The influence of the grain size of the $CH_3NH_3PbI_3$ on the solar cell performance is investigated by controlling the ratio between $CH_3NH_3I$ and $PbI_2$ precursors. As the concentration of the precursors increased from 1.0M to 2.0M, the $CH_3NH_3PbI_3$ grain size increased from ~100nm to ~400nm. The solar cell utilizing the $CH_3NH_3PbI_3$ with large grain size shows improved photocurrent compared to the solar cell utilizing $CH_3NH_3PbI_3$ with small grain size, which is ascribed to the reduced recombination at the boundaries of grains.
The mechanism of formation of perovskite phase and the dielectric properties of PZMN[Pb(Zn, Mg)1/3Nb2/3O3] ceramics were examined using two different types of the columbite precursors, (Mg, Zn)Nb2O6 (MZN) and MgNb2O6+ZnNb2O6 (MN+ZN). The formatin of perovskite phase in PbO+MN+ZN system is characterized by an initial rapid formation of Mg-rich perovskite phase, followed by a sluggish formation of Zn-rich perovskite phase. On the other hand, thepyrochlore/perovskite transformation in the PbO+MZN system proceeded uniformly with a spatial homogeneity. The degree of diffuseness of the rhombohedral/cubic phase transitionis higher in the PbO+MN+ZN system than in the PbO+MZN specimen, indicating a broadened compositional distributjion of the B-site catons (Nb+5, Zn+2, Mg+2) in the PbO+MN+ZN system.
Methylammonium lead iodide (MAPbI3) thin films were grown at low temperatures on glass substrates via 3-zone chemical vapor deposition. Lead iodide (PbI2) and lead bis (dipivaloylmethanate) [Pb(dpm)2] precursors were used as lead sources. Due to the high sublimation temperature (~400℃) of the PbI2 precursor, a low substrate temperature could not be constantly maintained. Therefore, MAPbI3 thin films degraded into the PbI2 phase. In contrast, for the Pb(dpm)2 precursor, a substrate temperature of ~120℃ was maintained because the sublimation temperature of Pb(dpm)2 is as low as 130℃ at a high vapor pressure. As a result, high-quality MAPbI3 thin films were successfully grown on glass substrates using Pb(dpm)2. The rms (root-mean-square) roughness of MAPbI3 thin films formed from Pb(dpm)2 was as low as ~19.2 nm, while it was ~22.7 nm for those formed using PbI2. The grain size of the films formed from Pb(dpm)2 was as large as approximately 350 nm.
공침법으로 제조된 비정질 $PbTiO_{3}$전구체의 결정화거동과 구조적 변화를 XRD, 라만스펙트럼, TEM, RDF등으로 조사하였다. 전구체는 이온안정제로 $H_2O_2$혹은 $NH_4NO_3$를 사용하여 제조된 질산납과 사염화티탄의 혼합수용액으로부터 $45^{\circ}C$, pH 9에서 제조되었다. 이온안정제로 $H_2O_2$를 사용한 경우보다 $NH_4NO_3$를 사용하여 제조된 공침물이 더 낮은 온도에서 결정화가 시작되며 결정화의 활성화에너지도 더 작은 값을 가진다. 비정질의 공침물은 transient phase를 거쳐 결정 $PbTiO_{3}$로 변태된다. 비정질 상태의 평균 원자거리는 열처리온도의 증가에 따라 감소한다.
The effects of reacted precursors on phase evolution, microstructure, $J_{c}$ and junctional characteristic of the inter-granular contacts were investigated in Ag-sheathed T1-1223 tapes prepared using three kinds of reacted precursors, and compared to those in the tape prepared using an unreacted precursor The precursors were prepared by heat-treating a mixture of Sr-Ba-Ca-Cu-O, $Tl_2$$O_3$, PbO and $Bi_2$$O_3$ powders at $805^{\circ}C$ (precursor I ), $840^{\circ}C$ (precursor II ) and $905^{\circ}C$(precursor III) for 20 min. Tl-1223 phase content, grain size and J\ulcorner in the tapes appeared to increase in an order of precursors I, II and III Compared to tapes prepared using an unreacted precursor, the tapes prewar ed using precursors II and III revealed reduced pore and impurity densities and an enhanced texture. Also characteristic of inter -granular contacts and fraction of strong-links were improved. The improved properties are attributed to enhanced densification resulting from using the reacted precursors.s.
