본 논문에서는 2개의 MOSFET으로 구성된 Half-bridge 회로를 구동할 때, 각 MOSFET의 기생성분을 고려하여 게이트 신호를 분석한다. 특히 MOSFET 구동시 게이트 전압에 따른 구간별 등가회로를 구성, 각 구간에서 다른 MOSFET에 상호적으로 미치는 영향을 수식적으로 분석하고, 시뮬레이션을 통해 스위칭 특성을 검증한다.
내연기관 자동차와 달리 전기자동차는 배터리 폐열이 부족하여 실내 난방을 위해 추가적으로 PTC 히터를 사용하고 있지만 전력소모가 큰 단점이 있다. 최근 이러한 단점을 보완할 수 있는 히트펌프 적용에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 히트펌프의 운전특성 해석을 위해 MATLAB/SIMULINK$^{(R)}$환경에서 R134a 히트펌프 모델과 캐빈 모델을 개발하였다. 모델은 여름과 겨울에서 히트펌프의 작동 특성에 따른 실내 온도변화를 나타낼 수 있으며, 모델 검증은 구성품 수준에서 응축기와 증발기의 용량 비교를 수행하였다. 또한 동일한 냉방조건에서 캐빈온도 변화 비교를 통해 캐빈 모델을 검증하였다. 해석 결과 전동압축기 소비전력은 모든 외기온도 조건에서 PTC 히터 보다 낮은 것으로 나타났다. 또한 영하조건에서 히트펌프의 난방용량이 부족한 현상에 대해 폐열회수를 적용하여 효율적인 난방 작동을 할 수 있는 조건을 분석하였다.
The impact of the gate length (Lg) on the DC and high-frequency characteristics of indium-rich In0.8Ga0.2As channel high-electron mobility transistors (HEMTs) on a 3-inch InP substrate was inverstigated. HEMTs with a source-to-drain spacing (LSD) of 0.8 ㎛ with different values of Lg ranging from 1 ㎛ to 19 nm were fabricated, and their DC and RF responses were measured and analyzed in detail. In addition, a T-shaped gate with a gate stem height as high as 200 nm was utilized to minimize the parasitic gate capacitance during device fabrication. The threshold voltage (VT) roll-off behavior against Lg was observed clearly, and the maximum transconductance (gm_max) improved as Lg scaled down to 19 nm. In particular, the device with an Lg of 19 nm with an LSD of 0.8 mm exhibited an excellent combination of DC and RF characteristics, such as a gm_max of 2.5 mS/㎛, On resistance (RON) of 261 Ω·㎛, current-gain cutoff frequency (fT) of 738 GHz, and maximum oscillation frequency (fmax) of 492 GHz. The results indicate that the reduction of Lg to 19 nm improves the DC and RF characteristics of InGaAs HEMTs, and a possible increase in the parasitic capacitance component, associated with T-shap, remains negligible in the device architecture.
Due to global CO2 emission reductions and fuel efficiency regulations, the trend toward transitioning from internal combustion engine vehicles to electric vehicles (EVs) has accelerated. Consequently, the problem of EV failures has become a focal point of active research. The parasitic capacitance generated during motor-shaft rotation induces voltage that deteriorates the raceway and ball surfaces of bearings, causing electrical damage in EVs. Despite numerous attempts to address this issue, most studies have been conducted under high viscosity lubricant and low load conditions. However, due to factors such as high-speed operation, rapid acceleration and deceleration, motor heating, and motor system-decelerator integration, current EV applications have shown diminished stability in lubrication films of motor bearings, thereby leveraging the investigation to address the risk of electrical damage. This study investigates the electrical damage to rolling bearing elements in EV motor drive systems. The experimental analysis focuses on the effects of electric currents and operational loads on bearing integrity. A test rig is designed to generate high-rate voltage specific to a motor system's parasitic capacitance, and bearing samples are exposed to these currents for specified durations. Component evaluation involves visual inspections and vibration measurements. In addition, a predictive model for electrical failure is developed based on accumulated data, which demonstrates the ability to predict the likelihood of electrical failure relative to the duration and intensity of current exposure. This in turn reduces uncertainties in practical applications regarding electrical erosion modes.
Occurrence and prevalence of Marteilioides chungmueasis have been reported in several waters around Tongyeong but no report has been made for Pukman bay. Therefore, we investigated that the prevalence and infection intensities in Pukman Bay at the inside and the outside areas which are hydrographically divided by tidal current. Furthermore, various environmental parameters were investigated in order to elucidate effective parameter for parasitic infection. Infection rates of Marteilioides chungmuensis in adult oysters were ranged 3.3-20.0% at the inside area during September 2002 through January 2003, and 3.3-30.9% at the outside area during August 2002 through January 2003. External manifestation of infected oyster consisted of abnormal egg masses with nodular appearance in the soft tissue. Histopathological symptoms included massive hemocytic infiltration within or around the follicle wall and atrophic epithelium of digestive diverticula. For the environmental parameters, comparative study made differences between two side of the Bay during the infection period: inside > outside for SS while inside < outside for chlorophyll-a. A positive relationship was observed between chlorophyll-a and infection period, which might indicate the difference in food availability between two areas. The prevalence of ovarian parasite Marteilioides chungmuensis, therefore, was highly associated with food availability. Pearson's correlation analysis was made between environmental parameters and infection prevalence. Significance was observed in water temperature (p < 0.05), suspended solids (p < 0.01) and chlorophyll-a (p < 0.05). A principle component analysis showed that infection of the ovarian parasite, Marteilioides chungmuensis, exhibited effects of seasonality (component I = 55.2%) and chemical/physical environmental factors (component II = 24.4%). These results clearly indicate that the infection of ovarian parasite, M. chungmuensis in the Pacific oyster Crassostrea gigas is closely associated with seasonality and food availability.
