Electrical and mechanical properties of Pb(Mg, Te, Mn, Nb)O3-PZT ceramics are investigated as a function of CeO2 addition (0 to 0.3wt%), and the output characteristics of piezoelectric transformer are also presented. The grain size decreased and the shapes of particles were more uniform with the addition of CeO2. The coercive electric field(9500V/cm), mechanical quality factor (2500) and bend strength (1065kg/$\textrm{cm}^2$) were improved by addition of CeO2 0.2wt%. After repetition of a number of stress cycles, the degradation of k33 was not found in this sample. The voltage step-up ratio (Vdc/Vrms) of piezoelectric ceramic transformer (half wavevoltage doubler, load resistor 100M.ohm) was about 950 in a linear region, its value was relatively higher than other materials.
This work investigated the radiation attenuation characteristics of three series of tellurite glass systems with the following compositions: 30PbO-10ZnO-xTeO2-(60-x)B2O3 where x = 10, 30, 40, 50 and 60 mol%, xBaO-xB2O3-(100-2x)TeO2 with x = 15-40 mol% and 50ZnO-(50-x)P2O5-xTeO2, where x = 0, 10, .40 mol%. The results revealed that the attenuation parameters in all the samples decrease with increase in the energy, which implied that all the samples have better interaction with gamma photons at low energies and thus higher photon attenuating efficiency. From the three systems, the samples coded as PbZnBTe60, BaBTe70 and ZnPTe40 have the lowest half value layer values and accordingly have superior photon attenuation efficacy. The maximum effective atomic number values were found for energy less than 0.1 MeV particularly near the K-edges absorption of the heavy atomic number elements such as Te, Ba and Pb. At the lowest energy, the Zeff values are found in the range of 62.33-66.25, 49.43-50.81 and 24.99-35.83 for series 1-3 respectively. Also, we found that the density of the glass remarkably affects the photon attenuation ability of the selected glasses. The mean free path results showed that the PbO-ZnO-TeO2-B2O3 glass system has better radiation shielding efficiency than the glass samples in series 2 and 3.
Kim, Jin-Seon;O, Gyeong-Min;Jo, Gyu-Seok;Song, Yong-Geun;Hong, Ju-Yeon;Heo, Seung-Uk;Nam, Sang-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.484-484
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2013
기존 진단용 Digital X-ray Detector이 직접방식에서는 a-Se (Amorphous Selenium)이 대중화되었지만 고전압을 인가하여야한다는 점과 그로 인한 물질 자체의 Life time 감소 등 여러 단점들 때문에 기타 후보물질들로 HgI2, PbI2, PbO, CdTe, CdZnTe가 연구 되고 있다. 이러한 후보 물질들 중 본 연구에서는 PVD (Physical Vapor Deposition)방식을 이용하여 Polycrystalline CdTe 박막을 제작하고 특성 향상을 위해 유전물질을 Passive layer와 Protect layer로써 증착하였다. 또한 유전체층의 위치에 따른 특성 분석을 위해 제작된 박막은 FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope), XRD (X-ray Diffraction)을 통해 구조적인 특성을 확인하였다. 그리고 입사되는 X-ray 선량에 의해 생성되는 전기적 특성을 분석하였다, 그 결과 박막의 Grain Size는 약 $5{\mu}M$이며 (111)방향의 주 peak를 띄는 Poly CdTe형태로 증착된 것을 확인하였다. 전기적인 신호 결과 Passive layer와 Protect layer를 증착한 박막 모두 Darkcurrent가 감소된 것을 확인하였다. 또한 Sensitivity 측정 결과 Passive layer를 삽입한 경우 신호 값이 감소하였으며 Protect layer를 삽입한 경우 신호 값의 변화가 일어나지 않았다. 그러므로 Protect layer를 등착한 박막의 경우 SNR이 현저히 높아지는 결과를 낳았다.
Microstructure of polycrystalline Lead Telluride was controlled by the change of sintering conditions. Three properties which determine the thermoelectric figure of merit of the material were measured in the temperature range of 300-650K in order to investigate the effect of each sintering condition on the thermoelectric efficiency. Based on the observed experimental results, defect structure is concluded to be more important than microstructure though both can be controlled by processing variables.
We have observed a large increase in the magnetoresistance (MR) of Bi thin films, which were subjected to a post-annealing procedure at $268^{\circ}C$C, $3^{\circ}C$ below the Bi melting point. We have achieved an increase in the MR by 260-fold and 1200-fold at 5 K and 5 T after post-annealing, as compared with 190 and 620 for an as-deposited Bi film on PbTe/CdTe(111) and on mica, respectively. The large MR increase by post-annealing might be due to the improvement of crystallinity according to the x-ray analysis. However, post-annealing over a certain amount time showed the reduction in MR values.
