The lightweight industry continuously demands reliable near-net-shape fabrication where the preform just out-of-machine is close to the final shape. In this study, different half-finished preforms are made π-beams. Then the preforms are unfolded to make a 3D shape with integrated structure of fibers, providing easier handling in the further processing of composites. Several 3D textile preforms are made using weaving technique and are examined after resin infusion for mechanical properties such as inter-laminar shear strength, compressive strength and tensile strength. Considering that the time and labor are important parameters in modern production, 3D weaving technique reduces the manufacturing steps and therefore the costs, such as hand-lay up of textile layers, cutting, and converting into preform shape. Hence this 3D weaving technique offers many possibilities for new applications with efficient composite production.
The semiconductor fabrication process is complex and time-consuming. There are sometimes errors in the process, which results in defective die on the wafer bin map (WBM). We can detect the faulty WBM by finding some patterns caused by dies. When one manually seeks the failure on WBM, it takes a long time due to the enormous number of WBMs. We suggest a two-step approach to discover the probable pattern on the WBMs in this paper. The first step is to separate the normal WBMs from the defective WBMs. We adapt a hierarchical clustering for de-noising, which nicely performs this work by wisely tuning the number of minimum points and the cutting height. Once declared as a faulty WBM, then it moves to the next step. In the second step, we classify the patterns among the defective WBMs. For this purpose, we extract features from the WBM. Then machine learning algorithm classifies the pattern. We use a real WBM data set (WM-811K) released by Taiwan semiconductor manufacturing company.
Cho, Jung Min;Jo, Jeongdai;Kim, Taeil;Kim, Dong Soo
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.31
no.11
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pp.993-998
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2014
Silver (Ag) grid patterned PET substrates were manufactured by thermal roll-imprinting methods. We coated highly conductive layer (HCL) as a supply electrode on the Ag grid patterned PET in the three kinds of conditions. One was no-HCL without conductive PEDOT:PSS on the Ag grid patterned PET substrate, another was thin-HCL coated with ~50 nm thickness of conductive PEDOT:PSS on the Ag grid PET, and the other was thick-HCL coated with ~95 nm thickness of conductive PEDOT:PSS. These three HCLs in order showed 73.8%, 71.9%, and 64.7% each in transmittance, while indicating $3.84{\Omega}/{\Box}$, $3.29{\Omega}/{\Box}$, and $2.65{\Omega}/{\Box}$ each in sheet resistance. Fabrication of organic solar cells (OSCs) with HCL Ag grid patterned PET substrates showed high power conversion efficiency (PCE) on the thin-HCL device. The thick-HCL device decreased efficiency due to low open circuit voltage ($V_{OC}$). And the Ag grid pattern device without HCL had the lowest energy efficiency caused by quite low short current density ($J_{SC}$).
Kim, Min-Jae;Choi, Tea-Il;Choi, Young-Kyu;Yoon, Joong-Han
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.15
no.1
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pp.31-38
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2020
In this paper, we propose a quadruple band antenna for GPS/WLAN/WiMAX application. The proposed antenna has quadruple band characteristics by considering the interconnection of four strip lines and DGS on the ground place. The total substrate size is 20.0 mm (W1) ⨯27.0 mm (L1), thickness (h) 1.0 mm, and the dielectric constant is 4.4, which is made of 20.0 mm (W2)⨯ 27.0 mm (L8 + L6+ L10) antenna size on the FR-4 substrate. From the fabrication and measurement results, bandwidths of 60 MHz (1.525 to 1.585 GHz) bandwidth for GPS band, 825 MHz (3.31 to 4.135 GHz) bandwidth for WiMAX band and 480 MHz (2.395 to 2.975 GHz) and 385 MHz (5.10 to 5.485 GHz) bandwidth for WLAN band were obtained on the basis of -10 dB. Also, gain and radiation pattern characteristics are measured and shown in the frequency of triple band as required.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.3
no.1
s.4
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pp.75-83
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2004
This paper describes the design, fabrication, and measurement of a low side lobe antenna for RSE base station of the ETCS which is one of the ITS services. The antenna is installed on the gantry of road side and provides the wireless communication lint between vehicles and RSE. The required characteristics of ETCS base station antenna are low sidelobe and specific beam pattern by the road and install environment and installed place of OBU. To minimize the affects of multipath signal by reflection, Circular polarization is required. To get low sidelobe of antenna, array configuration and weighting factor by Taylor distribution in radiator elements are applied. The measured results of fabricated antenna are as follows; return loss of 130MHz by -10dB, an axial ratio of 2.6dB, and a gain of 17dBi. It is found that the measured beam patterns are similar to design results.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2009.02a
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pp.133-134
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2009