lead acetate, scandium acetate, niobium isopropoxide를 전구체로 사용한 솔-젤법으로 $Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ 분말을 제조하였다. 젤 분말에 대한 결정화 거동과 상변화가 연구되었다. 솔-젤법을 이용하여 $700^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리를 행하여 97 % 이상의 매우 순수한 $Pb(Sc_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ 상을 얻을 수 있었으며 0.2 $\mu \textrm{m}$ 이하의 평균 입자 크기를 가진 매우 미세한 분말의 제조가 가능하다.
The purpose of this study was to find a best condition of fabricating lead zirconate thin film by sol-gel method, especially to find mol ratio and post annealing temperature. Lead zirconate thin film was made by spin coating method. The ratios of Pb and Zr of precursors were 1:0.8, 1:1.0, and 1:1.2. Annealing temperature of films were $600^{\circ}C$, $700^{\circ}C$, and $800^{\circ}C$ for 1 minute. Crystal structure was observed from XRD and antiferroelectricity was observed from hysteresis curves. The optimum mol ratio of Pb:Zr is 1:0.8 and annealing temperature is $800^{\circ}C$.
In this work, narrow-band green-emitting CsPbBr3 particles are embedded in commercialized glass composites by a facile dry process. By optimizing the method through sintering in glass frit (GF) composites including CsBr and PbBr2, used as precursors, the encapsulation of CsPbBr3 particles made them waterproof with green fluorescence. To improve the fluorescent properties by reducing aggregation of CsPbBr3, fumed silica (FS) is additionally used to help particles avoid bulking up in the glass matrix. The CsPbBr3 perovskite/glass composites are characterized using scanning electron microscopy (SEM) images and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) maps, which support the existence of CsPbBr3 particles in the glass matrix. The photoluminescence (PL) properties demonstrate that the emission spectrum peak, full width at half maximum (FWHM), and photoluminescence quantum yield (PLQY) values are 519 nm, 17 nm, and 17.7 %. We also confirm the water-resistant properties. To enhance water/moisture stability, the composite sample is put directly into water, with its PLQY monitored periodically under UV light.
Perovskite-type titanate dielectrics have attracted much attention in memory devices such as DRAMs or FeRAMs due to their high dielectric constants. However, low volatility of the Ba, Sr, Pb or Zr precursors with only thd ligands has limitations in obtaining high quality thin films by liquid source metal organic chemical vapor deposition (LS-MOCVD) processes. To improve the volatility of these precursors, many attempts have been made such as adding polyether ligands to satisfy the coordinative saturation. We report the synthesis of new precursors Ba(thd)₂(tmeea) and Sr(thd)₂(tmeea), where tmeea = tris[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]amino, and LS-MOCVD of barium strontium titanate (BSTO) thin films using these precursors. Due to increased basicity of amines compared with ethers, it is expected that the nitrogen-donor ligand will make a strong bond to a metal than an analogous oxygen-donor ligand, consequently improving the volatility and thermal behavior of these precursors. Thin films of BSTO were grown on Pt(111)/SiO₂/Si(100) substrates by LS-MOCVD using a cocktail source consisting of the conventional Ti precursor Ti(thd)₂(O/sup i/Pr), and these new Ba and Sr precursors. As-grown films were characterized by XPS, SEM, XRD, XRF, and C-V and I-V measurements. BSTO films grown at 420℃ were stoichiometric barium strontium titanate with very smooth surface morphology and their dielectric constants were found to be as targe as 450. Dependence of the composition, microstructure and the electrical properties of the BSTO films on the growth temperature, annealing temperature, working pressure, and the composition of the cocktail source will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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