• 제목/요약/키워드: Packing Density

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타이밍 구동 FPGA 분석적 배치 (Timing Driven Analytic Placement for FPGAs)

  • 김교선
    • 전자공학회논문지
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    • 제54권7호
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    • pp.21-28
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    • 2017
  • FPGA 배치 툴 연구는 학계에서도 단순한 가상 아키텍처 모델 가정에서 벗어나 상용 툴처럼 캐리체인이나 광폭함수 멀티플렉서, 메모리/승산기 블록 등의 성능 및 밀도를 향상시키는 소자들을 포함하는 현실적인 모델을 적용하기 시작하였다. 이 때 발생하는 실제적 이슈들을 다룬 사전 패킹, 다층 밀도 분석 등의 기법이 초기 분석적 배치 (Analytic Placement)에 적용되어 밀도를 분산시키면서 배선 길이를 효과적으로 최소화한 연구가 앞서 발표된 바 있다. 더 나아가 궁극적으로는 타이밍을 최적화해야하기 때문에 많은 연구에서는 타이밍 제약 조건을 만족시키기 위한 기법들이 제시되고 있다. 그러나 초기 배치 후 진행되는 배치 적법화 및 배치 개선에서 주로 적용될 뿐 분석적 배치에서 이러한 타이밍 기법을 적용한 사례는 거의 없다. 본 논문에서는 사전 패킹 및 다층 밀도 분석 등의 기법이 구현된 기존 분석적 배치에 타이밍 제약 조건 위반을 검출하고 이를 최소화하는 기법을 결합하는 방안을 소개한다. 먼저 정적 타이밍 검증기를 집적하여 배선 길이가 최소화된 기존 배치 결과의 타이밍을 검사해 보았으며 위반을 감소시키기 위해 신호 도착 시간 (Arrival Time)을 최소화하는 함수를 분석적 배치의 목적 함수에 추가하였다. 이 때 각 클록마다 주기가 다를 수 있기 때문에 각 클록별로 함수를 따로 계산해 합산하는 방안이 제안되었다. 또한, 위반이 없는 클록 도메인의 신호 경로들도 불필요하게 단축될 수 있기 때문에 음수 슬랙 (Negative Slack)을 계산하여 이를 최소화하는 함수를 추가로 제안하여 비교하였다. 영역 분할 기법 (Partitioning)을 기반으로 배선 길이를 최소화하는 기존 배치 적법화를 그대로 사용한 후 타이밍 검증을 통해 초기 분석적 배치 단계에서 타이밍 개선 효과를 분석하였다. 배치 적법화 시 추가적인 타이밍 최적화 기법이 사용되지 않았기 때문에 타이밍 개선이 있다면 이것은 전적으로 분석적 배치의 목적 함수개선에 의한 효과이다. 12개 실용예제에 대해 실험한 결과, 목적 함수에 도착 시간 함수가 적용되었을 때 그렇지 않았을 때보다 최악 음수 슬랙 (Worst Negative Slack)이 평균 약 15% 정도 감소되었으며 음수 슬랙 함수가 적용되었을 때 이보다 약 6%정도 추가로 더 감소됨을 확인하였다.

음식폐기물 탄화재로 충진된 PRB설계법 제안을 위한 컬럼실험 (Column Tests for the Design of PRB System using CFW)

  • 한중근;윤원일;정동호;김용수;이종영
    • 한국지반신소재학회논문집
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    • 제10권2호
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    • pp.35-43
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    • 2011
  • PRB 공법은 지하수의 흐름을 변화시키지 않고 오염물질이 지나가는 길목에 반응물질이 삽입된 벽체를 형성함으로써 한번 설치할 경우 운용에 필요한 별도의 시설이 불필요한 경제적인 공법이다. PRB공법의 주요 지배요소는 반응벽체내 반응물질이며, 반응물질과 오염물간의 물리 화학적 특성에 따라 정화효율, 사용시간 등이 결정된다. PRB공법은 오염물의 유입 농도, 유입기간, 흡착반응물질의 특성을 종합적으로 고려한 설계가 이루어져야 높은 정화효율을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 PRB시스템에서 구리($Cu^{2+}$)제거를 위한 흡착반응물질로 CFW를 사용할 경우 적용성 평가를 위한 컬럼실험을 실시하였다. 컬럼실험은 CFW를 반응물질로 하며 오염물의 유입속도, 밀도, PRB의 두께를 PRB의 설계에 필요한 영향인자로 선정하였다. 실험결과 PRB의 가동시간이 증가함에 따라 제거효율은 감소하였으며, PRB길이에 따라 제거효율은 선형적으로 증가하였다. 이러한 관계를 이용하여 PRB system의 반응물질 두께를 CFW 밀도, 정화기간을 고려한 제안식을 이용하여 설계할 수 있음을 확인하였다.