Cold temperature development (CTD) of electron beam (EB) patterned resists and subsequent dry etching were investigated for fabrication of nano-patterned Niobium (Nb). Bulky Nb fims on GaAs substrates were deposited with EB evaporation. Line patterns on Nb cathode were fabricated by EB patterning and reactive ion etching (RIE). Size deviations of nano-sized line patterns from CAD designed patterns are dependent on the EB total exposure, but it can be improved by CTD of EB-exposed resist. Line patterns of 10 to 300 nm widths of EB-exposed resist patterns were drawn under various exposure conditions of $0.2{\mu}s$/dot (total 240,000 dot) with a constant current (50 pA). Compared with room temperature development (RTD), the CTD improves pattern resolution due to the suppression of backscattering effect. RIE with $CF_4$ was performed for formation of several nano-sized line patterns on Nb. Each EB-resist patterned samples with RTDs and CTDs were etched with two different $CF_4$ gas pressures of 5 Pa. Nb etching rate increases while GaAs (or ZEP) etching rate decreases as the chamber pressure increases. This different dependent of the etching rate on the $CF_4$ pressure between Nb and GaAs (or ZEP) has a significant meaning because selective etching of nano-sized Nb line patterns is possible without etching of the underlying active layer.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.6
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pp.640-646
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2008
Design procedure of corrugated horn antenna for the mm-wave frequency range is presented, and hybrid condition in horn is calculated. In this paper, corrugate profiles of horn which satisfy both transition to balanced hybrid condition and fabrication possibility under the mm-wave short wavelength are obtained. Electromagnetic fields inside horn and corrugation are derived by the cylindrical mode theory. Propagation characteristics in the horn are calculated by the mode impedance matching method with boundary conditions, and radiation fields are obtained by the Kirchhoff-Hyugen principle to the horn aperture fields. A mm-wave corrugated horn antenna which operates on $85{\sim}115GHz$ is fabricated by electric forming method. Measurements show that VSWR is under 1.3:1 over whole band and the half power beamwidth on radiation pattern 9.2, 9.16 and 9.02 degree on 85, 100 and 110 GHz are agree well with theoretical calculation.
We have studied the fabrication of silver micro lines using the silver nano sol on ITO substrate by an ink-jet method. The average particles size of $10wt\%$ silver nano sol synthesized with polyelectrolytes was smaller than 10 nm. The pattern formation of silver nano sol on the substrate closely related with the contact angle of the silver nano sol. The dot shaped of silver nano sol on bare ITO substrate was formed due to the high contact angle of silver nano sol. When ITO substrates was treated with 100 ppm polyethylenimine for silver nano sol patterning, fine silver micro lines of $60{\sim}100{\mu}m$ width was fabricated by ink-jet method.
Materials with a combination of high electrical conductivity and optical transparency are important components of many electronic and optoelectronic devices such as liquid crystal displays, solar cells, and light emitting diodes. In this study, to fabricate a low-resistance and high optical transparent electrode film for organic photovoltaic, the following steps were performed: the design and manufacture of an electroforming stamp mold, the fabrication of thermal roll imprinted (TRI) poly-carbonate (PC) patterned films, the manufacture of high-conductivity and low-resistance Ag paste which was filled into patterned PC film using a doctor blade process and then coated with a thin film layer of conductive polymer by a spin coating process. As a result of these imprinting processes the PC films obtained a line width of $10{\pm}0.5{\mu}m$, a channel length of $500{\pm}2{\mu}m$, and a pattern depth of $7.34{\pm}0.5{\mu}m$. After the Ag paste was used to fill part of the patterned film with conductive polymer coating, the following parameters were obtained: a sheet resistance of $9.65{\Omega}$/sq, optical transparency values were 83.69 % at a wavelength of 550 nm.
The purpose of this study was to investigate the effect that three resin indexing materials had on the distortion of split cast in the procedures of solder indexing and block fabrication. The specimen had two cylinders and connecting bar Two cylinders were a reference cylinder and a test cylinder that were machined precisely and placed on metal base. The total of specimens were 30 and they were divided into 3 groups according to the resin indexing materials : Acrylic $solder^{(R)}$, G-C Pattern $resin^{(R)},\;Z-100^{(R)}$. The relative coordinates (X, Y, Z) of centroids of both cylinders were measured by using 3-D cool dinates measuring machine. The value of indexing distortion was obtained after application of indexing material, and the value of the block distortion was obtained after fabrication of soldering block, and the value of total distortion was a value sum of indexing distortion and block distortion. Intercentroidal linear distortion ${(\sqrt{X^{'2}+Y^{'2}+Z^{'2}}-{\sqrt{X^2+Y^2+Z^2)}$ and global distortion $(\sqrt{{(X^'-X)}^2+{(Y^'-Y)}^2+{(Z^'-Z)}^2}$ were calculated from data of coordinates of centroids at each measuring stages. The results of this study were as belows ; 1. The intercentroidal distance between the split casts was reduced by indexing distortion and increased by block distortion. 2. The indexing global distortion between the split casts was smaller than block global distortion. 3. The intercentroidal linear distortion and the global distortion were no significant difference between indexing materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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