지
    • /
    • 제24권1호
    • /
    • pp.43-52
    • /
    • 1988
  • 국소마취제의 약리학적 작용기전을 탐구키 위하여 소의 신선한 대뇌피질로부터 synaptosomal plasma membrane vesicles(SPMV)를 분리한 후 그 소수성 중심부의 microviscosity에 미치는 국소마취제의 영향을 pyrene 형광 probe법으로 측정한 결과 lidocaine HCI과 procaine HCI이 microviscosity를 낮춘다는 것을 알았고 그 정도는 procaine HCI에 비하여 tidocaine.HCI이 더욱 컸다. 또 국소마취 제 가 dimyristoylphosphatidylcholine (DMPC) multilamellar liposomes의 상전 이온도를 낮추며 cooperative unit크기를 감소시킨다는 것도 시차 열량분석법으로 알게 되었다. 상전이온도와 cooperative unit 크기의 감소 정도는 dibucaine HCI>tetracaine HCI>lidocaine HCI > procaine HCI의 순이었다.

  • PDF

$Si_3N_4$ 기판 위에 PECVD 법으로 형성한 Tungsten Nitride 박막의 특성 (Characteristic of PECVD-$WN_x$ Thin Films Deposited on $Si_3N_4$ Substrate)

  • 배성찬;박병남;손승현;이종현;최시영
    • 전자공학회논문지D
    • /
    • 제36D권7호
    • /
    • pp.17-25
    • /
    • 1999
  • PECVD 법을 이용하여 Tungsten Nitride($WN_x$) 박막을 $WSi_3N_4$ 기판위에 형성하였다. $WN_x$ 박막은 기관온도, 가스의 유량, rf power 등의 공정변수를 변화시키면서 형성되었고, 서로 다른 질소원으로 $NH_3$$N_2$를 각각 사용하여 박막의 특성을 조사하였다. $WN_x$ 막 내의 질소함량은 $NH_3$$N_2$의 유량에 따라 0~45% 정도로 변화하였으며, $NH_3$를 사용하였을 때, 최고 160nm/min의 높은 성장률을 나타내었다. $WSi_3N_4$ 기판 위에서는 TiN이나 Si 위에서보다 높은 성장률을 나타내었다. $WN_x$ 박막의 순도를 AES로 측정해 본 결과 $NH_3$를 사용했을 때 고순도의 박막을 얻을 수 있었다. XRD 분석으로 순수한 다결정의 W가 비정질의 $WN_x$로 변화되는 것을 알 수 있었으며, 이것은 $WN_x$가 식각 공정시 미세 패턴 형성이 W보다 유리할 것이라는 것을 보여준다. TiN, NiCr, Al 등의 다양한 기판 위에 형성해 본 결과 Al 위에서 최대 $1.6 {\mu}m$의 두꺼운 막이 형성되었다.

  • PDF

HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성 (The properties of AlGaN epi layer grown by HVPE)

  • 정세교;전헌수;이강석;배선민;윤위일;김경화;이삼녕;양민;안형수;김석환;유영문;천성학;하홍주
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제22권1호
    • /
    • pp.11-14
    • /
    • 2012
  • AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{\circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다.

Pressure Assisted Freezing이 돈육의 이화학적 특성에 미치는 효과 (Effects of Pressure Assisted Freezing on Physicochemical Properties of Pork)

  • 홍근표;고세희;최미정;민상기
    • 한국축산식품학회지
    • /
    • 제27권2호
    • /
    • pp.190-196
    • /
    • 2007
  • 본 실험은 압력 수준에 따른 PAF이 돈육의 이화학적 특성에 미치는 효과를 규명하고자 시도되었다. 비록 가압 수준기 증가에 따른 상전이 온도와 냉각온도간의 차이 감소에 기인하여 고압 하에서의 잠열 감소에 의한 동결 속도 증가의 효과는 얻을 수 없었지만, 육의 PAE 처리는 가압처리에서와 같이 보수력 및 육즙 손실을 대기압 동결 처리보다 더욱 현저하게 줄일 수 있었다. 그러나 지나친 가압은 육 단백질간의 aggregation 및 심한 변성에 기인하여 육의 연도를 저하시키는 결과를 초래하였고, 또한 소비자의 구매와 직접적으로 관련된 색도에 악영향을 끼친 것으로 판단되었다. 그러나 상대적으로 낮은 압력 범위 조건에서의 PAF 처리는 동결 시 고압 처리에 의한 육색 저하를 최소화 할 수 있었고, 전단력 측면에서도 대기압 동결처리와 유의적인 차이를 보이지 않을 뿐만 아니라 보수력을 향상시킴으로써 동결처리보다 더 큰 잠재적인 이점을 보였고, 이 부분에 대한 더 많은 연구가 필요할 것으로 판단된다.

저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 MgB2 박막 구조 특성 (The Characterization of MgB2 Thin Film by Slow Positron Annihilation Spectroscopy)

  • 이종용;강원남
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제17권2호
    • /
    • pp.160-164
    • /
    • 2008
  • 저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $MgB_2$ 박막내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 비등방성 구조로 된 $MgB_2$ 박막에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처에서 S-변수를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지 10keV에서 측정된 S-변수의 최고치는 박막의 온도가 30K에서 0.567이고, 50 K에서는 0.570로 큰 변화는 없었다. 이 결과로부터 양전자가 Boron 층의 초 전자와 소멸하기 보다는 Mg층 근처의 상 전자와 소멸하는 것으로 판단된다. $MgB_2$의 박막의 외층은 Mg층으로 이루어졌다고 할 수 있다.