살조세균 Pseudomonas fluorescens HYK0210-SK09의 두 가지 담체 포집능과 이를 이용한 microcosm에서 Stephanodiscus hantzschii (Bacillariophyceae)의 살조능 연구 (Algicidal Effect of Immobilized Bacteria against S. hantzschii in Microcosm)

  • 정승원;김영옥;한명수
    • 환경생물
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    • 제27권3호
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    • pp.244-251
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    • 2009
  • 두 가지 다른 기질의 담체를 이용하여 살조세균 Pseudomonas fluorescens HYK0210-SK09의 포집율과 microcosm에서 Stephanodiscus hantzschii의 살조능을 파악하였다. Active carbon polyvinyl alcohol (ACPA)담체가 cellulose sponge (CS)담체보다 SK09를 높게 포집하였다. 이를 이용한 microcosm에서 ACPA담체가 CS담체보다 S. hantzschii의 살조능이 높았으며 지속적이었다. 특히 ACPA담체에서는 낮은 전기전도도를 나타내어 S. hantzs-chii 분해에 따른 용출된 이온들을 흡수하고 있음을 판단할 수 있었다. 따라서 ACPA담체를 이용한 유해조류 제어는 지속적 제어와 함께 생태계의 교란을 최소화할 것으로 판단된다.

핫멜트 Web spray법을 이용한 고기능성 복합 화학필터의 제조 및 흡착특성 (Preparation of High Performance Hybrid Chemical Filter using Hot Melt Adhesive by Web Spray and Their Adsorption Properties)

  • 최용재;신경섭;황택성
    • 접착 및 계면
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    • 제10권3호
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    • pp.141-147
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    • 2009
  • 본 연구는 web spray 분사방식으로 핫멜트 접착제를 이용하여 high performance hybrid chemical filter (HPHCF)를 제조하였다. HPHCF은 이온교환 수지와 PP 부직포를 사용하였고, HPHCF의 제조 시 최적 조건은 핫멜트의 온도는 $170^{\circ}C$에서 분사압력은 50 psi일 때 최적의 제조 조건을 나타내었다. 제조된 HPHCF의 특성 및 암모니아 흡착성능을 측정하였다. HPHCF 이온교환용량은 수지 부착량이 증가함에 따라 증가하였으며 단일 수지와 이온교환섬유의 이온교환용량보다 크게 나타났다. 또한 암모니아의 제거율은 HPHCF의 충진 밀도가 증가할수록 증가하였으며 흡착 파과시간은 13 min으로 단일 섬유나 수지에 비해 길게 나타났고 최대 암모니아 흡착량은 98%이었다. 또한 암모니아 흡착 파과시간은 유량 및 농도가 증가함에 따라 빠르게 진행되었다.

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자폐 장애 및 기타 전반적 발달장애 : 신경발달학적 병리 소견 (AUTISTIC DISORDER AND OTHER PERVASIVE DEVELOPMENTAL DISORDER : NEURODEVELOPMENTAL PATHOLOGY)

  • 천근아;정철호
    • Journal of the Korean Academy of Child and Adolescent Psychiatry
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    • 제16권2호
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    • pp.153-159
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    • 2005
  • 본 고에서는 지금까지 자폐 장애 및 PDD에서 행해졌던 신경발달학적 병리 소견들에 대하여 살펴보고자 하였다. 자폐 장애에서 전형적으로 관찰되는 신경병리학적 소견들은 소뇌에서의 Purkinje 세포 수의 감소, 변연계에서의 증가된 세포 밀도 및 축소된 신경원 크기, 피질의 이형성 및 이동 장애 등이라고 할 수 있겠다. 그러나, 일부 문헌들은 일관되고 일치된 결과를 보인 반면, 대부분의 연구결과들이 아직까지는 불확실한 상태로 남아있다. 이것은 매우 적은 대상군과 자폐 장애의 이질성(heterogeneity), 기타 공존 질환 통제의 어려움, 연구 디자인의 비정교성에 기인한 통계량의 부족과 관련이 있다. 따라서 향후 좀더 정교한 디자인에 의하여 자폐 환자 대상군을 많이 확보하여 다양한 혼란 변인들을 통제한 후 신경발달학적 소견들을 연구한다면 자폐 장애의 원인론을 확립하는데 많은 공헌을 할것으로 기대된다.