The temperature hump is found to be most efficient in suppressing parasitic nucleation. With the temperature humps, there are found to be observed in undersaturations along the transport path for convective-diffusive processes ranging from $D_{AB}$ = 0.0584 $\textrm{cm}^2$/s to 0.584 $\textrm{cm}^2$/s, axial positions from 0 to 7.5 cm. With decreasing Ar = 5 to 3.5, the temperature difference is increased because of the imposed nonlinear temperature profile but the rate is decreased. For 2 $\leq$ Ar $\leq$ 3.5, the rate is increased with the aspect ratio as well as the temperature difference. Such an occurrence of a critical aspect ratio is likely to be due to the effect of sidewall and much small temperature difference. The rate is decreased exponentially with the aspect ratio for 2 $\leq$ Ar $\leq$ 10. Also, the rate is exponentially decreased with partial pressure of component B, P for 1 $\leq$ P $\leq$ 100 Torr.$ B/ $\leq$ 100 Torr.
This paper presents the design of a down-conversion mixer with built-in active balun integrated in a $0.25\;{\mu}m$ pHEMT process. The active balun consists of series-connected common-gate FET and common-source FET. The designed balun achieved broadband characteristics by optimizing gate-width and bias condition for the reduction in parasitic effect. From DC to more than 6GHz, the active balun shows the phase error of less than 3 degree and the gain error of less than 0.4 dB. A single-balanced down-conversion mixer with built-in broadband active balun has been designed with optimum width, load resistor and bias for conversion gain and without any matching component for broadband operating. The designed mixer whose size of including on-chip bias circuit is $1\;mm{\times}1\;mm$ shows the conversion gain of better than 7 dB from 2 GHz to 6 GHz and $P_{1dB}$ of -10 dBm at 5.8 GHz
최근 발진수정자에 칩패키지를 결선한 SMD형의 적층세라믹 발진기를 많이 사용한다. 이러한 발진기들은 그 길이 및 패키지 내부의 패턴 등에 의하여 부유인덕턴스 및 기생 커패시턴스가 발생하고, 전원의 반사 및 잡음 발생으로 출력신호의 진폭감소 및 신호 손실이 발생하여 발진기 성능을 정상적으로 평가할 수 없다. 본 논문에서는 발진기와 계측기의 부정합임피던스로 부터 발생한 신호 손실 및 진폭감소를 방지하기 위해 지그 회로를 개발한다. 이를 통하여 발진기의 정확한 스펙트럼 분석 및 성능을 평가함으로써 발진기의 성능향상을 기한다.
본 연구에서는 위상잡음과 지터(jitter) 특성을 개선한 $5mm{\times}7mm$ 크기의 적층 세라믹 SMD(surface mounted device)형 VCXO를 개발한다. PECL(positive emitter coupled logic) 칩패키지를 발진수정자에 결선한 VCXO는 그 길이 및 패키지 내부의 패턴 등에 의하여 부유인덕턴스 및 기생 커패시턴스가 발생하고, 전원의 반사 및 잡음 발생으로 출력신호의 진폭 감소 및 신호 손실이 발생하여 발진기 성능을 정상적으로 평가할 수 없다. 이러한 신호 손실 및 진폭감소를 방지하기 위해 지그(Jig) 시스템을 개발하고, 이를 통하여 발진기의 정확한 스펙트럼 분석 및 성능을 평가한다. 동작전원은 3.3 V, 주파수 범위 120-180 MHz 및 Q인수는 5K이다.
Embedded capacitor technology is one of the effective packing technologies for further miniaturization and higher performance of electric packaging system. In this paper, the embedded capacitors were simulated and fabricated in 8-layered printed circuit board employing standard PCB processes. The composites of barium titanante($BaTiO_3$) powder and epoxy resin were employed for the dielectric materials in embedded capacitors. Theoretical considerations regarding the embedded capacitors have been paid to understand the frequency dependent impedance behavior. Frequency dependent impedance of simulated and fabricated embedded capacitors was investigated. Fabricated embedded capacitors have lower self resonance frequency values than that of the simulated embedded capacitors due to the increased parasitic inductance values. Frequency dependent capacitances of fabricated embedded capacitors were well matched with those of simulated embedded capacitors from the 100MHz to 10GHz range. Quality factor of 20 was observed and simulated at 2GHz range in the 10 pF embedded capacitors. Temperature dependent capacitance of fabricated embedded capacitors was presented.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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