• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 1998년도 가을 학술발표회논문집
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• pp.252-255
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• 1998

PVA(Poly Vinyl Alcohol)는 폴리에틸렌과 함께 최고 수준의 결정 탄성율(250~300 GPa)을 보유하고 있고, 이론적으로 높은 기계적 특성을 지녔기 때문에 초연신에 의한 고강도 고탄성율 섬유를 얻을 가능성이 매우 크다. 그러나 분자에 많이 존재하는 -OH기에 의한 강력한 분자내 및 분자간 수소결합 때문에 융점이 228~25$0^{\circ}C$ 정도로 높은 편이라는 장점이 있는 반면, 연신이나 열처리동안 분자 사슬의 alRMfj짐이나 재배열이 입체장애로 방해를 받아서 충분히 배향시키는데 상당한 어려움이 있다. (중략)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.1-4
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• 2000

We have developed a high performance vertical alignment TFT-LCD, that shows a high light transmittance, and wide viewing angle characteristics with an unusually high contrast ratio. In order to optimize the electro-optical properties we have studied the effect of cell parameters, multi-domain structure and retardation film compensation. With the optimized cell parameters and process conditions, we have achieved a 24" wide UXGA TFT-LCD monitor (16:10 aspect ratio 1920X1200) showing a contrast ratio over 500:1, panel transmittance near 4.5%, response time near 27 ms, and viewing angle higher than 80 degree in all directions.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제4권1호
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• pp.118-122
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• 2009

Organic thin film transistors with a pentacene active layer and various polymer gate insulators were fabricated and their performances were investigated. Characteristics of pentacene thin film transistors on different polymer substrates were investigated using an atomic force microscope (AFM) and x-ray diffraction (XRD). The pentacene thin films were deposited by thermal evaporation on the gate insulators of various polymers. Hexamethyldisilazane (HMDS), polyvinyl acetate (PVA) and polymethyl methacrylate (PMMA) were fabricated as the gate insulator where a pentacene layer was deposited at 40, 55, 70, 85, 100 oC. Pentacene thin films on PMMA showed the largest grain size and least trap concentration. In addition, pentacene TFTs of top-contact geometry are compared with PMMA and $SiO_2$ as gate insulators, respectively. We also fabricated pentacene TFT with Poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)-Polysturene Sulfonate (PEDOT:PSS) electrode by inkjet printing method. The physical and electrical characteristics of each gate insulator were tested and analyzed by AFM and I-V measurement. It was found that the performance of TFT was mainly determined by morphology of pentacene rather than the physical or chemical structure of the polymer gate insulator

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1233-1236
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• 2008

This study presents the fabrication process and display characteristics of a flexible organic polymer display device that consists of a thin substrate of Polyether Sulfone, a multilayer serpentine-type microheater array that is fabricated on the substrate, and a UV-sensitive polydiacetylene (PDA)-polyvinyl alcohol (PVA) composite film. A retention time of one second is achieved with cell sizes of $500{\mu}m$ and $700{\mu}m$ with cell-to-cell distances of $100{\mu}m$ and $200{\mu}m$, respectively.

• 한국기계가공학회지
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• 제13권3호
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• pp.111-117
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• 2014

With the development of technology, the display industry has been focusing on the development of new types of displays, such as bendable and wearable displays. However, the PVA/TAC polarizing film used in the manufacturing of a normal display is associated with low luminance and low efficiency. If the existing polarization film is replaced with a wire grid polarizer, it is possible to reduce the thickness significantly. Moreover enhanced brightness can also be expected. This study confirms the optical properties of the WGP through a simulation.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권7호
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• pp.1-8
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• 2008

본 논문에서는 플라스틱 기판에 OTFT를 스위칭 소자로 사용하여 유연한 EPD 패널을 제작하였다. OTFT의 채널 폭과 길이의 비(W/L)는 EPD의 응답속도를 고려하여 15이상으로 설계를 하였다. 게이트전극은 Al, 절연층은 cross-linked PVP, 반도체층은 펜타센, 중간층은 PVA/Acryl를 사용하였다. 플라스틱 기판은 보호층 처리를 통하여 열처리 공정 시 발생하는 입자를 제거하였고, 거친 표면을 평탄화하였다. 반도체층의 크기는 게이트 전극 보다 작도록 제한하여 누설전류를 줄일 수 있었다. EPD-상판과 OTFT-하판 사이에 픽셀전극을 삽입하고 또한 OTFT-하판을 보호하기 위하여 PVA/Acryl로 구성된 중간층을 상빙하였다. 완성된 OTFT-하판에서 OTFT의 이동도는 $0.21cm^2/V.s$, 전류점멸비(Ion/Ioff)는 $10^5$ 이상의 성능을 보였다.