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고품위 페라이트 본드자석 제조에 관한 연구 (A Study on the Fabrication for High Quality Ferrite Plastic Magnets)

  • 신용진;문형욱;진성빈;정왕일
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권5호
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    • pp.440-446
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    • 1997
  • This research has been performed for the fabrication of high quality ferrite plastic magnet. The magnetic properties of S $r_{5.9}$F $e_2$ $O_3$ ferrite bonded magnets by injection moulding with a variety of applied magnetic field were investigated. 0.3wt% CaCO3, 0.2wt% $SiO_2$, 0.5wt% $Al_2$ $O_3$and 0.5wt% N $a_2$ $SiO_3$are added in order to improve the magnetic properties of Sr-ferrite plastic magnets during the powder fabrication. For carbon coating on chemical compound specimen, 5wt% polyvinyl alcohol is added, and then calcinated under $N_2$ environment of 12$25^{\circ}C$. The particle size is distributed from 0.9~1.2${\mu}{\textrm}{m}$ which approximates to the single domain. The obtained Sr ferrite powder is well mixed with silane coupling and calcium stearate of 1wt%. Nest, the specimen is pelleted after kneading each of them with polyamidel2 as a binder. When the temperature of injection and mould were 25$0^{\circ}C$ and 8$0^{\circ}C$ respectively at injection pressure of 200kgf/$\textrm{cm}^2$, the degree of orientation was 85.3% under the applied magnetic field of 12kOe. As the results, when the packing density of Sr ferrite powder was 90wt%, the magnetic properties of Sr ferrite bonded magnet were follows : $_{B}$ $H_{c}$=2.41kOe, Br=3.1kG, (BH)$_{max}$=2.21MgOe. Especially, the Sr-ferrite bonded magnet with 10wt% N $d_2$F $e_{14}$B additive were as follows : $_{B}$ $H_{c}$=2.57kOe, Br=3.14kG and (BH)$_{max}$=2.39MGOe.GOe.GOe.GOe.e.

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PECVD 방법으로 성장시킨 DLC 박막의 복소굴절율 및 성장조건에 따른 박막상수 변화 (Complex refractive index of PECVD grown DLC thin films and density variation versus growth condition)

  • 김상준;방현용;김상열;김성화;이상현;김성영
    • 한국광학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.277-282
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    • 1997
  • 광학소자나 전자소자의 코팅에 많이 이용되고 있는 Diamond-like Carbon(DLC) 박막의 복소굴절율을 광학적 방법을 사용하여 구하였다. PECVD(Plasma enhanced CVD)법에 의해 Si(100)기판과 비정질실리카 기판위에 각각 성장시킨 DLC 박막을 분광타원해석기와 분광광도계를 이용하여 타원해석 스펙트럼과 광투과율 스펙트럼을 측정하고, Sellmeier 분산관계식과 양자역학적 진동자 모델을 이용하여 분석하였다. 비정질실리카 위에 증착된 DLC 박막의 광투과영역에서 분광타원해석분석으로 굴절률 및 박막의 유효두께를 구하고 광흡수영역에서 투과스펙트럼을 역방계산하여 소광계수를 구한 뒤, 이 소광계수 스펙트럼에 최적 근사하는 양자역학적 분산식의 계수들을 회귀분석법으로 결정하여 복소굴절율을 구하였다. 그리고 모델링방법을 타워해석 스펙트럼에 적용하여 Si기판과 비정질이산화규소 기판위에 증착된 DLC 박막의 조밀도, 표면거칠기 등 박막상수를 박막의 성장조건에 따라 분석하였다.

