전자제품의 경박단소화는 관련 부품들의 개별적인 소형화, 경량화 또는 여러 가지 부품들을 집적시켜 모듈화 시키는 것을 요구한다. 최근에는 실장밀도를 향상시키기 위하여 저항, 축전기, 인덕터 등의 수동소자들을 다층인쇄회로기판에 내장시키고자 하는 연구들이 널리 수행되고 있다. 본 고에서는 먼저 여러 가지 수동소자들의 기능을 살펴본 후, 수동소자들을 기판에 내장시키고자 하는 연구의 필요성과 이 기술을 상업화하기 위하여 앞으로 해결해야 할 문제들에 관하여 살펴보고자 한다.
This paper presents compact dual-band WLAN filter and filter module. They were developed by embedding all of the passive lumped elements into a LTCC substrate. In order to reduce the size/volume of the filter and avoid EM parasitic couplings between the passive elements, the proposed filter was designed using a 3rd order Chebyshev circuit topology and J-inverter transformation technology. The 3rd order Chebyshev bandpass filter was firstly designed for the band-selection of the 802.11b and was then transformed using finite transmission zeros technologies. Finally, the dual-band filter was realized by adding two notch resonators to the 802.11b filter circuit for the band-selection of the 802.11a/g. The maximum insertion losses in the lower and higher passbands were better than 2.0 and 1.3 dB with minimum return losses of 15 and 14 dB, respectively. Furthermore, the filter was integrated with a diplexer to clearly split the signals between 2 and 5 GHz. The maximum insertion and minimum return losses of the fabricated module were 2.2 and 14 dB at 2.4 - 2.5 GHz, and 1.6 and 19 dB at 5.15 - 5.85 GHz, respectively. The overall volume of the fabricated filter was $2.7{\times}2.3{\times}0.59mm^3$.
As microeletronics technology continues to progress, there is also a continuous demand on highly integration and miniaturization of systems. For example, it is desirable to package several integrated circuits together in multilayer structure, such as multichip modules, to achieve higher levels of compactness and higher performance. Passive components (i.e., capacitors, resistors, and inductors) are very important for many MCM applications. In addition, the low-temperature co-fired ceramic (LTCC) process has considerable potential for embedding passive components in a small area at a low cost. In this paper, we investigate a method of statistically modeling integrated passive devices from just a small number of test structures. A set of LTCC inductors is fabricated and their scattering parameters (5-parameters) are measured for a range of frequencies from 50MHz to 5GHz. An accurate model for each test structure is obtained by using a building block based modeling methodology and circuit parameter optimization using the HSPICE circuit simulator.
As microelectronics technology continues to progress, there is also a continuous demand on highly integration and miniaturization of systems. For example, it is desirable to package several integrated circuits together in multilayer structure, such as multichip modules, to achieve higher levels of compactness and higher performance. Passive components (i.e., capacitors, resistors, and inductors) are very important fort many MCM applications. In addition, the low-temperature co-fired ceramic (LTCC) process has considerable potential for embedding passive components in a small area at a low cost. In this paper, we investigate a method of statistically modeling integrated passive devices from just a small number of test structures. A set of LTCC inductors is fabricated and their scattering parameters (s-parameters) are measured for a range of frequencies from 50MHz to 5GHz. An accurate model for each test structure is obtained by using a building block based modeling methodology and circuit parameter optimization using the HSPICE circuit simulator.
본 논문에서는 고 효율 인덕터 특성이 저역 통과 필터의 고조파 성분 억제에 미치는 정량적인 영향에 관한 새로운 접근 방안을 제안한다. 적용될 고 효율 인덕터의 정확한 소자 값들을 추출하기 위해 신뢰성 있는 De-embedding 과정을 적용 하였다. 게다가, 이들의 효과적인 적용 및 비교를 위해, 같은 스펙을 갖는 다양한 계단 임피던스 저역 통과 필터들을 각각 설계하였다. 제안된 과정은 전체 필터 성능을 제어하고 정해진 스펙으로부터 합성되는 등가 회로를 구성하기 위해 효과적으로 응용될 것이라 기대된다.
Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC) technology is a promising technology to integrate many devices in a module by embedding passive components. For the module substrate, most LTCC structures have dielectric constants below 10 to reduce signal delay time. Some components, which need high dielectric constants, have not been yet embedded in LTCC module. So, embedding capacitor with high capacitance by applying another dielectrics with high dielectric constants in LTCC is an important issue to maximize circuit density in LTCC module. In this study, electrical properties of embedded capacitor fabricated by dielectric paste of high dielectric constants (K-100) and co-firing behavior with LTCC were investigated. To prevent camber development of co-fired structure, constrained sintering process was tested. Dielectric properties of embedded capacitors were calculated from their capacitance and impedance value. Temperature coefficient of capacitance were also measured.
금속기판 위에 결합된 저온 소성 세라믹(low temperature co-fired ceramics on metal, LTCC- M)은 소성 후에 x-, y- 방향으로의 수축을 1% 이하로 억제할 수 있어 수동 소자를 내장하는데 매우 유리하며, 금속 기판 전체를 접지로 사용함으로써 노이즈를 감소시킬 수 있다. 본 고에서는 내부 실장 수동 소자별 특성차에 대하여 소개하고, 이러한 내부 실장 소자를 이용하여 실제로 제작된 PAM(power amplifier module)을 소개하였다. 내장된 수동 소자는 테스트 패턴 상에서 10~20%의 변화값을 보였으며 실제 모듈에 적용하여도 목표치에 부합하는 소자 구성이 가능하였다. 수동 소자가 내부에 실장됨으로써 신호 처리 시간을 감소시킬 수 있고, 납점의 감소로 공정을 단순화시킬 수 있을 뿐만 아니라 신뢰성 또한 증가시킬 수 있으므로 향후 RF모듈 외에 파워 및 고기능 소자 등 다양한 분야에 응용이 가능할 것이다.
As micro-system move toward higher speed and miniaturization, requirements for embedding the passive components into printed circuit boards (PCBs) grow consistently. They should be fabricated in smaller size with maintaining and even improving the overall performance. Miniaturization potential steps from the replacement of surface-mount components and the subsequent reduction of the required wiring-board real estate. Among the embedded passive components, capacitors are most widely studied because they are the major components in terms of size and number. Embedding of passive components such as capacitors into polymer-based PCB is becoming an important strategy for electronics miniaturization, device reliability, and manufacturing cost reduction Now days, the dielectric films deposited directly on the polymer substrate are also studied widely. The processing temperature below $200^{\circ}C$ is required for polymer substrates. For a low temperature deposition, bismuth-based pyrochlore materials are known as promising candidate for capacitor $B_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ ($B_2MN$) multi layers were deposited on Pt/$TiO_2/SiO_2$/Si substrates by radio frequency magnetron sputtering system at room temperature. The physical and structural properties of them are investigated by SEM, AFM, TEM, XPS. The dielectric properties of MIM structured capacitors were evaluated by impedance analyzer (Agilent HP4194A). The leakage current characteristics of MIM structured capacitor were measured by semiconductor parameter analysis (Agilent HP4145B). 200 nm-thick $B_2MN$ muti layer were deposited at room temperature had capacitance density about $1{\mu}F/cm^2$ at 100kHz, dissipation factor of < 1% and dielectric constant of > 100 at 100kHz.
In this paper, a highly miniaturized and performed UWB bandpass filter has been newly designed and implemented by embedding all the passive elements into a multi-layered PCB substrate with high dielectric $SrTiO_3$ composite film for 3.1 - 4.75 GHz compact UWB system applications. The high dielectric composite film was utilized to increase the capacitance densities and quality factors of capacitors embedded into the PCB. In order to reduce the size of the filter and avoid parasitic EM coupling between the embedded filter circuit elements, it was designed by using a $3^{rd}$ order Chebyshev circuit topology and a capacitive coupled transformation technology. Independent transmission zeros were also applied for improving the attenuation of the filter at the desired stopbands. The measured insertion and return losses in the passband were better than 1.68 and 12 dB, with a minimum value of 0.78 dB. The transmission zeros of the measured response were occurred at 2.2 and 5.15 GHz resulting in excellent suppressions of 31 and 20 dB at WLAN bands of 2.4 and 5.15 GHz, respectively. The size of the fabricated bandpass filter was $2.9{\times}2.8{\times}0.55(H)mm^3$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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