• 폴리머
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• 제28권3호
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• pp.253-262
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• 2004

독성이 없고 생분해성과 생체적합성을 가지는 폴리(비닐 알코올)/키토산 블렌드 필름들은 용액상태로 캐스팅 하여 제조하였다. 블렌드 필름들의 물리화학적 특성들의 변화는 여러 가지의 분석방법을 통해 조사하였다. 항균특성의 고찰에서 키토산이 10 wt% 이상 함유된 모든 블렌드 필름의 정균율은 99.9%로 우수하게 나타났다. 수분율은 키토산의 함량이 증가함에 따라 증가하나 팽윤도는 감소하였다. 키토산 함량이 15 wt% 내에서는 블렌드 필름의 용융온도와 결정화온도가 키토산의 함량에 따라 증가하였다. 또한, 키토산이 10, 15 wt% 함유된 블렌드 필름들은 용융온도가 각각 229와 228$^{\circ}C$로 순수 PVA보다 높은 값을 나타내었다. 그러나 키토산 함량이 20 wt% 이상일 경우 용융온도는 감소하였다. 블렌드 필름의 역학적 특성들은 습윤상태 및 건조상태 모두 키토산 함량이 증가함에 따라 증가한다 키토산 함량이 15 wt% 내에서 높은 인장강도를 나타낸다.

• 공업화학
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• 제32권5호
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• pp.504-508
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• 2021

본 연구에서는 게스트 분자(guest molecule)의 특성이 고분자/베타-사이클로덱스트린(beta-cyclodextrin) 포접화합물(inclusion compound)로 이루어진 고분자 필름의 구조 및 물성에 미치는 영향에 대해서 고찰하고자 한다. 본 연구에서 사용된 게스트 분자는 미백 효과를 지니는 것으로 알려진 3가지로 하이드로퀴논(hydroquinone, HQ), 알부틴(arbutin, AB), 그리고 트랜액사믹 애시드(tranexamic acid, TA)이다. 먼저, 베타-사이클로덱스트린과 게스트 분자 간의 포접화합물의 성공적인 형성과 이를 포함하는 고분자 필름의 제조여부를 라만(Raman) 분광학으로 확인하였다. 포접화합물을 포함하는 고분자 필름의 구조 및 물성은 엑스선 회절법(X-ray diffraction)과 주사열용량법 및 열중량추적법 같은 열분석법으로 고찰하였다. 그 결과, 트랜액사믹 애시드의 영향이 다른 분자의 영향과 비교하여 상당히 상이하였음을 관찰할 수 있었다. 이러한 경향은 간단한 분자 시뮬레이션 기법으로 재검증하였다. 본 연구는 포접화합물을 형성하는 게스트 분자들의 상이한 영향에 대한 체계적인 접근을 통한 실험적 검증의 사례로 향후 관련 연구에 중요한 정보를 제공할 것으로 기대된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제17권3호
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• pp.41-45
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• 2018

Two-dimensional (2D) materials have been studied extensively due to their excellent physical, chemical, and electrical properties. Among them, we report the material and device characteristics of tin disulfide ($SnS_2$). To apply $SnS_2$ as a channel layer in a transistor, $SnS_2$ channels were formed by a stripping method and a transfer method. The limitation of this method is that it is difficult to produce uniform device characteristics over a large area. Therefore, we directly deposited $SnS_2$ by atomic layer deposition (ALD) and then performed lithography. This method was able to produce devices with repeatable characteristics over a large area. However, the $SnS_2$ film was damaged by the acetone used as a photoresist (PR) developer during the lithography process, with the electrical properties of mobility of $2.6{\times}10^{-4}cm^2/Vs$, S.S. of 58.1 V/decade, and on/off current ratio of $1.8{\times}10^2$. These results are not suitable for advanced electronic devices. In this study, we analyzed the effect of acetone on $SnS_2$ and studied the device process to prevent such damage. Using polyvinyl alcohol (PVA) as a passivation layer during the lithography process, the electrical characteristics of the $SnS_2$ transistor had $2.11{\times}10^{-3}cm^2/Vs$ of mobility, 11.3 V/decade of S.S, and $2.5{\times}10^3$ of the on/off current ratio, which were 10x improvements to the $SnS_2$ transistor fabricated by the conventional method.

• 한국염색가공학회지
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• 제35권4호
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• pp.214-220
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• 2023

Poly(vinyl alcohol) (PVA) is a common hydrophilic polymer that is synthesized through the saponification reaction of poly(vinyl ester)-based polymers, mostly using poly(vinyl acetate) (PVAc) as a precursor. The heterogeneous saponification reaction of poly(vinyl ester)-based films leads to PVA films with new surface properties. Cellulose acetate (CA), in which the hydroxyl group of cellulose is replaced by an acetyl group, is a typical cellulose derivative capable of overcoming the low processability of cellulose due to strong hydrogen bonding. In this study, P(VAc/VPi)/CA blended films were prepared by the solvent casting, and then PVA/Cellulose blended films with improved surface properties were prepared by heterogeneous saponification. The structural changes caused by heterogeneous saponification were confirmed by FT-IR analysis, where both saponification and deacetylation reactions occurred in the saponification solution. In addition, the surface property changes were analyzed by FE-SEM and contact angle analyses, and the transmittance changes of the modified films were also assessed.