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Residual stresses and viscoelastic deformation of an injection molded automotive part

  • Kim, Sung-Ho;Kim, Chae-Hwan;Oh, Hwa-Jin;Choi, Chi-Hoon;Kim, Byoung-Yoon;Youn, Jae-Ryoun
    • Korea-Australia Rheology Journal
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    • 제19권4호
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    • pp.183-190
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    • 2007
  • Injection molding is one of the most common operations in polymer processing. Good quality products are usually obtained and major post-processing treatment is not required. However, residual stresses which exist in plastic parts affect the final shape and mechanical properties after ejection. Residual stresses are caused by polymer melt flow, pressure distribution, non-uniform temperature field, and density distribution. Residual stresses are predicted in this study by numerical methods using commercially available softwares, $Hypermesh^{TM},\;Moldflow^{TM}\;and\;ABAQUS^{TM}$. Cavity filling, packing, and cooling stages are simulated to predict residual stress field right after ejection by assuming an isotropic elastic solid. Thermo-viscoelastic stress analysis is carried out to predict deformation and residual stress distribution after annealing of the part. Residual stresses are measured by the hole drilling method because the automotive part selected in this study has a complex shape. Residual stress distribution predicted by the thermal stress analysis is compared with the measurement results obtained by the hole drilling method. The molded specimen has residual stress distribution in tension, compression, and tension from the surface to the center of the part. Viscoelastic deformation of the part is predicted during annealing and the deformed geometry is compared with that measured by a three dimensional scanner. The viscoelastic stress analysis with a thermal cycle will enable us to predict long term behavior of the injection molded polymeric parts.

태아시기의 방사선 노출에 의한 마우스 뇌 발달에 미치는 영향에 관한 형태학적 연구 (Morphological study on effect of radiation in developing mouse brain after fetal exposure)

  • 이종환;오헌;김세라;이해준;김태환;이윤실;김성호
    • 대한수의학회지
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    • 제41권3호
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    • pp.395-400
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    • 2001
  • The present study analyze the morphological aspects of the cerebrum of mice with prenatal exposure to high and low dose (0.5, 1, 2 Gy) of $\gamma$-radiation on gestation day 12 or 16. The animal were allowed to give birth and the offspring were sacrificed at postnatal days 28 for gross and microscopic examination of cerebrum. Their body weight, brain weight, brain length, brain width, cortical thickness and area of cingulum bundle were examined. The histological and planimetric analysis were performed observing coronal sections. The gross malfomation (microcephaly) and abnormality of cortical architecture were prominent after exposure to 2 Gy on day 12 of gestation. significant dose-related reductions in body weight, brain weight, brain size were found in all irradiated groups. A significant change was found in thickness of the cerebral cortex and area of the cingulum bundle in the groups exposed to 0.5 Gy or more. There was no difference a lamina patter of six layers in cerebral cortex between the control and irradiated groups, but cell packing density increased significantly in the group exposed to 1 Gy or more. These results suggested that dose as low as 0.5 Gy could cause a morphologically reduce change in developing mouse cerebrum and exposure on day 12 of gestation to $\gamma$-irradiation is a particularly sensitive phase in causing malformation and abnormality of central nerve system.

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SiOC(-H) 박막 제조용 Methyltriphenylsilane 전구체 합성 및 특성분석 (Synthesis and Characterization of Methyltriphenylsilane for SiOC(-H) Thin Film)

  • 한덕영;박재현;이윤주;이정현;김수룡;김영희
    • 한국재료학회지
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    • 제20권11호
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    • pp.600-605
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    • 2010
  • In order to meet the requirements of faster speed and higher packing density for devices in the field of semiconductor manufacturing, the development of Cu/Low k device material is explored for use in multi-layer interconnection. SiOC(-H) thin films containing alkylgroup are considered the most promising among all the other low k candidate materials for Cu interconnection, which materials are intended to replace conventional Al wiring. Their promising character is due to their thermal and mechanical properties, which are superior to those of organic materials such as porous $SiO_2$, SiOF, polyimides, and poly (arylene ether). SiOC(-H) thin films containing alkylgroup are generally prepared by PECVD method using trimethoxysilane as precursor. Nano voids in the film originating from the sterichindrance of alkylgroup lower the dielectric constant of the film. In this study, methyltriphenylsilane containing bulky substitute was prepared and characterized by using NMR, single-crystal X-ray, GC-MS, GPC, FT-IR and TGA analyses. Solid-state NMR is utilized to investigate the insoluble samples and the chemical shift of $^{29}Si$. X-ray single crystal results confirm that methyltriphenylsilane is composed of one Si molecule, three phenyl rings and one methyl molecule. When methyltriphenylsilane decomposes, it produces radicals such as phenyl, diphenyl, phenylsilane, diphenylsilane, triphenylsilane, etc. From the analytical data, methyltriphenylsilane was found to be very efficient as a CVD or PECVD precursor.