Proceedings of the Korean Society of Embryo Transfer Conference
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2002.11a
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pp.79-79
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2002
본 연구에서는 in vitro에서 성숙된 난자의 핵성숙(Polar Body extrusion)에 소요되는 시간과 배반포 단계로의 발달능력 사이의 관계를 비교하여 조기에 발달능력을 가진 embryo를 선발할 수 있는 IVP 체계를 개발하고자 하였으며 in vitro maturation(IVM)에 따른 first polar body(PB) 형성, IVM과 IVF 시간이 oocyte의 발달에 미치는 영향과 생산된 배반포의 세포수를 평가하였다. IVM은 TCM199 배양액을 사용하였고 in vitro fertilization(IVF)은 Fer -TALP용액을 사용하였으며 in vitro culture(IVC)는 CRlaa 배양액을 사용하여 2일까지는 0.3% BSA를 3일 부터는 10%FBS와 bovine oviduct epithelial cell을 첨가하여 배양하였다. IVM 시간에 따른 PB의 출현율은 0hr(0%), 6hr(0%), 12hr(0%), 14hr(8.7%), 16hr(40.5%), 18hr(48.0%), 20hr(65%), 22(68%) 그리고 24hr(74.5%)을 보였으며 IVM 시간에 따른 cleavage 및 8cell 발달율 사이에는 유의적인 차이가 없었으나 배반포(BL) 및 8cell에서 배반포로 발달률은 18시간(BL 31$\pm$6, BL/8cell 82 $\pm$5%)에서 가장 높게 나타났으며 24시간(BL 17$\pm$2, BL/8cell 60$\pm$8%)과 유의적인 차이를 보였다(P<0.05). IVC 7일째 배반포의 총세포수와 trophoblast(TE) 세포수는 IVM 18시간(mean$\pm$S.E.; total: 131.1$\pm$34.0, TE: 97.6$\pm$29.6)에서 24시간(total: 112.2$\pm$17.5, TE: 80.1$\pm$15.6)보다 유의하게 많은 것으로 나왔으나(P<0.05) 7일째의 inner cell mass(ICM) 숫자(18hr 33.5$\pm$12.8 vs 24hr 32.1$\pm$12.0)와 8일째 ICM, TE 그리고 총 세포수에는 유의성 있는 차이가 없었다. IVM 18시간에서 PB 형성과 8cell 발달률 사이에 높은 상관성을 보였고 배반포 및 8cell에서 배반포 단계로 높은 발달률을 보였으며 생산된 배반포의 TE 숫자와 총 세포수가 유의하게 많은 것으로 나타났다. 따라서 IVM 18시간 실시하였을 경우 보다 많은 세포수를 가진 배반포 발달 가능성이 높은 embryo를 조기에 선발 가능할 것으로 사료된다.
The properties of Fe-Se-Te system(FeSe(sub)1-xTe(sub)x, x=0.2, 0.5, 0.8) have been studied by means of the X-ray diffraction method and Mossbauer spectroscopy. The results of X-ray diffraction patterns show that three samples have the ixed structure of tetragonal PbO and a small amount of hexagonal NiAs structure respectively. For x=0.5 the lattice parameters of tetragonal PbO structure are a=3.795$\AA$, c=5.896$\AA$ and c/a=1.55. The Mossbauer spectra were obtained with the various temperature variation and than they do not exhibit magnetic hyperfine structure but show a strong doublet. The values of observed isomer shift and quadrupole splitting suggest that the irons of all samples exist in the +2 oxidation state with a major covalent contribution. The temperature dependence of isomer shift values for x=0.8 seems to be originated from the second order Doppler effect.
Kim, Hoon;Kang, Chanyoung;Hwang, Junphil;Kim, Woochul
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.10
no.2
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pp.32-38
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2014
Heat emission from the laser diode used in the optical disc drive and the defects from the increased temperature at the system have attracted attentions from the field of the information storage device. Thermoelectric refrigerator is one of the fine solutions to solve these thermal problems. The refrigeration performance of thermoelectric device is dependent on the thermoelectric material's figure-of-merit. Meanwhile, high electrical contact resistivity between metal electrode and p- and n-type thermoelectric materials in the device would lead increased total electrical resistance resulting in the degeneracy in performance. This paper represents the manufacturing process of the PbTe-based material which has one of the highest figure-of-merit at medium-high-temperature, ~ 600K to 900 K, and the nickel contact layer for reduced electrical contact resistance at once, and the results showing the decent contact structure and figure-of-merit even after the long-term operation environment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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